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公开(公告)号：WO2012151007A3
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：PCT/US2012029881
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM , ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
IPC: G11C11/00
CPC classification number: G11C11/161 , G11C11/1675
Abstract: A mechanism is provided for bidirectional writing. A structure includes a reference layer on top of a tunnel barrier, a free layer underneath the tunnel barrier, a metal spacer underneath the free layer, an insulating magnet underneath the metal spacer, and a high resistance layer underneath the insulating layer. The high resistance layer acts as a heater in which the heater heats the insulating magnet to generate spin polarized electrons. A magnetization of the free layer is destabilized by the spin polarized electrons generated from the insulating magnet. A voltage is applied to change the magnetization of the free layer when the magnetization is destabilized. A polarity of the voltage determines when the magnetization of the free layer is parallel and antiparallel to a magnetization of the reference layer.
Abstract translation: 提供了双向写入的机制。 结构包括在隧道势垒顶部的参考层，隧道势垒下的自由层，自由层下的金属隔离物，金属间隔物下方的绝缘磁体，以及绝缘层下方的高电阻层。 高电阻层用作加热器，其中加热器加热绝缘磁体以产生自旋极化电子。 自由层的磁化由绝缘磁体产生的自旋极化电子不稳定。 当磁化不稳定时，施加电压以改变自由层的磁化。 电压的极性决定了自由层的磁化何时平行并与参考层的磁化反平行。
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公开(公告)号：DE112012001965T5
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：DE112012001965
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
IPC: H01L29/82
Abstract: Es wird eine Vorrichtung für ein bidirektionales Schreiben bereitgestellt. Ein Stapel beinhaltet eine Referenzschicht auf einer Tunnelbarriere, die Tunnelbarriere auf einer freien Schicht und die freie Schicht auf einem Abstandshalter aus Metall. Die Vorrichtung beinhaltet einen isolierenden Magneten. Ein Peltier-Material ist mit dem isolierenden Magneten und dem Stapel thermisch gekoppelt. Wenn die Grenzfläche zwischen Peltier und isolierendem Magneten abgekühlt wird, ist der isolierende Magnet so konfiguriert, dass er ein Spin-Drehmoment überträgt, um eine Magnetisierung der freien Schicht in eine erste Richtung zu drehen. Wenn die Grenzfläche zwischen Peltier und dem isolierenden Magneten erwärmt wird, ist der isolierende Magnet so konfiguriert, dass er das Spin-Drehmoment überträgt, um die Magnetisierung der freien Schicht in eine zweite Richtung zu drehen.
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公开(公告)号：GB2504437A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：GB201320420
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：DE112012001962B4
公开(公告)日：2015-05-21
申请号：DE112012001962
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: Verfahren für ein bidirektionales Beschreiben einer magnetischen Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff (MRAM-Einheit), die eine Referenzschicht, eine Tunnelbarriere angrenzend an die Referenzschicht, eine freie Schicht angrenzend an die Tunnelbarriere, einen Metallabstandshalter angrenzend an die freie Schicht, einen isolierenden Magneten angrenzend an den Metallabstandshalter und eine Metallerwärmungsvorrichtung angrenzend an den isolierenden Magneten aufweist, wobei das Verfahren aufweist: Bewirken, dass der isolierende Magnet in Reaktion auf einen thermischen Gradienten spin-polarisierte Elektronen erzeugt; Initiieren einer Destabilisierung einer Magnetisierung der freien Schicht durch die von dem isolierenden Magneten erzeugten spin-polarisierten Elektronen; und Anlegen einer Spannung an die MRAM-Einheit nach dem Initiieren der Destabilisierung, um die Magnetisierung der freien Schicht zu wählen; wobei eine Polarität der Spannung bestimmt, ob die Magnetisierung der freien Schicht parallel oder antiparallel zu einer Magnetisierung der Referenzschicht ist.
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公开(公告)号：GB2504435A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：GB201320115
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
Abstract: A mechanism is provided for bidirectional writing. A structure includes a reference layer on top of a tunnel barrier, a free layer underneath the tunnel barrier, a metal spacer underneath the free layer, an insulating magnet underneath the metal spacer, and a high resistance layer underneath the insulating layer. The high resistance layer acts as a heater in which the heater heats the insulating magnet to generate spin polarized electrons. A magnetization of the free layer is destabilized by the spin polarized electrons generated from the insulating magnet. A voltage is applied to change the magnetization of the free layer when the magnetization is destabilized. A polarity of the voltage determines when the magnetization of the free layer is parallel and antiparallel to a magnetization of the reference layer.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：DE112012001965B4
公开(公告)日：2018-10-04
申请号：DE112012001965
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: Magnetoresistive Speichereinheit mit wahlfreiem Zugriff (MRAM-Einheit), die aufweist:einen magnetischen Stapel, der eine Referenzschicht angrenzend an eine Tunnelbarriere, die Tunnelbarriere angrenzend an eine freie Schicht und die freie Schicht angrenzend an einen Abstandshalter aus Metall aufweist; undeinen isolierenden Magneten, der zwischen dem magnetischen Stapel und einem Peltier-Material angeordnet ist;das Peltier-Material, das mit dem isolierenden Magneten und dem magnetischen Stapel thermisch gekoppelt ist;wobei ein Abkühlen einer Grenzfläche zwischen dem Peltier-Material und dem isolierenden Magneten bewirkt, dass der isolierende Magnet ein Spin-Drehmoment überträgt, um eine Magnetisierung der freien Schicht in eine erste Richtung zu drehen; undwobei ein Erwärmen der Grenzfläche zwischen dem Peltier-Material und dem isolierenden Magneten bewirkt, dass der isolierende Magnet das Spin-Drehmoment überträgt, um die Magnetisierung der freien Schicht in eine zweite Richtung zu drehen.
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公开(公告)号：GB2504437B
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：GB201320420
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：CA2843407A1
公开(公告)日：2012-11-08
申请号：CA2843407
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
IPC: H01L29/82
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：CA2843407C
公开(公告)日：2019-05-07
申请号：CA2843407
申请日：2012-04-03
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N
Abstract: An apparatus is provided for bidirectional writing. A stack includes a reference layer on a tunnel barrier, the tunnel barrier on a free layer, and the free layer on a metal spacer. The apparatus includes an insulating magnet. A Peltier material is thermally coupled to the insulating magnet and the stack. When the Peltier/insulating magnet interface is cooled, the insulating magnet is configured to transfer a spin torque to rotate a magnetization of the free layer in a first direction. When the Peltier/insulating magnet interface is heated, the insulating magnet is configured to transfer the spin torque to rotate the magnetization of the free layer in a second direction.
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公开(公告)号：GB2504435B
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：GB201320115
申请日：2012-03-21
Applicant: IBM
Inventor： ABRAHAM DAVID W , MOJUMDER NILADRI N , WORLEDGE DANIEL C
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