公开(公告)号：DE102021125854A1

公开(公告)日：2022-05-25

申请号：DE102021125854

申请日：2021-10-05

Applicant: IBM

Inventor： KERSTING BENEDIKT ,  SYED GHAZI SARWAT ,  JONNALAGADDA VARA SUDANANDA PRASAD ,  LE-GALLO-BOURDEAU MANUEL ,  SEBASTIAN ABU ,  PHILIP TIMOTHY MATHEW

IPC: H01L45/00 ,  G11C13/00 ,  G11C16/02

Abstract: Es wird eine Speichereinheit bereitgestellt, die einen Zustand mit einer reduzierten minimalen Konduktanz ermöglicht. Die Einheit weist eine erste Elektrode, eine zweite Elektrode und ein Phasenänderungsmaterial zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode auf, wobei das Phasenänderungsmaterial in Abhängigkeit von dem Verhältnis zwischen einer kristallinen und einer amorphen Phase des Phasenänderungsmaterials eine Mehrzahl von Leitfähigkeitszuständen ermöglicht. Die Speichereinheit weist zusätzlich einen Projektionsschichtbereich in einer Region zwischen der ersten Elektrode und der zweiten Elektrode auf. Dadurch ist ein Gebiet, das in einem Reset-Zustand der Speichereinheit direkt mit dem Phasenänderungsmaterial in der amorphen Phase bedeckt ist, größer als ein Gebiet des Projektionsschichtbereichs, das zu dem Phasenänderungsmaterial hin orientiert ist, so dass eine Diskontinuität in den Konduktanz-Zuständen der Speichereinheit erzeugt wird und ein Zustand der Speichereinheit mit einer reduzierten minimalen Konduktanz in einem Reset-Zustand ermöglicht wird.

公开(公告)号：DE112018003783T5

公开(公告)日：2020-04-23

申请号：DE112018003783

申请日：2018-09-13

Applicant: IBM ,  RWTH AACHEN

Inventor： KOELMANS WABE ,  SEBASTIAN ABU ,  JONNALAGADDA VARA ,  SALINGA MARTIN ,  KERSTING BENEDIKT

IPC: G11C11/56 ,  H10B99/00

Abstract: Die Erfindung betrifft insbesondere eine resistive Arbeitsspeichereinheit, die eine Steuereinheit zum Steuern der resistiven Arbeitsspeichereinheit und eine Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen aufweist. Die Mehrzahl von Arbeitsspeicherzellen enthält einen ersten Anschluss, einen zweiten Anschluss und ein Phasenänderungssegment, das ein Phasenänderungsmaterial zum Speichern von Informationen in einer Mehrzahl von Widerstandszuständen aufweist. Das Phasenänderungssegment ist zwischen dem ersten Anschluss und dem zweiten Anschluss angeordnet. Das Phasenänderungsmaterial besteht aus Antimon. Ferner ist mindestens eine der Abmessungen des Phasenänderungssegments kleiner als 15 Nanometer. Weitere Umsetzungen der resistiven Arbeitsspeichereinheit umfassen ein zugehöriges Verfahren, eine zugehörige Steuereinheit, eine zugehörige Arbeitsspeicherzelle und ein dazugehöriges Computerprogrammprodukt.