公开(公告)号：DE112010004326B4

公开(公告)日：2017-09-21

申请号：DE112010004326

申请日：2010-11-09

Applicant: IBM

Inventor： MCALLISTER MICHAEL F ,  KIM TAE HONG ,  SPROGIS EDMUND J ,  SAPIRO MICHAEL J

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L27/08

Abstract: Verfahren zum Bilden einer Halbleiterstruktur, wobei das Verfahren ein Bilden eines Kondensators (180) und einer seitlich isolierten leitfähigen durch das Halbleitersubstrat (10) gehende Verbindungsstruktur (182) in einem Halbleitersubstrat (10) aufweist, wobei die seitlich isolierte leitfähige durch das Halbleitersubstrat (10) gehende Verbindungsstruktur (182) durch Folgendes gebildet wird: Bilden einer dielektrischen röhrenförmigen Struktur (20) um einen ersten in dem Halbleitersubstrat (10) ausgebildeten Hohlraum (47) durch das Halbleitersubstrat (10) herum; Füllen eines Hohlraums in der dielektrischen röhrenförmigen Struktur (20) mit einem leitfähigen Material, wobei der Kondensator (180) durch Folgendes gebildet wird: Bilden einer äußeren Elektrode (60) durch Dotieren eines Abschnitts des Halbleitersubstrats (10) um einen zweiten Hohlraum (67) durch das Halbleitersubstrat (10) herum; Bilden eines Knotendielektrikums (70) auf inneren Seitenwände der äußeren Elektrode (60) durch das Halbleitersubstrat (10); Bilden einer inneren Elektrode durch Füllen des zweiten Hohlraums (67) durch das Halbleitersubstrat (10) mit dem leitfähigen Material, und Bilden einer dotierten Wannenzone (12) in dem Halbleitersubstrat (10), wobei die dotierte Wannenzone (12) leitend mit der äußeren Elektrode (60) verbunden ist, wobei das Verfahren ferner aufweist: Füllen des ersten Hohlraums (47) durch das Halbleitersubstrat (10) mit einem Opfermaterial; und Entfernen des Opfermaterials, um den Hohlraum in der dielektrischen röhrenförmigen Struktur (20) zu bilden.