公开(公告)号：GB2504643B

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：GB201320539

申请日：2012-02-14

Applicant: IBM

Inventor： CHIU HSIN-YING ,  HAN SHU-JEN ,  MAUNE HAREEM T

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: Carbon transistor devices having channels formed from carbon nanostructures, such as carbon nanotubes or graphene, and having charged monolayers to reduce parasitic resistance in un-gated regions of the channels, and methods for fabricating carbon transistor devices having charged monolayers to reduce parasitic resistance. For example, a carbon field effect transistor includes a channel comprising a carbon nanostructure formed on an insulating layer, a gate structure formed on the channel, a monolayer of DNA conformally covering the gate structure and a portion of the channel adjacent the gate structure, an insulating spacer conformally formed on the monolayer of DNA, and source and drain contacts connected by the channel.

公开(公告)号：DE112012002037T5

公开(公告)日：2014-02-06

申请号：DE112012002037

申请日：2012-02-14

Applicant: IBM

Inventor： CHIU HSIN-YING ,  MAUNE HAREEM T ,  HAN SHU-JEN

IPC: H01L21/335

Abstract: Kohlenstoff-Transistoreinheiten, die Kanäle aufweisen, die aus Kohlenstoff-Nanostrukturen ausgebildet sind, wie zum Beispiel Kohlenstoff-Nanoröhren oder Graphen, und die geladene Monoschichten aufweisen, um den parasitären Widerstand in Bereichen der Kanäle ohne Gate-Steuerung zu verringern, und Verfahren zum Fertigen von Kohlenstoff-Transistoreinheiten, die geladene Monoschichten aufweisen, um den parasitären Widerstand zu verringern. Beispielsweise beinhaltet ein Kohlenstoff-Feldeffekttransistor einen Kanal, der eine Kohlenstoff-Nanostruktur aufweist, die auf einer Isolationsschicht ausgebildet ist, eine Gate-Struktur, die auf dem Kanal ausgebildet ist, eine Monoschicht aus DNA, die die Gate-Struktur und einen Abschnitt des Kanals angrenzend an die Gate-Struktur konform bedeckt, ein Isolationsabstandselement, das konform auf der Monoschicht aus DNA ausgebildet ist, und Source- und Drain-Kontakte, die durch den Kanal verbunden werden.

公开(公告)号：GB2504643A

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：GB201320539

申请日：2012-02-14

Applicant: IBM

Inventor： CHIU HSIN-YING ,  HAN SHU-JEN ,  MAUNE HAREEM T

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/66 ,  H01L29/778

Abstract: Carbon transistor devices having channels formed from carbon nanostructures, such as carbon nanotubes or graphene, and having charged monolayers to reduce parasitic resistance in un¬ gated regions of the channels, and methods for fabricating carbon transistor devices having charged monolayers to reduce parasitic resistance. For example, a carbon field effect transistor includes a channel comprising a carbon nanostructure formed on an insulating layer, a gate structure formed on the channel, a monolayer of DNA conformally covering the gate structure and a portion of the channel adjacent the gate structure, an insulating spacer conformally formed on the monolayer of DNA, and source and drain contacts connected by the channel.