公开(公告)号：WO2008141863A3

公开(公告)日：2009-03-05

申请号：PCT/EP2008054205

申请日：2008-04-08

Applicant: IBM ,  KRAUSE RAINER KLAUS ,  PFEIFFER GERD ,  MUEHGE THORSTEN ,  EICKELMANN HANS-JUERGEN ,  HAAG MICHAEL ,  SCHMIDT MARKUS

Inventor： KRAUSE RAINER KLAUS ,  PFEIFFER GERD ,  MUEHGE THORSTEN ,  EICKELMANN HANS-JUERGEN ,  HAAG MICHAEL ,  SCHMIDT MARKUS

IPC: H01L31/0224 ,  H01L27/142 ,  H01L31/068 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/022441 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/0504 ,  H01L31/0682 ,  H01L31/1804 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: A method of backside contacting of thin layer photovoltaic cells consisting of Si elements as well as thin film cells, like CIGS, is provided, consisting of the following steps: providing a p-n-junction consisting of a thin n-doped Si layer and a thin p-doped Si layer bonded on top of said n-doped Si layer; bonding said p-n-junction to a glass substrate; preparing contact points on said structured thin p-doped Si layer and said thin n-doped Si layer; and creating contact pins on said structured thin p-doped Si layer and said thin n-doped Si layer.

Abstract translation: 提供了由Si元素组成的薄层光伏电池以及诸如CIGS的薄膜电池的背面接触的方法，包括以下步骤：提供由n掺杂的薄Si层和薄的Si层组成的pn结 p掺杂Si层结合在所述n掺杂Si层的顶部; 将所述p-n结键合到玻璃基板上; 在所述结构化的薄p掺杂Si层和所述薄n掺杂Si层上制备接触点; 以及在所述结构化的薄p掺杂Si层和所述薄n掺杂Si层上产生接触引脚。

公开(公告)号：DE3571161D1

公开(公告)日：1989-07-27

申请号：DE3571161

申请日：1985-03-22

Applicant: IBM DEUTSCHLAND ,  IBM

Inventor： MORITZ HOLGER ,  PFEIFFER GERD

IPC: H01L21/027 ,  G03F1/00 ,  G03F1/08 ,  G03F7/023 ,  G03F7/039 ,  G03F7/20 ,  G03F7/40 ,  H01L21/306 ,  G03F7/08 ,  G03F7/26

Abstract: A positive resist containing a weak base and polyvinyl phenol as a film forming component is deposited on a substrate, subsequently exposed imagewise, cured, blanket exposed and developed in a KOH solution at temperatures of less than 10 DEG C. The resist pattern thus obtained is exposed to light having a wavelength ranging from 300 to 320 nm and finally heat-treated at temperatures ranging from 150 DEG to 280 DEG C. The finished lift-off mask is dimensionally stable at temperatures of

公开(公告)号：MX2010008377A

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：MX2010008377

申请日：2009-01-13

Applicant: IBM

Inventor： KRAUSE RAINER KLAUS ,  PFEIFFER GERD ,  EICKELMANN HANS-JUERGEN ,  MUEHGE THORSTEN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05

Abstract: La invención se refiere a un método para fabricar una celda solar de silicio, el método comprende:- proporcionar una placa portadora (100), - aplicar un primer patrón de contactos a la placa portadora (100), el primer patrón de contactos comprende un juego de primeros contactos laminares (104),- aplicar una multitud de rebanadas de silicio (108) al primer patrón de contactos, en donde cada primer contacto laminar del conjunto o juego de primeros contactos laminares (104) está en contacto laminar espacial máximo con dos rebanadas de silicio (108), - aplicar un segundo patrón de contactos a la multitud de rebanadas de silicio (108), en donde el segundo patrón de contactos comprende un juego o conjunto de segundos contactos laminares (200), en donde cada segundo contacto laminar del juego de segundos contactos laminares (200) está en contacto laminar espacial máximo con dos rebanadas de silicio (108).

公开(公告)号：BRPI0905925A2

公开(公告)日：2015-06-23

申请号：BRPI0905925

申请日：2009-01-13

Applicant: IBM

Inventor： KRAUSE RAINER KLAUS ,  PFEIFFER GERD ,  EICKELMANN HANS-JUERGEN ,  MUEHGE THORSTEN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/05