中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

23 records (took 0.018 seconds)

    Fet radiation monitor
    2.
    发明专利
    Fet radiation monitor 有权
    FET辐射监测器

    公开(公告)号：JP2011185933A

    公开(公告)日：2011-09-22

    申请号：JP2011047471

    申请日：2011-03-04

    Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

    Inventor： MICHAEL S GORDON ,  KOESTER STEVEN JOHN ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

    IPC: G01T1/24 ,  H01L31/09

    CPC classification number: H01L31/119

    Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method for radiation monitoring that obtains real time information concerning the amount of radiation.
    SOLUTION: A semiconductor device includes: a semiconductor substrate; a buried insulator layer disposed on the semiconductor substrate, the buried insulator layer configured to retain an amount of charge in a plurality of charge traps in response to a radiation exposure by the semiconductor device; a semiconductor layer disposed on the buried insulating layer; a second insulator layer disposed on the semiconductor layer; a gate conducting layer disposed on the second insulator layer; and one or more side contacts electrically connected to the semiconductor layer. The method for radiation monitoring includes: applying a backgate voltage to a radiation monitor, the radiation monitor comprising a field effect transistor (FET); exposing the radiation monitor to radiation; determining a change in a threshold voltage of the radiation monitor; and determining an amount of radiation exposure based on the change in threshold voltage.
    COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种获得关于辐射量的实时信息的辐射监测方法。 解决方案：半导体器件包括：半导体衬底; 设置在所述半导体衬底上的掩埋绝缘体层，所述掩埋绝缘体层被配置为响应于所述半导体器件的辐射暴露而将多个电荷量保持在多个电荷阱中; 设置在所述掩埋绝缘层上的半导体层; 设置在所述半导体层上的第二绝缘体层; 设置在所述第二绝缘体层上的栅极导电层; 以及与半导体层电连接的一个或多个侧触点。 用于辐射监测的方法包括：将背栅电压施加到辐射监测器，所述辐射监测器包括场效应晶体管（FET）; 将辐射监测仪暴露于辐射; 确定辐射监测器的阈值电压的变化; 以及基于阈值电压的变化确定辐射暴露量。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

    BIOSENSOR ZUM NACHWEISEN VON ZWEIERLEI OBERFLÄCHENLADUNGEN
    3.
    发明专利
    BIOSENSOR ZUM NACHWEISEN VON ZWEIERLEI OBERFLÄCHENLADUNGEN 未知

    公开(公告)号：DE112020000931T5

    公开(公告)日：2021-11-04

    申请号：DE112020000931

    申请日：2020-04-06

    Applicant: IBM

    Inventor： REZNICEK ALEXANDER ,  YAU JENG-BANG ,  HEKMATSHOARTABARI BAHMANN

    IPC: G01N27/26 ,  G01N27/414 ,  G01N33/483 ,  H01L29/73

    Abstract: Ein Biosensor enthält ein massives Silicium-Substrat und einen auf mindestens einem Teil des Substrats gebildeten vertikalen Transistor mit bipolarem Übergang (BJT). Der BJT enthält einen Emitter-Bereich, einen Kollektor-Bereich und einen epitaxial aufgewachsenen eigenleitenden Basis-Bereich zwischen dem Emitter-Bereich und dem Kollektor-Bereich. Ferner enthält der Biosensor eine auf mindestens einem Teil von zwei vertikalen Oberflächen des eigenleitenden Basis-Bereichs des BJT gebildete Sensorstruktur. Die Sensorstruktur enthält eine Kanal-Graben-Öffnung, die den eigenleitenden Basis-Bereich auf einer ersten und/oder einer zweiten einander gegenüberliegenden Seite freilegt, und mindestens eine in der Kanal/Graben-Öffnung gebildete dielektrische Schicht, die mit mindestens einem Teil des eigenleitenden Basis-Bereichs in Kontakt steht, wobei dielektrische Schicht in der Lage ist, auf Ladungen in biologischen Molekülen anzusprechen.

    Verfahren zum Ersetzen von Halbleitermaterial durch Metall bei der Herstellung von Chips mit integrierten Schaltungen
    4.
    发明专利
    Verfahren zum Ersetzen von Halbleitermaterial durch Metall bei der Herstellung von Chips mit integrierten Schaltungen 未知

    公开(公告)号：DE102012217336B4

    公开(公告)日：2014-02-13

    申请号：DE102012217336

    申请日：2012-09-25

    Applicant: IBM

    Inventor： CHAN KEVIN K ,  D EMIC CHRISTOPHER ,  KIM YOUNG-HEE ,  PARK DAE-GYU ,  YAU JENG-BANG

    IPC: H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/84 ,  H01L29/49

    Abstract: Verfahren (100) zum Ersetzen von Halbleitermaterial durch Metall, wobei das Verfahren (100) Folgendes aufweist: Bilden einer strukturierten Halbleiterschicht (126) auf einer Dielektrikumsschicht (124); Bilden (106) einer Feld-Dielektrikumsschicht (144; 134, 136, 138) welche den Raum zwischen Formen auf der strukturierten Halbleiterschicht (126) füllt; Aufbringen (110) von Metall (170) auf die Formen (142); und Tempern (112) des Wafers (120), wobei das aufgebrachte Metall (170) in jeder der Formen (142) den Halbleiter ersetzt, wobei es sich bei den Formen um Silicium-Platzhalter und bei dem Metall (170) um Aluminium handelt, und wobei das Aufbringen (110) von Aluminium (170) das Strukturieren einer aufgebrachten Aluminiumschicht (170) in einem Aluminium-Abhebeverfahren aufweist; und das Tempern (112) des Wafers (120) ein Kurzzeittempern für zwei Stunden bei vierhundert Grad Celsius umfasst.

    Strahlungsbeständiger Transistor auf der Grundlage von Graphen und Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zur dessen Herstellung
    6.
    发明专利
    Strahlungsbeständiger Transistor auf der Grundlage von Graphen und Kohlenstoff-Nanoröhren und Verfahren zur dessen Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE112012000467B4

    公开(公告)日：2015-01-08

    申请号：DE112012000467

    申请日：2012-01-10

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

    IPC: H01L51/10 ,  H01L51/30

    Abstract: Verfahren zum Fertigen eines strahlungsfesten Transistors, das die Schritte aufweist: Bereitstellen eines strahlungsfesten Substrats; wobei das Substrat einen Silicium-Wafer aufweist, der mit einem strahlungsfesten Material bedeckt ist; Ausbilden eines Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff auf dem Substrat, wobei ein Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Kanalbereich des Transistors dient und sonstige Abschnitte des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen; Ausbilden von Kontakten an den Abschnitten des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, die als Source- und Drain-Bereiche des Transistors dienen; Abscheiden eines Gate-Dielektrikums über dem Abschnitt des Materials auf der Grundlage von Kohlenstoff, der als Kanalbereich des Transistors dient; Ausbilden eines Top-Gate-Kontakts auf dem Gate-Dielektrikum wobei das strahlungsfeste Material eine Siliciumcarbid-Dünnschicht aufweist, die epitaktisch auf dem Silicium-Wafer aufgewachsen wird; und thermisches Tempern der Siliciumcarbid-Dünnschicht, um eine strahlungsbeständige Siliciumcarbid-Dünnschicht auszubilden.

    Radiation hardened transistors based on graphene and carbon nanotubes
    8.
    发明专利
    Radiation hardened transistors based on graphene and carbon nanotubes 未知

    公开(公告)号：GB2500851A

    公开(公告)日：2013-10-02

    申请号：GB201313089

    申请日：2012-01-10

    Applicant: IBM

    Inventor： LIN YU-MING ,  YAU JENG-BANG

    IPC: H01L29/786

    Abstract: Graphene- and/or carbon nanotube-based radiation-hard transistor devices and techniques for the fabrication thereof are provided. In one aspect, a method of fabricating a radiation-hard transistor is provided. The method includes the following steps. A radiation-hard substrate is provided. A carbon-based material is formed on the substrate wherein a portion of the carbon-based material serves as a channel region of the transistor and other portions of the carbon-based material serve as source and drain regions of the transistor. Contacts are formed to the portions of the carbon-based material that serve as the source and drain regions of the transistor. A gate dielectric is deposited over the portion of the carbon-based material that serves as the channel region of the transistor. A top-gate contact is formed on the gate dielectric.

    Sensoren, die laterale Komplementär-Bipolartransistoren beinhalten
    10.
    发明专利
    Sensoren, die laterale Komplementär-Bipolartransistoren beinhalten 未知

    公开(公告)号：DE102016218690A1

    公开(公告)日：2017-04-20

    申请号：DE102016218690

    申请日：2016-09-28

    Applicant: IBM

    Inventor： GORDON MICHAEL S ,  NING TAK H ,  RODBELL KENNETH P ,  YAU JENG-BANG

    IPC: H01L27/14 ,  G01T1/24 ,  H01L21/331 ,  H01L27/102 ,  H01L29/735

    Abstract: Ein integrierter Strahlungssensor für ein Erfassen des Vorhandenseins eines Umgebungsmaterials und/oder einer Umgebungsbedingung beinhaltet eine Messstruktur sowie einen ersten und einen zweiten lateralen Bipolartransistor (BJT), die entgegengesetzte Polaritäten aufweisen. Der erste laterale BJT weist eine Basis auf, die mit der Messstruktur elektrisch gekoppelt ist, und ist so konfiguriert, dass er ein Ausgangssignal erzeugt, das indikativ für eine Änderung einer gespeicherten Ladung in der Messstruktur ist. Der zweite laterale BJT ist so konfiguriert, dass er das Ausgangssignal des ersten Bipolartransistors verstärkt. Der erste und der zweite laterale BJT, die Messstruktur sowie das Substrat, auf dem diese ausgebildet sind, weisen eine monolithische Struktur auf.

Patent Agency Ranking