公开(公告)号：DE102016209540A1

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：DE102016209540

申请日：2016-06-01

Applicant: IBM

Inventor： BRACERAS GEORGE M ,  BRINGIVIJAYARAGHAVAN VENKATRAGHAVAN ,  RENGARAJAN KRISHNAN S ,  NAYAK RAHUL

IPC: G11C11/413

Abstract: Vorgehensweisen zum Bereitstellen eines Schreibunterstützungs-Boost für eine Matrix eines statischen Direktzugriffsspeichers (SRAM) werden bereitgestellt. Eine Schaltung enthält einen Schreibtreiber einer Matrix eines statischen Direktzugriffsspeichers (SRAM). Die Schaltung beinhaltet des Weiteren eine Boost-Schaltung, die eine Schreibunterstützungs-Boost-Spannung auf der Grundlage einer Stabilitätsunterstützungseinstellung dynamisch variiert, welche auf eine Wortleitung der Matrix angewendet wird.

公开(公告)号：DE102016209540B4

公开(公告)日：2020-06-18

申请号：DE102016209540

申请日：2016-06-01

Applicant: IBM

Inventor： BRACERAS GEORGE M ,  BRINGIVIJAYARAGHAVAN VENKATRAGHAVAN ,  RENGARAJAN KRISHNAN S ,  NAYAK RAHUL

IPC: G11C11/413 ,  G11C8/08

Abstract: Schaltung (400), die aufweist:- einen Schreibtreiber (410) einer Matrix eines statischen Direktzugriffsspeichers (SRAM); und- eine Boost-Schaltung (500; 600), die eine Schreibunterstützungs-Boost-Spannung (431 - 434) auf der Grundlage einer Stabilitätsunterstützungseinstellung, angewendet auf eine Wortleitung (134) der Matrix, dynamisch variiert,- wobei die auf die Wortleitung angewendete Stabilitätsunterstützungseinstellung eine Stabilitätsunterstützungseinstellung von einer Mehrzahl von Stabilitätsunterstützungseinstellungen ist, die von einer Stabilitätsunterstützungsschaltung (415) definiert werden, welche in einem Wortleitungstreiber (405) der Matrix enthalten ist, wobei jede Stabilitätsunterstützungseinstellung jeweils einen Spannungsverringerungswert aufweist, der eine Verringerung einer Wortleitungsspannung (421-424) der Wortleitung gegenüber eines Versorgungsspannungswerts (VCS) vorgibt,- wobei zu jeder Stabilitätsunterstützungseinstellung von der Mehrzahl der Stabilitätsunterstützungseinstellungen ein unterschiedlicher Wert der Schreibunterstützungs-Boost-Spannung gehört, wobei für jede der Stabilitätsunterstützungseinstellungen eine Differenz zwischen der Wortleitungsspannung und der Schreibunterstützungs-Boost-Spannung im Wesentlichen gleich ist.