公开(公告)号：DE102012221818B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102012221818

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CZABAJ BRAIN M ,  DEMUYNCK DAVID A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01H11/00

Abstract: Verfahren, aufweisend: – Bilden einer ersten Metallschicht (28) auf einer mindestens ersten Isolatorschicht (24), die ein darunter liegendes erstes Opfermaterial (18) bedeckt, das auf einem Substrat (10) gebildet wurde; – Bilden einer zweiten Isolatorschicht (30) auf der ersten Metallschicht (28); – Bilden einer zweiten Metallschicht (32) auf der zweiten Isolatorschicht (30); – Bilden einer dritten Isolatorschicht (34) auf der zweiten Metallschicht (32); – Bilden einer Maske (36) auf der dritten Isolatorschicht (34) zum Schutz von Teilen der dritten Isolatorschicht (34), der zweiten Metallschicht (32), der zweiten Isolatorschicht (30), der ersten Isolatorschicht (24) und der ersten Metallschicht (28), wobei eine Öffnung (38) in der Maske teilweise das darunter liegende erste Opfermaterial (18) überlappt; – Entfernen freiliegender Teile der ersten Isolatorschicht (24), der zweiten Isolatorschicht (30), der dritten Isolatorschicht (34), der ersten Metallschicht (28) und der zweiten Metallschicht (32) in einem einzigen Entfernungsprozess zum Bilden einer Balkenstruktur (45), umfassend verbleibende Bereiche der ersten Isolatorschicht (24), der zweiten Isolatorschicht (30), der dritten Isolatorschicht (34), der ersten Metallschicht (28) und der zweiten Metallschicht (32), und zum Freilegen des überlappten Teils des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18); – Bilden eines zweiten Opfermaterials (44) über der Balkenstruktur (45) und in Kontakt mit dem freiliegenden Teil des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18); – Bereitstellen einer Decklage (46) auf dem zweiten Opfermaterial (44); und – Austreiben des zweiten Opfermaterials (44) und des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18) durch die Decklage (46), um eine obere (50a) und untere (50b) Kammer mit einer diese verbindenden Durchkontaktierung (50c) um die Balkenstruktur (45) zu bilden.

公开(公告)号：DE102012221818A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012221818

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CZABAJ BRAIN M ,  DEMUYNCK DAVID A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01H11/00

Abstract: Strukturen, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) werden offenbart. Das Verfahren beinhaltet ein Aufschichten von Metall- und Isolatormaterialien auf einem Opfermaterial, das auf einem Substrat gebildet wird. Das Verfahren beinhaltet ferner das Maskieren der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden einer Öffnung in der Maskierung, die das Opfermaterial überlappt. Das Verfahren beinhaltet ferner Ätzen der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien in einem einzigen Ätzprozess zum Bilden der Balkenstruktur, so dass die Kanten des geschichteten Metall- und Isolatormaterials aneinander ausgerichtet sind. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden eines Hohlraums um die Balkenstruktur durch ein Austreiben.