公开(公告)号：DE112020004654T5

公开(公告)日：2022-06-15

申请号：DE112020004654

申请日：2020-10-27

Applicant: IBM

Inventor： KIM YOUNGSEOK ,  OK INJO ,  REZNICEK ALEXANDER ,  SEO SOON-CHEON

IPC: H01L45/00 ,  H01L27/24

Abstract: Es wird eine NVM-Einheit mit einer niedrigen Bildungsspannung bereitgestellt, indem ein Paar von leitenden Opfer-Kontaktstellen auf einer Zwischenverbindungsschicht aus einem dielektrischen Material bereitgestellt wird, die ein Paar von zweiten elektrisch leitenden Strukturen und einen strukturierten Materialstapel einbettet. Die eine der leitenden Opfer-Kontaktstellen weist eine erste Fläche auf und befindet sich in Kontakt mit einer oberen Fläche der einen der zweiten elektrisch leitenden Strukturen, die sich in Kontakt mit einer oberen Fläche einer darunterliegenden ersten elektrisch leitenden Struktur befindet, und die andere der leitenden Opfer-Kontaktstellen weist eine zweite Fläche auf, die sich von der ersten Fläche unterscheidet, und befindet sich in Kontakt mit einer Oberfläche der anderen der zweiten elektrisch leitenden Strukturen, die sich in Kontakt mit einer oberen Fläche einer oberen Elektrode des strukturierten Materialstapels befindet. Es wird eine Plasmabehandlung durchgeführt, um einen Antenneneffekt zu induzieren und ein dielektrisches Wechselmaterial des strukturierten Materialstapels in ein leitendes Filament umzuwandeln. Nach der Plasmabehandlung wird das Paar von leitenden Opfer-Kontaktstellen entfernt.