公开(公告)号：DE112010004307T5

公开(公告)日：2012-11-22

申请号：DE112010004307

申请日：2010-11-03

Applicant: IBM

Inventor： OUYANG QIGING CHRISTINE ,  YAU JENG-BANG ,  DENNARD ROBERT HEATH

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: Eine Halbleiterwaferstruktur für integrierte Schaltungseinheiten beinhaltet ein Vollsubstrat; eine auf dem Vollsubstrat ausgebildete untere Isolationsschicht; eine auf der unteren Isolationsschicht ausgebildete elektrisch leitende Rückgate-Schicht; eine auf der Rückgate-Schicht ausgebildete obere Isolationsschicht; und eine auf der oberen Isolationsschicht ausgebildete Halbleiter-auf-Isolator-Hybridschicht, wobei die Halbleiter-auf-Isolator-Hybridschicht einen ersten Abschnitt, der eine erste Kristallorientierung aufweist, und einen zweiten Abschnitt umfasst, der eine zweite Kristallorientierung aufweist.