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    Semiconductor structure with improved bonding interface on carbon-based material, method for forming the same, and electronic device
    1.
    发明专利
    Semiconductor structure with improved bonding interface on carbon-based material, method for forming the same, and electronic device 审中-公开
    具有改进的基于碳的材料的接合界面的半导体结构，其形成方法和电子器件

    公开(公告)号：JP2011211175A

    公开(公告)日：2011-10-20

    申请号：JP2011044902

    申请日：2011-03-02

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： NGUYEN SON VAN ,  GRILL ALFRED ,  GATES STEPHEN M ,  VO TUAN ANH ,  DIMITRAKOPOULOS CHRISTOS ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  DAMON B FARMER

    IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/1606 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7831

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor structure and electronic device, formed in high density, and having smaller structural dimensions and a more exact shape.SOLUTION: Semiconductor structures and electronic devices include at least one layer of an interfacial dielectric material located on an upper surface of a carbon-based material. The at least one layer of interfacial dielectric material has a short-range crystallographic bonding structure, typically hexagonal, that is the same as that of the carbon-based material and, as such, the at least one layer of interfacial dielectric material does not change the electronic structure of the carbon-based material. The presence of the at least one layer of interfacial dielectric material having the same short-range crystallographic bonding structure as that of the carbon-based material improves the interfacial bonding between the carbon-based material and any overlying material layer, including a dielectric material, a conductive material or a combination of a dielectric material and a conductive material. The improved interfacial bonding in turn facilitates formation of devices including a carbon-based material.

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种形成为高密度且具有较小结构尺寸和更精确形状的半导体结构和电子器件。解决方案：半导体结构和电子器件包括至少一层界面介电材料，位于 碳基材料的上表面。 所述至少一层界面介电材料具有与碳基材料相同的短程结晶结合结构，通常是六边形，因此至少一层界面介电材料不会改变 碳基材料的电子结构。 具有与碳基材料相同的短程结晶结合结构的至少一层界面介电材料的存在改善了碳基材料和任何覆盖材料层（包括介电材料）之间的界面结合， 导电材料或介电材料和导电材料的组合。 改进的界面结合又有助于形成包括碳基材料的装置。

    Verbindungsstruktur aus strukturierbarem Low-k-Dielektrikum mit Gradienten-Deckschichtund Herstellungsverfahren
    2.
    发明专利
    Verbindungsstruktur aus strukturierbarem Low-k-Dielektrikum mit Gradienten-Deckschichtund Herstellungsverfahren 未知

    公开(公告)号：DE112010003844T5

    公开(公告)日：2012-09-06

    申请号：DE112010003844

    申请日：2010-08-23

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN QINGHUANG ,  NEUMAYER DEBORAH ANN

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/027

    Abstract: Es wird eine Verbindungsstruktur bereitgestellt, welche mindestens ein strukturiertes und gehärtetes Low-k-Material (18', 22') umfasst, das auf einer Fläche einer strukturierten Gradienten-Deckschicht (14) angeordnet ist. Das mindestens eine gehärtete und strukturierte Low-k-Material und die strukturierte Gradienten-Deckschicht weisen jeweils darin eingebettete leitfähig gefüllte Bereiche (26) auf. Bei dem strukturierten und gehärteten Low-k-Material handelt es sich um ein gehärtetes Produkt eines funktionalisierten Polymers, Copolymers oder Gemisches, welches mindestens zwei einer beliebigen Kombination von Polymeren und/oder Copolymeren mit einer oder mehreren säureempfindlichen abbildbaren Gruppen umfasst, und die Gradienten-Deckschicht einen unteren Bereich, der als Barrierebereich fungiert, und einen oberen Bereich umfasst, welcher Antireflexeigenschaften einer permanenten Antireflexbeschichtung aufweist.

    Blockchain-Ledger mit Spektralsignaturen von Materialien für die Integritätsverwaltung einer Lieferkette
    3.
    发明专利
    Blockchain-Ledger mit Spektralsignaturen von Materialien für die Integritätsverwaltung einer Lieferkette 未知

    公开(公告)号：DE112018000266T5

    公开(公告)日：2019-09-12

    申请号：DE112018000266

    申请日：2018-03-22

    Applicant: IBM

    Inventor： KUDVA PRABHAKAR ,  NEUMAYER DEBORAH ANN ,  FULLER NICHOLAS

    IPC: G06K7/10

    Abstract: Es werden Techniken, die Blockchain-Ledger mit Spektralsignaturen von Materialien für die Integritätsverwaltung einer Lieferkette ermöglichen, bereitgestellt. In einem Beispiel weist ein auf einem Computer implementiertes Verfahren ein Validieren von Spektralsignaturdaten auf, die einem Material zugehörig sind, durch eine Einheit, die funktionsmäßig mit einem Prozessor verbunden ist, was zu validierten Spektralsignaturdaten führt, sowie ein Erzeugen eines Informationssatzes durch die Einheit, der einer Transaktion des Materials in einer dem Material zugehörigen Blockchain entspricht, wobei sich der Informationssatz auf die validierten Spektralsignaturdaten bezieht. In einigen Ausführungsformen weist das auf einem Computer implementierte Verfahren weiterhin Prüfen auf Berechtigung einer Erstteilnehmereinheit durch die Einheit auf, die einem ersten Teilnehmer an der Transaktion zugehörig ist, sowie einer Zweitteilnehmereinheit, die einem zweiten Teilnehmer an der Transaktion zugehörig ist, und ein Beinhalten von Identitäten des ersten Teilnehmers und des zweiten Teilnehmers, die von den jeweiligen Teilnehmereinheiten im Informationssatz angegeben werden.

    Patternable low-K dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication
    6.
    发明专利
    Patternable low-K dielectric interconnect structure with a graded cap layer and method of fabrication 未知

    公开(公告)号：GB2486078B

    公开(公告)日：2014-05-07

    申请号：GB201200146

    申请日：2010-08-23

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN QINGHUANG ,  NEUMAYER DEBORAH ANN

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

    Abstract: An interconnect structure is provided that includes at least one patterned and cured low-k material located on a surface of a patterned graded cap layer. The at least one cured and patterned low-k material and the patterned graded cap layer each have conductively filled regions embedded therein. The patterned and cured low-k material is a cured product of a functionalized polymer, copolymer, or a blend including at least two of any combination of polymers and/or copolymers having one or more acid-sensitive imageable groups, and the graded cap layer includes a lower region that functions as a barrier region and an upper region that has antireflective properties of a permanent antireflective coating.

    PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT STRUCTURE WITH A GRADED CAP LAYER AND METHOD OF FABRICATION
    7.
    发明专利
    PATTERNABLE LOW-K DIELECTRIC INTERCONNECT STRUCTURE WITH A GRADED CAP LAYER AND METHOD OF FABRICATION 未知

    公开(公告)号：GB2486078A

    公开(公告)日：2012-06-06

    申请号：GB201200146

    申请日：2010-08-23

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN QINGHUANG ,  NEUMAYER DEBORAH ANN

    IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312

    Abstract: An interconnect structure is provided that includes at least one patterned and cured low-k material (18', 22') located on a surface of a patterned graded cap layer (14). The at least one cured and patterned low-k material and the patterned graded cap layer each have conductively filled regions (26) embedded therein. The patterned and cured low-k material is a cured product of a functionalized polymer, copolymer, or a blend including at -least two of any combination of polymers and/or copolymers having one or more acid-sensitive imageable groups, and the graded cap layer includes a lower region that functions as a barrier region and an upper region that has antireflective properties of a permanent antireflective coating.

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