公开(公告)号：DE112012003188T5

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE112012003188

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： BHOOVARAGHAN BHAVANA ,  KINSER EMILY ,  SAROOP SUDESH ,  FAROOG MUKTA

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: Eine Leckstrom-Messstruktur für Substratdurchkontaktierungen, die ein Halbleitersubstrat; eine Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen in dem Halbleitersubstrat, die sich erheblich durch das Halbleitersubstrat erstrecken; und eine Leckstrom-Messstruktur beinhaltet, die sich in dem Halbleitersubstrat befindet. Die Leckstrom-Messstruktur beinhaltet eine Vielzahl von Substratkontakten, die sich in das Halbleitersubstrat erstrecken; eine Vielzahl von Erfassungsschaltungen, die mit der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen und mit der Vielzahl von Substratkontakten verbunden sind, wobei die Vielzahl von Erfassungsschaltungen eine Vielzahl von Ausgaben bereitstellen, die auf einen Leckstrom aus der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen hindeuten; eine (BIST-)Maschine für einen integrierten Selbsttest, um schrittweise eine Prüfung der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen durchzuführen; und einen Speicher, der mit der BIST-Maschine verbunden ist, um die Ausgaben von der Vielzahl von Erfassungsschaltungen zu empfangen. Außerdem ist ein Verfahren zum Prüfen eines Halbleitersubstrats enthalten.