公开(公告)号：DE112010002791T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010002791

申请日：2010-06-17

Applicant: IBM

Inventor： ABOU-KHALI MICHEL J ,  LEE TOM ,  LI JUNJUN ,  GAUTHIER ROBERT J JR ,  CHRISTOPHER S PUTNAM ,  MITRA SOUVIK

IPC: H01L23/525 ,  H01L21/768 ,  H01L27/02 ,  H01L27/112

Abstract: Es werden Ausführungsarten eines Schaltkreises zum Programmieren/Umprogrammieren einer elektronischen Sicherung beschrieben. Bei einer Ausführungsart weist die elektronische Sicherung (150) zwei kurze Leiterschichten (110, 130) mit hohem Atomdiffusionswiderstand auf, die an entgegengesetzten Seiten (121, 122) und am selben Ende (123) einer langen Leiterschicht mit niedrigem Atomdiffusionswiderstand (120) angeordnet sind. Eine Spannungsquelle (170) wird verwendet, um die Polarität und wahlweise die Höhe der an die Anschlussklemmen (erste Anschlussklemme = 170/161/110; zweite Anschlussklemme = 170/162/130; dritte Anschlussklemme = 170/163/zugewandtes Ende 123 der Leiterschicht 120; und vierte Anschlussklemme = 170/164/abgewandtes Ende 124 der Leiterschicht 120) zu ändern, um den bidirektionalen Elektronenfluss innerhalb der langen Leiterschicht und dadurch die Bildung von Leitungsunterbrechungen und/oder Kurzschlüssen an den Grenzflächen (125, 126) zwischen den langen Leiterschichten und den kurzen Leiterschichten zu steuern. Die Bildung solcher Leitungsunterbrechungen und/oder Kurzschlüsse kann zum Erzeugen verschiedener Programmierzustände (11, 01, 10, 00) verwendet werden. Andere Ausführungsarten der Schaltkreisstruktur beinhalten elektronische Sicherungen (650) mit zusätzlichen Leiterschichten und zusätzlichen Anschlussklemmen, um eine größere Anzahl von Programmierzuständen zu ermöglichen. Ferner werden auch zugehörige Verfahren zum Programmieren und Umprogrammieren einer elektronischen Sicherung beschrieben.