公开(公告)号：DE112021005857B4

公开(公告)日：2025-04-17

申请号：DE112021005857

申请日：2021-10-20

Applicant: IBM

Inventor： MILLER ERIC ,  FROUGIER JULIEN ,  MIGNOT YANN ,  GREENE ANDREW M

IPC: H10D84/83 ,  H10D30/01 ,  H10D30/47 ,  H10D30/60

Abstract: Halbleiterstruktur (140), die aufweist:ein Halbleitersubstrat (24) mit einem ersten aktiven Bereich (24A) und einem zweiten aktiven Bereich (24A);einen flachen Grabenisolationsbereich (26) zwischen dem ersten aktiven Bereich und dem zweiten aktiven Bereich;eine Mehrzahl Gate-Strukturen (28) auf dem ersten aktiven Bereich und auf dem zweiten aktiven Bereich;einen ersten Feldeffekttransistor auf dem ersten aktiven Bereich, wobei der erste Feldeffekttransistor eine der Gate-Strukturen auf dem ersten aktiven Bereich, einen Kanalbereich (21) und ein Paar epitaxial aufgebrachter Source/Drain-Bereiche (32P; 32N) auf entgegengesetzten Seiten des Kanalbereichs aufweist, wobei jeder epitaxial aufgebrachte Source/Drain-Bereich zwischen einem Paar der Gate-Strukturen auf dem ersten aktiven Bereich liegt;eine umhüllende erste Metallsilicid-Ummantelung, die an jeden epitaxial aufgebrachten Source/Drain-Bereich des ersten Feldeffekttransistor angrenzt;eine dielektrische Schicht (52), die sich auf dem Halbleitersubstrat und dem ersten Feldeffekttransistor erstreckt;erste Teile einer metallischen Ummantelung (46), die jeweils an jede erste Metallsilicid-Ummantelung angrenzen, wobei jeder erste Teil der metallischen Ummantelung aufweist:einen sich vertikal erstreckenden Teil (46B), der zwischen einem Paar der Gate-Strukturen auf dem ersten aktiven Bereich liegt und sich auf den Source/Drain-Bereichen erstreckt; undeinen sich horizontal erstreckenden Teil (46A) unter den Source/Drain-Bereichen des ersten Feldeffekttransistors, der zwischen dem flachen Grabenisolationsbereich und der dielektrischen Schicht liegt, wobei sich der sich horizontal erstreckende Teil jedes Teils der metallischen Ummantelung seitlich über einen der Source/Drain-Bereiche des ersten Feldeffekttransistors hinaus erstreckt;wobei die Halbleiterstruktur ferner enthält:einen zweiten Feldeffekttransistor auf dem zweiten aktiven Bereich, wobei der zweite Feldeffekttransistor eine der Gate-Strukturen auf dem zweiten aktiven Bereich, einen Kanalbereich und ein Paar epitaxial aufgebrachter Source/Drain-Bereich auf entgegengesetzten Seiten des Kanalbereichs aufweist, wobei jeder epitaxial aufgebrachte Source/Drain-Bereich zwischen einem Paar der Gate-Strukturen liegt und sich die dielektrische Schicht auf dem zweiten Feldeffekttransistor erstreckt;eine umhüllende zweite Metallsilicid-Ummantelung, die an jeden epitaxial aufgebrachten Source/Drain-Bereich des zweiten Feldeffekttransistors angrenzt;zweite Teile einer metallischen Ummantelung, die jeweils an jede zweite Metallsilicid-Ummantelung angrenzen, wobei jeder zweite Teil der metallischen Ummantelung aufweist:einen sich vertikal erstreckenden Teil, der zwischen einem Paar der Gate-Strukturen auf dem zweiten aktiven Bereich liegt und sich auf den Source-/Drain-Bereichen des zweiten Feldeffekttransistors erstreckt, wobei sich die Gate-Strukturen auf dem zweiten aktiven Bereich vertikal auf dem sich vertikal erstreckenden Teil erstrecken; undeinen sich horizontal erstreckenden Teil unter den Source/Drain-Bereichen des zweiten Feldeffekttransistors, der zwischen dem flachen Grabenisolationsbereich und der dielektrischen Schicht liegt, wobei sich der sich horizontal erstreckende Teil jedes Teils der metallischen Ummantelung seitlich über einen der Source/Drain-Bereiche des zweiten Feldeffekttransistors hinaus erstreckt;wobei die Halbleiterstruktur ferner enthält:eine Mehrzahl sich vertikal erstreckender Gräben (54) innerhalb der dielektrischen Schicht; und Kontaktmetall (56) innerhalb der Gräben, das an den Metallsilicid-Ummantelungen anliegt, die an den epitaxial aufgebrachten Source/Drain-Bereichen des ersten und des zweiten Feldeffekttransistors anliegen.