公开(公告)号：WO2014195840A2

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：PCT/IB2014061853

申请日：2014-05-30

Applicant: IBM ,  IBM CHINA LTD

Inventor： COONEY EDWARD C ,  DANG DINH ,  DEMUYNCK DAVID A ,  MC TAGGART SARAH A ,  MILO GARY L ,  ROMA MELISSA J ,  THOMPSON JEFFREY L ,  WEEKS THOMAS W

CPC classification number: H01L28/10 ,  H01L23/5227 ,  H01L23/5329 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method including forming a first metal wire in a first dielectric layer, the first metal wire including a first vertical side opposite from a second vertical side; and forming a second metal wire in a second dielectric layer above the first dielectric layer, the second metal wire including a third vertical side opposite from a fourth vertical side, where the first vertical side is laterally offset from the third vertical side by a first predetermined distance, and the second vertical side is laterally offset from the fourth vertical side by a second predetermined distance, where the first metal wire and the second metal wire are in direct contact with one another.

Abstract translation: 一种包括在第一电介质层中形成第一金属线的方法，所述第一金属线包括与第二垂直侧相对的第一垂直侧; 以及在所述第一电介质层上方的第二电介质层中形成第二金属线，所述第二金属线包括与第四垂直侧相反的第三垂直侧，其中所述第一垂直侧从所述第三垂直侧横向偏移第一预定 距离，第二垂直侧与第四垂直侧横向偏移第二预定距离，其中第一金属线和第二金属线彼此直接接触。

公开(公告)号：WO2012047458A2

公开(公告)日：2012-04-12

申请号：PCT/US2011051348

申请日：2011-09-13

Applicant: IBM ,  DEMUYNCK DAVID A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J

Inventor： DEMUYNCK DAVID A ,  HE ZHONG-XIANG ,  MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J

IPC: H01L21/28

CPC classification number: H01L21/76843 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76879 ,  H01L23/5227 ,  H01L28/10 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The disclosure relates generally to integrated circuits (IC), IC interconnects, and methods of fabricating the same, and more particularly, high performance inductors. The IC (10) includes at least one trench (20) within a dielectric layer (25) disposed on a substrate (30). The trench is conformally coated with a liner and seed layer (35), and includes an interconnect (40) within. The interconnect includes a hard mask (45) on the sidewalls of the interconnect.

Abstract translation: 本公开一般涉及集成电路（IC），IC互连及其制造方法，并且更具体地涉及高性能电感器。 IC（10）包括设置在衬底（30）上的电介质层（25）内的至少一个沟槽（20）。 沟槽共形涂覆有衬里和籽晶层（35），并且包括内部的互连（40）。 该互连包括互连侧壁上的硬掩模（45）。

公开(公告)号：DE102012221818B4

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：DE102012221818

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CZABAJ BRAIN M ,  DEMUYNCK DAVID A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01H11/00

Abstract: Verfahren, aufweisend: – Bilden einer ersten Metallschicht (28) auf einer mindestens ersten Isolatorschicht (24), die ein darunter liegendes erstes Opfermaterial (18) bedeckt, das auf einem Substrat (10) gebildet wurde; – Bilden einer zweiten Isolatorschicht (30) auf der ersten Metallschicht (28); – Bilden einer zweiten Metallschicht (32) auf der zweiten Isolatorschicht (30); – Bilden einer dritten Isolatorschicht (34) auf der zweiten Metallschicht (32); – Bilden einer Maske (36) auf der dritten Isolatorschicht (34) zum Schutz von Teilen der dritten Isolatorschicht (34), der zweiten Metallschicht (32), der zweiten Isolatorschicht (30), der ersten Isolatorschicht (24) und der ersten Metallschicht (28), wobei eine Öffnung (38) in der Maske teilweise das darunter liegende erste Opfermaterial (18) überlappt; – Entfernen freiliegender Teile der ersten Isolatorschicht (24), der zweiten Isolatorschicht (30), der dritten Isolatorschicht (34), der ersten Metallschicht (28) und der zweiten Metallschicht (32) in einem einzigen Entfernungsprozess zum Bilden einer Balkenstruktur (45), umfassend verbleibende Bereiche der ersten Isolatorschicht (24), der zweiten Isolatorschicht (30), der dritten Isolatorschicht (34), der ersten Metallschicht (28) und der zweiten Metallschicht (32), und zum Freilegen des überlappten Teils des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18); – Bilden eines zweiten Opfermaterials (44) über der Balkenstruktur (45) und in Kontakt mit dem freiliegenden Teil des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18); – Bereitstellen einer Decklage (46) auf dem zweiten Opfermaterial (44); und – Austreiben des zweiten Opfermaterials (44) und des darunter liegenden ersten Opfermaterials (18) durch die Decklage (46), um eine obere (50a) und untere (50b) Kammer mit einer diese verbindenden Durchkontaktierung (50c) um die Balkenstruktur (45) zu bilden.

公开(公告)号：DE112011103400T5

公开(公告)日：2013-08-22

申请号：DE112011103400

申请日：2011-09-13

Applicant: IBM

Inventor： MIGA DANIEL R ,  MOON MATTHEW D ,  HE ZHONG-XIANG ,  VANSLETTE DANIEL S ,  WHITE ERIC J ,  DEMUYNCK DAVID A

IPC: H01L21/28

Abstract: Die Offenbarung betrifft allgemein integrierte Schaltungen (ICs), IC-Verbindungen und Verfahren zur Herstellung derselben und insbesondere Hochleistungsinduktoren. Die IC (10) weist mindestens einen Graben (20) innerhalb einer Dielektrikumsschicht (25) auf, die auf einem Substrat (30) angeordnet ist. Der Graben wird formangepasst mit einer Auskleidungs- und Keimschicht (35) beschichtet und weist eine Verbindung (40) darin auf. Die Verbindung weist eine Hartmaske (45) auf den Seitenwänden der Verbindung auf.

公开(公告)号：DE102012221818A1

公开(公告)日：2013-06-20

申请号：DE102012221818

申请日：2012-11-29

Applicant: IBM

Inventor： CZABAJ BRAIN M ,  DEMUYNCK DAVID A ,  STAMPER ANTHONY K

IPC: B81C1/00 ,  B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  H01H11/00

Abstract: Strukturen, Herstellungsverfahren und Entwurfsstrukturen mikroelektromechanischer Systeme (MEMS) werden offenbart. Das Verfahren beinhaltet ein Aufschichten von Metall- und Isolatormaterialien auf einem Opfermaterial, das auf einem Substrat gebildet wird. Das Verfahren beinhaltet ferner das Maskieren der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden einer Öffnung in der Maskierung, die das Opfermaterial überlappt. Das Verfahren beinhaltet ferner Ätzen der geschichteten Metall- und Isolatormaterialien in einem einzigen Ätzprozess zum Bilden der Balkenstruktur, so dass die Kanten des geschichteten Metall- und Isolatormaterials aneinander ausgerichtet sind. Das Verfahren beinhaltet ferner Bilden eines Hohlraums um die Balkenstruktur durch ein Austreiben.