公开(公告)号：WO2011154208A3

公开(公告)日：2012-06-07

申请号：PCT/EP2011057478

申请日：2011-05-10

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  SHAO XIAOYAN ,  FULLER NICHOLAS ,  PAPA RAO SATYAVOLU SRINIVAS ,  FISHER KATHRYN CLARE ,  HEDRICK JEFFREY

Inventor： SHAO XIAOYAN ,  FULLER NICHOLAS ,  PAPA RAO SATYAVOLU SRINIVAS ,  FISHER KATHRYN CLARE ,  HEDRICK JEFFREY

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/068

CPC classification number: H01L31/1804 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: The present invention provides a method of forming a back side surface field of a solar cell without utilizing screen printing. The method includes first forming a p-type dopant layer directly on the back side surface of a semiconductor substrate wherein said substrate includes a p/n junction, utilizing an electrodeposition method. The p/n junction is defined as the interface that is formed between an n-type semiconductor portion of the substrate and an underlying p-type semiconductor portion of the substrate. The plated structure is then annealed to from a P++ back side surface field layer directly on the back side surface of the semiconductor substrate, Optionally, a metallic film can be electrodeposited on an exposed surface of the P++ back side surface layer.

Abstract translation: 本发明提供一种在不使用丝网印刷的情况下形成太阳能电池的背面表面场的方法。 该方法包括首先在半导体衬底的背面形成p型掺杂剂层，其中所述衬底包括p / n结，利用电沉积法。 p / n结被定义为在衬底的n型半导体部分和衬底的下面的p型半导体部分之间形成的界面。 然后将电镀结构从直接在半导体衬底的背面表面上的P ++背面表面场层退火。可选地，金属膜可以电沉积在P ++背面层的露出表面上。

公开(公告)号：WO2010020578A4

公开(公告)日：2010-04-15

申请号：PCT/EP2009060484

申请日：2009-08-13

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  BABICH KATHERINA ,  CHANG JOSEPHINE ,  FULLER NICHOLAS ,  GUILLORN MICHAEL ,  LAUER ISAAC ,  ROOKS MICHAEL

Inventor： BABICH KATHERINA ,  CHANG JOSEPHINE ,  FULLER NICHOLAS ,  GUILLORN MICHAEL ,  LAUER ISAAC ,  ROOKS MICHAEL

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/76816 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: A method for fabricating a transistor having self-aligned borderless electrical contacts is disclosed. A gate stack (102, 103) is formed on a silicon region (104). An off-set spacer (112, 114) is formed surrounding the gate stack. A sacrificial layer (222) that includes a carbon-based film is deposited overlying the silicon region, the gate stack, and the off-set spacer. A pattern (326) is defined in the sacrificial layer to define a contact area for the electrical contact. The pattern exposes at least a portion of the gate stack and source/drain. A dielectric layer (530) is deposited overlying the sacrificial layer that has been patterned and the portion of the gate stack that has been exposed. The sacrificial layer that has been patterned is selectively removed to define the contact area at the height that has been defined. The contact area for the height that has been defined is metalized to form the electrical contact.

Abstract translation: 公开了一种用于制造具有自对准无边界电触点的晶体管的方法。 栅极堆叠（102,103）形成在硅区域（104）上。 偏置间隔物（112,114）围绕栅极叠层形成。 包括基于碳的膜的牺牲层（222）被沉积为覆盖硅区域，栅极叠层和偏移间隔物。 图案（326）被限定在牺牲层中以限定用于电接触的接触区域。 该图案暴露出栅极叠层和源极/漏极的至少一部分。 沉积介电层（530），覆盖已经被图案化的牺牲层和已经暴露的栅极叠层的部分。 已经被图案化的牺牲层被选择性地去除以限定在已经限定的高度处的接触区域。 已经定义的高度的接触区域被金属化以形成电接触。

公开(公告)号：DE112018000266T5

公开(公告)日：2019-09-12

申请号：DE112018000266

申请日：2018-03-22

Applicant: IBM

Inventor： KUDVA PRABHAKAR ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  FULLER NICHOLAS

IPC: G06K7/10

Abstract: Es werden Techniken, die Blockchain-Ledger mit Spektralsignaturen von Materialien für die Integritätsverwaltung einer Lieferkette ermöglichen, bereitgestellt. In einem Beispiel weist ein auf einem Computer implementiertes Verfahren ein Validieren von Spektralsignaturdaten auf, die einem Material zugehörig sind, durch eine Einheit, die funktionsmäßig mit einem Prozessor verbunden ist, was zu validierten Spektralsignaturdaten führt, sowie ein Erzeugen eines Informationssatzes durch die Einheit, der einer Transaktion des Materials in einer dem Material zugehörigen Blockchain entspricht, wobei sich der Informationssatz auf die validierten Spektralsignaturdaten bezieht. In einigen Ausführungsformen weist das auf einem Computer implementierte Verfahren weiterhin Prüfen auf Berechtigung einer Erstteilnehmereinheit durch die Einheit auf, die einem ersten Teilnehmer an der Transaktion zugehörig ist, sowie einer Zweitteilnehmereinheit, die einem zweiten Teilnehmer an der Transaktion zugehörig ist, und ein Beinhalten von Identitäten des ersten Teilnehmers und des zweiten Teilnehmers, die von den jeweiligen Teilnehmereinheiten im Informationssatz angegeben werden.