公开(公告)号：DE112011101215T5

公开(公告)日：2013-02-07

申请号：DE112011101215

申请日：2011-05-18

Applicant: IBM

Inventor： GUO DECHAO ,  OLDIGES PHILIP ,  CHEN TZE-CHLANG ,  WANG YANFENG

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/49 ,  H01L29/51

Abstract: Eine Gate-Stapel-Struktur für Feldeffekttransistor(FET)-Einheiten umfasst eine stickstoffreiche erste Dielektrikumsschicht, welche über einer Halbleitersubstratfläche ausgebildet ist; eine stickstoffarme sauerstoffreiche zweite Dielektrikumsschicht, welche auf der stickstoffreichen ersten Dielektrikumsschicht ausgebildet ist, wobei die erste und zweite Dielektrikumsschicht in Kombination eine Bischicht-Grenzflächenschicht bilden; eine Dielektrikumsschicht hoher Dielektrizitätskonstante k, welche über der Bischicht-Grenzflächenschicht ausgebildet ist; eine Metall-Gate-Leiterschicht, welche über der Dielektrikumsschicht hoher Dielektrizitätskonstante k ausgebildet ist; und die Austrittsarbeit einstellende Dotierstoffarten, welche in die Dielektrikumsschicht hoher Dielektrizitätskonstante k und in die stickstoffarme sauerstoffreiche zweite Dielektrikumsschicht diffundiert sind, und wobei die stickstoffreiche erste Dielektrikumsschicht dazu dient, die die Austrittsarbeit einstellenden Dotierstoffarten von der Halbleitersubstratfläche fernzuhalten.