公开(公告)号：DE112017002600B4

公开(公告)日：2022-11-10

申请号：DE112017002600

申请日：2017-06-01

Applicant: IBM

Inventor： VENIGALLA RAJASEKHAR ,  VEGA REINALDO ARIEL ,  MALLELA HARI

IPC: H01L21/8234

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer Halbleitereinheit, wobei das Verfahren aufweist:Ausbilden eines ersten Source-/Drain-Bereichs (802) und eines zweiten Source-/Drain-Bereichs (1002) auf einem Halbleitersubstrat (102);Ausbilden eines ersten Kanalbereichs und eines zweiten Kanalbereichs auf dem Substrat (102);Ausbilden eines unteren Abstandselements (1302, 1602) auf dem ersten Source-/Drain-Bereich (802) und dem zweiten Source-/Drain-Bereich (1002);Ausbilden eines ersten Gate-Stapels über Seitenwänden des ersten Kanalbereichs (1502a) und eines zweiten Gate-Stapels über Seitenwänden des zweiten Kanalbereichs (1502b);Ausbilden einer Gate-Leiterschicht (1902) über freiliegenden Abschnitten des unteren Abstandselements (1602) und um den ersten Gate-Stapel und den zweiten Gate-Stapel herum;Entfernen eines Abschnitts der Gate-Leiterschicht (1902) angrenzend an den ersten Gate-Stapel;Entfernen eines Abschnitts der Gate-Leiterschicht (1902) angrenzend an den zweiten Gate-Stapel, sodass der Gate-Leiter (1902) eine erste Dicke angrenzend an den ersten Gate-Stapel und eine zweite Dicke angrenzend an den zweiten Gate-Stapel aufweist, wobei die erste Dicke geringer als die zweite Dicke ist;Entfernen von Abschnitten des ersten Gate-Stapels und des zweiten Gate-Stapels so, dass Abschnitte des ersten Kanalbereichs und des zweiten Kanalbereichs freigelegt werden;Ausbilden eines Opferabstandselements (2302) über freiliegenden Abschnitten des ersten Kanalbereichs und des zweiten Kanalbereichs;Entfernen freiliegender Abschnitte der Gate-Leiterschicht so, dass Abschnitte des unteren Abstandselements (1602) freigelegt werden;Abscheiden eines oberen Abstandselements (2702) über dem ersten Gate-Stapel und dem zweiten Gate-Stapel;Entfernen freiliegender Abschnitte des ersten Kanalbereichs (1502a) so, dass ein Hohlraum in dem oberen Abstandselement (2702) ausgebildet wird; undAusbilden eines dritten Source-/Drain-Bereichs (3002, 3104) in dem Hohlraum in dem oberen Abstandselement und einer dielektrischen Zwischenebenenschicht (2802).

公开(公告)号：DE112017002600T5

公开(公告)日：2019-04-25

申请号：DE112017002600

申请日：2017-06-01

Applicant: IBM

Inventor： VENIGALLA RAJASEKHAR ,  VEGA REINALDO ARIEL ,  MALLELA HARI

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Halbleitereinheit weist einen ersten Source-/Drain-Bereich (802), der auf einem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, einen zweiten Source-/Drain-Bereich (1002), der auf dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, ein unteres Abstandselement (1602), das auf dem ersten Source-/Drain-Bereich (802) angeordnet ist, und ein unteres Abstandselement (1602) auf, das auf dem zweiten Source-/Drain-Bereich (1002) angeordnet ist. Ein erster Gate-Stapel (2602a) mit einer ersten Länge (L1) ist auf dem ersten Source-/Drain-Bereich (802) angeordnet. Ein zweiter Gate-Stapel (2602b) mit einer zweiten Länge (L2) ist auf dem zweiten Source-/Drain-Bereich (1002) angeordnet, wobei die erste Länge (L1) kürzer als die zweite Länge (L2) ist. Ein oberes Abstandselement (2702) ist auf dem ersten Gate-Stapel (2602a) angeordnet, und ein oberes Abstandselement (2702) ist auf dem zweiten Gate-Stapel (2702b) angeordnet.