公开(公告)号：WO2011056374A3

公开(公告)日：2011-07-28

申请号：PCT/US2010052594

申请日：2010-10-14

Applicant: IBM ,  VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA G ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

Inventor： VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA G ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

IPC: H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A through-silicon via (TSV) structure forming a unique coaxial or triaxial interconnect within the silicon substrate 40. The TSV structure is provided with two or more independent electrical conductors 50, 60 insulated from another and from the substrate. The electrical conductors can be connected to different voltages or ground, making it possible to operate the TSV structure as a coaxial or triaxial device. Multiple layers using various insulator materials can be used as insulator, wherein the layers are selected based on dielectric properties, fill properties, interfacial adhesion, CTE match, and the like. The TSV structure overcomes defects in the outer insulation layer that may lead to leakage. A method of fabricating such a TSV structure is also described.

Abstract translation: 在硅衬底40内形成独特的同轴或三轴互连的贯通硅通孔（TSV）结构.TSV结构设置有两个或更多个独立的电导体50,60，与其彼此绝缘并与衬底绝缘。 电导体可以连接到不同的电压或接地，使得可以将TSV结构作为同轴或三轴装置进行操作。 使用各种绝缘材料的多层可用作绝缘体，其中根据介电性能，填充性能，界面粘合性，CTE匹配等来选择层。 TSV结构克服了外绝缘层中可能导致泄漏的缺陷。 还描述了制造这种TSV结构的方法。

公开(公告)号：DE112010004204T5

公开(公告)日：2012-08-30

申请号：DE112010004204

申请日：2010-10-14

Applicant: IBM

Inventor： VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

IPC: H01L21/768

Abstract: Eine Silizium-Durchkontaktierungs(TSV)-Struktur, die eine einzige koaxiale oder triaxiale Kopplung innerhalb des Siliziumsubstrats 40 bildet. Die TSV-Struktur wird mit zwei oder mehr unabhängigen elektrischen Leitern 50, 80 bereitgestellt, die voneinander und von dem Substrat isoliert sind. Die elektrischen Leiter können mit unterschiedlichen Spannungen oder Massen verbunden werden, wodurch es möglich ist, die TSV-Struktur als eine koaxiale oder triaxiale Vorrichtung zu betreiben. Mehrere Schichten unter Verwendung verschiedener Materialien können als Isolator verwendet werden, wobei die Schichten bezogen auf dielektrische Eigenschaften, Füll-Eigenschaften, Grenzflächenhaftung, CTE-Übereinstimmung und dergleichen ausgewählt werden. Die TSV-Struktur überwindet Mängel in der äußeren Isolierschicht, die zu Leckstellen führen können. Ein Verfahren zur Herstellung einer solchen TSV-Struktur wird ebenfalls beschrieben.

公开(公告)号：GB2487154A

公开(公告)日：2012-07-11

申请号：GB201206104

申请日：2010-10-14

Applicant: IBM

Inventor： VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA G ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50

Abstract: A through-silicon via (TSV) structure forming a unique coaxial or triaxial interconnect within the silicon substrate 40. The TSV structure is provided with two or more independent electrical conductors 50, 60 insulated from another and from the substrate. The electrical conductors can be connected to different voltages or ground, making it possible to operate the TSV structure as a coaxial or triaxial device. Multiple layers using various insulator materials can be used as insulator, wherein the layers are selected based on dielectric properties, fill properties, interfacial adhesion, CTE match, and the like. The TSV structure overcomes defects in the outer insulation layer that may lead to leakage. A method of fabricating such a TSV structure is also described.

公开(公告)号：DE112010004204B4

公开(公告)日：2019-04-04

申请号：DE112010004204

申请日：2010-10-14

Applicant: IBM

Inventor： VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: Eine integrierte Schaltungs-Silizium-Durchkontaktierungs-Struktur umfassend:ein Substrat 40 versehen mit wenigstens einem ringförmigen Kontaktloch, welches einen zentralen Pfosten 40a des gleichen Materials wie besagtes Substrat 40 beinhaltet, undkoaxiale, isolierte, leitfähige Leitungen 50, die sich in dem ringförmigen Kontaktloch über die Länge des ringförmigen Kontaktlochs erstrecken und sich von einer oberen Oberfläche des besagten Substrats bis zu einer unteren Oberfläche 200 erstrecken, wobei die leitfähigen Leitungen 50 voneinander und von dem besagten Substrat 40 isoliert sind, wobei die besagten leitfähigen Leitungen 50 jeweils einen elektrischen Kontakt mit Verbindungskabeln herstellen.

公开(公告)号：GB2487154B

公开(公告)日：2014-02-05

申请号：GB201206104

申请日：2010-10-14

Applicant: IBM

Inventor： VOLANT RICHARD P ,  FAROOQ MUKTA G ,  FINDEIS PAUL F ,  PETRARCA KEVIN S

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L23/50