公开(公告)号：DE112012004187T5

公开(公告)日：2014-06-26

申请号：DE112012004187

申请日：2012-05-29

Applicant: IBM

Inventor： RAGHUNATHAN SUDHARSHANAN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA K ,  JUNG RYAN O ,  GABOR ALLEN H ,  BURNS SEAN D ,  MCLELLAN ERIN CATHERINE

IPC: H01L21/027

Abstract: Eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung stellt ein Verfahren zum Bilden einer Halbleitereinheit mit mehreren kritischen Abmessungen in einem Prozess für einen Transfer von Abbildungen von Seitenwänden bereit. Das Verfahren beinhaltet ein Bilden einer dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus über einer Vielzahl von Mandrells, wobei die dielektrische Schicht mit mehreren Niveaus eine Vielzahl von Bereichen aufweist, welche die Vielzahl von Mandrells bedecken, wobei die Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus unterschiedliche Dicken aufweist; ein Ätzen der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus zu Abstandshaltern, indem ein gerichteter Ätzprozess angewendet wird, wobei die Abstandshalter unmittelbar neben Seitenwänden der Vielzahl von Mandrells gebildet werden und unterschiedliche Breiten aufweisen, die mit den unterschiedlichen Dicken der Vielzahl von Bereichen der dielektrischen Schicht mit mehreren Niveaus korrespondieren; ein Entfernen der Vielzahl von Mandrells zwischen den Abstandshaltern; sowie ein Transferieren von Abbildungen der Unterseiten der Abstandshalter in eine oder mehrere Schichten unterhalb der Abstandshalter.

公开(公告)号：GB2508758B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：GB201404138

申请日：2012-05-29

Applicant: IBM

Inventor： RAGHUNATHAN SUDHARSHANAN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA ,  JUNG RYAN O ,  GABOR ALLEN H ,  BURNS SEAN D ,  MCLELLAN ERIN CATHERINE

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/311

Abstract: Embodiment of the present invention provides a method of forming a semiconductor device in a sidewall image transfer process with multiple critical dimensions. The method includes forming a multi-level dielectric layer over a plurality of mandrels, the multi-level dielectric layer having a plurality of regions covering the plurality of mandrels, the plurality of regions of the multi-level dielectric layer having different thicknesses; etching the plurality of regions of the multi-level dielectric layer into spacers by applying a directional etching process, the spacers being formed next to sidewalls of the plurality of mandrels and having different widths corresponding to the different thicknesses of the plurality of regions of the multi-level dielectric layer; removing the plurality of mandrels in-between the spacers; and transferring bottom images of the spacers into one or more layers underneath the spacers.

公开(公告)号：GB2508758A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：GB201404138

申请日：2012-05-29

Applicant: IBM

Inventor： RAGHUNATHAN SUDHARSHANAN ,  KANAKASABAPATHY SIVANANDA ,  JUNG RYAN O ,  GABOR ALLEN H ,  BURNS SEAN D ,  MCLELLAN ERIN CATHERINE

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/311

Abstract: Embodiment of the present invention provides a method of forming a semiconductor device in a sidewall image transfer process with multiple critical dimensions. The method includes forming a multi-level dielectric layer over a plurality of mandrels, the multi-level dielectric layer having a plurality of regions covering the plurality of mandrels, the plurality of regions of the multi-level dielectric layer having different thicknesses; etching the plurality of regions of the multi-level dielectric layer into spacers by applying a directional etching process, the spacers being formed next to sidewalls of the plurality of mandrels and having different widths corresponding to the different thicknesses of the plurality of regions of the multi-level dielectric layer; removing the plurality of mandrels in- between the spacers; and transferring bottom images of the spacers into one or more layers underneath the spacers.