公开(公告)号：DE112021000239T5

公开(公告)日：2022-09-08

申请号：DE112021000239

申请日：2021-01-12

Applicant: IBM

Inventor： MANISCALCO JOSEPH ,  MOTOYAMA KOICHI ,  VAN DER STRATEN OSCAR ,  DEVRIES SCOTT ,  REZNICEK ALEXANDER

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/532

Abstract: Eine Verbindungsstruktur und ein Verfahren zum Bilden selbiger umfasst Bilden einer Aussparung innerhalb einer Dielektrikumsschicht und formangepasstes Abscheiden einer Barriereschicht innerhalb der Aussparung. Über der Barriereschicht wird eine Rutheniumauskleidung mit Kobaltinfusion gebildet, wobei die Kobalt enthaltende Rutheniumauskleidung durch Stapeln einer zweiten Auskleidung über eine erste Auskleidung gebildet wird, wobei die erste Auskleidung über der Barriereschicht positioniert ist. Die erste Auskleidung umfasst Ruthenium, während die zweite Auskleidung Kobalt umfasst. Kobaltatome migrieren aus der zweiten Auskleidung in die erste Auskleidung, wodurch die Rutheniumauskleidung mit Kobaltinfusion gebildet wird. Über der Rutheniumauskleidung mit Kobaltinfusion wird ein leitfähiges Material abgeschieden, um die Aussparung zu füllen, gefolgt von einer Abdeckungsschicht, die aus Kobalt hergestellt wird.