公开(公告)号：WO2013040285A3

公开(公告)日：2013-05-10

申请号：PCT/US2012055276

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM ,  BHOOVARAGHAN BHAVANA ,  FAROOQ MUKTA G ,  KINSER EMILY ,  SAROOP SUDESH

Inventor： BHOOVARAGHAN BHAVANA ,  FAROOQ MUKTA G ,  KINSER EMILY ,  SAROOP SUDESH

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L22/34 ,  H01L23/481 ,  H01L23/58 ,  H01L25/0657 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A leakage measurement structure for through substrate vias which includes a semiconductor substrate; a plurality of through substrate vias in the semiconductor substrate extending substantially through the semiconductor substrate; and a leakage measurement structure located in the semiconductor substrate. The leakage measurement structure includes a plurality of substrate contacts extending into the semiconductor substrate; a plurality of sensing circuits connected to the plurality of through substrate vias and to the plurality of the substrate contacts, the plurality of sensing circuits providing a plurality of outputs indicative of current leakage from the plurality of through substrate vias; a built-in self test (BIST) engine to step through testing of the plurality of through substrate vias; and a memory coupled to the BIST engine to receive the outputs from the plurality of sensing circuits. Also included is a method of testing a semiconductor substrate.

Abstract translation: 一种用于通过衬底通孔的泄漏测量结构，其包括半导体衬底; 半导体衬底中的多个穿过衬底通孔，其基本上延伸穿过半导体衬底; 以及位于半导体衬底中的泄漏测量结构。 泄漏测量结构包括延伸到半导体衬底中的多个衬底触点; 多个感测电路，连接到多个通过衬底通孔和多个衬底触点，所述多个感测电路提供指示来自多个通过衬底通孔的电流泄漏的多个输出; 一个内置的自检（BIST）引擎，逐步测试多个通过基板通孔; 以及耦合到BIST引擎以接收来自多个感测电路的输出的存储器。 还包括测试半导体衬底的方法。

公开(公告)号：DE112018000133T5

公开(公告)日：2019-07-04

申请号：DE112018000133

申请日：2018-01-23

Applicant: IBM

Inventor： KINSER EMILY

IPC: H01L21/02

Abstract: Es sind Verfahren zum Ausbilden einer Elektrodenstruktur vorgesehen, die als Biosensor verwendet werden kann, wobei die Elektrodenstruktur eine nicht-zufällige Topographie aufweist, die sich auf einer Oberfläche einer Elektrodenbasis befindet. In einigen Ausführungsformen wird eine Elektrodenstruktur erhalten, die keine Grenzfläche zwischen der nicht-zufälligen Topographie der Elektrodenstruktur und der Elektrodenbasis der Elektrodenstruktur enthält. In weiteren Ausführungsformen werden Elektrodenstrukturen erhalten, die eine Grenzfläche zwischen der nicht-zufälligen Topographie der Elektrodenstruktur und der Elektrodenbasis der Elektrodenstruktur aufweisen.

公开(公告)号：DE112012003188B4

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE112012003188

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： BHOOVARAGHAN BHAVANA ,  FAROOQ MUKTA G ,  KINSER EMILY ,  SAROOP SUDESH

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52 ,  H01L23/544 ,  H01L27/12

Abstract: Leckstrom-Messstruktur (200) für Durchkontaktierungen, die aufweist:ein Halbleitersubstrat (402), das eine aktive Schicht aufweist;eine Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen (212A-E; 302; 412) in dem Halbleitersubstrat, die sich erheblich durch das Halbleitersubstrat erstrecken; undeine Leckstrom-Messstruktur, die sich in der aktiven Schicht des Halbleitersubstrats befindet, die aufweist:eine Vielzahl von Substratkontakten (214A-E; 306; 414), die sich in das Halbleitersubstrat erstrecken;eine Vielzahl von Erfassungsschaltungen, die mit der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen (216A-E; 300; 416) und mit der Vielzahl von Substratkontakten verbunden sind, wobei die Vielzahl von Erfassungsschaltungen eine Vielzahl von Ausgaben (310) bereitstellen, die auf einen Leckstrom aus der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen hindeuten;eine BIST-Maschine (222) für einen integrierten Selbsttest, um schrittweise eine Prüfung der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen durchzuführen; undeinen Speicher (218), der mit der BIST-Maschine verbunden ist, um die Ausgaben von der Vielzahl von Erfassungsschaltungen zu empfangen,wobei die Leckstrom-Messstruktur auf einen Leckstrom aus jeder der Substratdurchkontaktierungen in das Halbleitersubstrat und einen Leckstrom aus jeder der Substratdurchkontaktierungen in eine weitere Substratdurchkontaktierung prüft.

公开(公告)号：DE112018000133B4

公开(公告)日：2022-03-24

申请号：DE112018000133

申请日：2018-01-23

Applicant: IBM

Inventor： KINSER EMILY

IPC: G01N27/327 ,  G01N33/483 ,  G01N33/49

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Elektrodenstruktur (22S, 22P), das Verfahren aufweisend:Bereitstellen einer Form (10S) mit einer Struktur, die sowohl eine Elektrodenbasisform (15) als auch eine Nanotopographieform (19) aufweist;Ausbilden einer metallischen Keimschicht (20) auf freiliegenden Oberflächen der Form (10S), die die Elektrodenbasisform (15) und die Nanotopographieform (19) aufweist;Elektroabscheiden eines leitfähigen metallhaltigen Materials (22) auf der metallischen Keimschicht (20) und in der Form (10S), um eine Elektrodenstruktur (22S, 22P) bereitzustellen, die das leitfähige metallhaltige Material (22) aufweist unddie Elektrodenbasisform (15) und die Nanotopographieform (19) aufweist; Entfernen der Form (10S) von der Elektrodenstruktur (22S, 22P); undAnbringen eines Bio-Funktionalisierungsmaterials (24) an der Elektrodenstruktur (22S, 22P).

公开(公告)号：DE112012003188T5

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：DE112012003188

申请日：2012-09-14

Applicant: IBM

Inventor： BHOOVARAGHAN BHAVANA ,  KINSER EMILY ,  SAROOP SUDESH ,  FAROOG MUKTA

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

Abstract: Eine Leckstrom-Messstruktur für Substratdurchkontaktierungen, die ein Halbleitersubstrat; eine Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen in dem Halbleitersubstrat, die sich erheblich durch das Halbleitersubstrat erstrecken; und eine Leckstrom-Messstruktur beinhaltet, die sich in dem Halbleitersubstrat befindet. Die Leckstrom-Messstruktur beinhaltet eine Vielzahl von Substratkontakten, die sich in das Halbleitersubstrat erstrecken; eine Vielzahl von Erfassungsschaltungen, die mit der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen und mit der Vielzahl von Substratkontakten verbunden sind, wobei die Vielzahl von Erfassungsschaltungen eine Vielzahl von Ausgaben bereitstellen, die auf einen Leckstrom aus der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen hindeuten; eine (BIST-)Maschine für einen integrierten Selbsttest, um schrittweise eine Prüfung der Vielzahl von Substratdurchkontaktierungen durchzuführen; und einen Speicher, der mit der BIST-Maschine verbunden ist, um die Ausgaben von der Vielzahl von Erfassungsschaltungen zu empfangen. Außerdem ist ein Verfahren zum Prüfen eines Halbleitersubstrats enthalten.