公开(公告)号：DE112017000170B4

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：DE112017000170

申请日：2017-01-06

Applicant: IBM

Inventor： BAO RUQIANG ,  KRISHNAN SIDDARTH ,  KWON UNOH ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Gate-Stapels einer Halbleiter-Einheit, wobei das Verfahren aufweist:Bilden einer ersten dielektrischen Schicht (302) über einem Kanalbereich der Einheit;Bilden einer ersten Nitrid-Schicht (802) über der ersten dielektrischen Schicht (302);Abscheiden einer Einfangschicht (902) auf der ersten Nitrid-Schicht (802), wobei die Einfangschicht (902) ein Sauerstoff-Einfangmaterial beinhaltet;Bilden einer Abdeckschicht (602) über der Einfangschicht (902);Entfernen von Bereichen der Abdeckschicht (602) und der Einfangschicht (902), um einen Bereich der ersten Nitrid-Schicht (802) in einem Feldeffekttransistor-Bereich vom n-Typ (108) des Gate-Stapels freizulegen;Bilden einer ersten Gate-Metall-Schicht (502) über der ersten Nitrid-Schicht (802) und der Abdeckschicht (602), wobei die erste Gate-Metall-Schicht (502) ein Sauerstoff-Einfangmaterial beinhaltet;Abscheiden einer zweiten Nitrid-Schicht auf der ersten Gate-Metall-Schicht;Abscheiden eines Gate-Elektroden-Materials auf der zweiten Nitrid-Schicht; undAusbilden eines Gate-Stapels in dem Feldeffekttransistor-Bereich vom n-Typ (108) und eines anderen Gate-Stapels in einem Feldeffekttransistor-Bereich vom p-Typ (110) wobei der Gate-Stapel aus der ersten dielektrischen Schicht (302), der ersten Nitrid-Schicht (802), der ersten Gate-Metall-Schicht (502), der zweiten Nitrid-Schicht und des Gate-Elektroden-Materials ausgebildet wird und der andere Gate-Stapel aus der ersten dielektrischen Schicht (302), der ersten Nitrid-Schicht (802), der Einfangschicht (902), der Abdeckschicht (602), der ersten Gate-Metall-Schicht (502), der zweiten Nitrid-Schicht und des Gate-Elektroden-Materials ausgebildet wird, wobei der Gate-Stapel eine höhere Sauerstoffeinfangfähigkeit als der andere Gate-Stapel aufweist.

公开(公告)号：DE112017000170T5

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE112017000170

申请日：2017-01-06

Applicant: IBM

Inventor： BAO RUQIANG ,  KRISHNAN SIDDARTH ,  KWON UNOH ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L21/3205 ,  H01L21/28 ,  H01L21/4763 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/49 ,  H01L29/66

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Gate-Stapels einer Halbleitereinheit weist Folgendes auf: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht über einem Kanalbereich der Einheit, Bilden einer ersten Nitrid-Schicht über der ersten dielektrischen Schicht, Abscheiden einer Einfangschicht auf der ersten Nitrid-Schicht, Bilden einer Abdeckschicht über der Einfangschicht, Entfernen von Bereichen der Abdeckschicht und der Einfangschicht, um einen Bereich der ersten Nitrid-Schicht in einem Feldeffekttransistor-Bereich vom n-Typ (einem n-FET-Bereich) des Gate-Stapels freizulegen, Bilden einer ersten Gate-Metall-Schicht über der ersten Nitrid-Schicht und der Abdeckschicht, Abscheiden einer zweiten Nitrid-Schicht auf der ersten Gate-Metall-Schicht sowie Abscheiden eines Gate-Elektroden-Materials auf der zweiten Nitrid-Schicht.

公开(公告)号：DE112017000171T5

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE112017000171

申请日：2017-01-06

Applicant: IBM

Inventor： BAO RUQIANG ,  KRISHNAN SIDDARTH ,  KWON UNOH ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L29/49 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Gate-Stapels einer Halbleitereinheit weist Folgendes auf: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht über einem Kanalbereich der Einheit, Bilden einer Barrierenschicht über der ersten dielektrischen Schicht, Bilden einer ersten Gate-Metall-Schicht über der Barrierenschicht, Bilden einer Abdeckschicht über der ersten Gate-Metall-Schicht, Entfernen von Bereichen der Barrierenschicht, der ersten Gate-Metall-Schicht und der Abdeckschicht, um einen Bereich der ersten dielektrischen Schicht in einem Feldeffekttransistor-Bereich vom p-Typ (einem p-FET-Bereich) des Gate-Stapels freizulegen, Abscheiden einer ersten Nitridschicht auf freigelegten Bereichen der Abdeckschicht und der ersten dielektrischen Schicht, Abscheiden einer Einfangschicht auf der ersten Nitrid-Schicht, Abscheiden einer zweiten Nitrid-Schicht auf der Einfangschicht sowie Abscheiden eines Gate-Elektroden-Materials auf der zweiten Nitrid-Schicht.

公开(公告)号：DE112016004645T5

公开(公告)日：2018-06-28

申请号：DE112016004645

申请日：2016-11-22

Applicant: IBM

Inventor： BAO RUQIANG ,  KRISHNAN SIDDARTH ,  KWON UNOH ,  NARAYANAN VIJAY

IPC: H01L29/00 ,  H01L21/28

Abstract: Ein Verfahren zum Herstellen eines Gate-Stapels einer Halbleitereinheit weist Folgendes auf: Bilden einer ersten dielektrischen Schicht über einem Kanalbereich der Einheit, Bilden einer ersten Nitrid-Schicht über der ersten dielektrischen Schicht, Bilden einer ersten Gate-Metall-Schicht über der ersten Nitrid-Schicht, Bilden einer Abdeckschicht über der ersten Gate-Metall-Schicht, Entfernen von Bereichen der Abdeckschicht und der ersten Gate-Metall-Schicht, um einen Bereich der ersten Nitrid-Schicht in einem Feldeffekttransistor-Bereich vom p-Typ (einem p-FET-Bereich) des Gate-Stapels freizulegen, Abscheiden einer Einfangschicht auf der ersten Nitrid-Schicht und der Abdeckschicht, Abscheiden einer zweiten Nitrid-Schicht auf der Einfangschicht sowie Abscheiden eines Gate-Elektroden-Materials auf der zweiten Nitrid-Schicht.