公开(公告)号：DE112012003083T5

公开(公告)日：2014-07-17

申请号：DE112012003083

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  BJOERK MIKAEL T ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN

IPC: H01L29/66 ,  H01L29/423

Abstract: Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Tunnel-Feldeffekttransistor (1), der Folgendes aufweist: mindestens einen Source-Bereich (2), der ein entsprechendes Source-Halbleitermaterial aufweist; mindestens einen Drain-Bereich (3), der ein entsprechendes Drain-Halbleitermaterial aufweist, und mindestens einen Kanalbereich (4), der ein entsprechendes Kanalhalbleitermaterial aufweist, das zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Drain-Bereich (3) angeordnet ist, wobei der Tunnel-Feldeffekttransistor (1) weiterhin aufweist: mindestens eine Source-Kanal-Gate-Elektrode (5), die auf mindestens einer Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird; mindestens einen Isolator (5''), der der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) entspricht und der zwischen der Source-Kanal-Gate-Elektrode (5) und mindestens der Grenzfläche (5') zwischen dem Source-Bereich (2) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird, mindestens eine Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6), die auf mindestens einer Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird und mindestens einen Isolator (6''), der der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) entspricht und der zwischen der Drain-Kanal-Gate-Elektrode (6) und mindestens der Grenzfläche (6') zwischen dem Drain-Bereich (3) und dem Kanalbereich (4) bereitgestellt wird.

公开(公告)号：GB2506558A

公开(公告)日：2014-04-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: The present invention relates to a tunnel field-effect transistor (1) comprising: at least a source region (2) comprising a corresponding source semiconductor material; at least a drain region (3) comprising a corresponding drain semiconductor material, and at least a channel region (4) comprising a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region (2) and the drain region(3), the tunnel field-effect transistor (1)further comprising: at least a source-channel gate electrode (5) provided on at least an interface (5') between the source region (2) and the channel region (4); at least an insulator (5") corresponding to the source-channel gate electrode (5) that is provided between the source-channel gate electrode (5) and at least the interface (5') between the source region (2) and the channel region (4), at least a drain-channel gate electrode (6) provided on at least an interface(6') between the drain region (3) and the channel region(4), and at least an insulator(6") corresponding to the drain-channel gate electrode (6) that is provided between the drain-channel gate electrode (6) and at least the interface (6) between the drain region (3) and the channel region(4).

公开(公告)号：DE112016005363T5

公开(公告)日：2018-08-16

申请号：DE112016005363

申请日：2016-12-19

Applicant: IBM

Inventor： ABEL FRANCOIS ,  CLAUBERG ROLF ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  SAGMEISTER PATRICIA ,  SCHMATZ MARTIN LEO

IPC: G06F3/00

Abstract: Ein von einem Computer umgesetztes Verfahren enthält ein Verwalten von Funktionsaufrufen zwischen einer Mehrzahl von Knoten und einem übergeordneten Knoten eines Rack-Systems mit einem verteilten Betriebssystem (OS). Das Betriebssystem enthält eine Mehrzahl von Funktionen, die in mindestens eine erste Klasse und eine zweite Klasse unterteilt sind, und jeder der Mehrzahl von Knoten schließt Funktionen in der zweiten Klasse aus. Das Verwalten der Funktionsaufrufe enthält ein Erfassen eines Aufrufs an eine erste Funktion auf einem ersten Knoten der Mehrzahl von Knoten. Es wird bestimmt, dass die erste Funktion zu der zweiten Klasse von Funktionen gehört und auf dem ersten Knoten nicht zur Verfügung steht. Der Aufruf an die erste Funktion wird zu dem übergeordneten Knoten weitergeleitet in Reaktion auf das Bestimmen, dass die erste Funktion zu der zweiten Klasse gehört, wobei der übergeordnete Knoten Code für die Funktionen in der zweiten Klasse enthält.

公开(公告)号：GB2506558B

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：GB201400564

申请日：2012-06-19

Applicant: IBM

Inventor： MOSELUND KIRSTEN EMILIE ,  STANLEY-MARBELL PHILLIP ,  DOERING ANDREAS CHRISTIAN ,  BJOERK MIKAEL T

IPC: H01L29/739

Abstract: A tunnel field-effect transistor including at least: a source region including a corresponding source semiconductor material; a drain region including a corresponding drain semiconductor material, and a channel region including a corresponding channel semiconductor material, which is arranged between the source region and the drain region. The tunnel field-effect transistor further includes at least: a source-channel gate electrode provided on an interface between the source region and the channel region; an insulator corresponding to the source-channel gate electrode that is provided between the source-channel gate electrode and the interface between the source region and the channel region; a drain-channel gate electrode provided on an interface between the drain region and the channel region; and an insulator corresponding to the drain-channel gate electrode that is provided between the drain-channel gate electrode and the interface between the drain region and the channel region.