公开(公告)号：GB2484030B

公开(公告)日：2013-10-02

申请号：GB201122001

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775

公开(公告)号：GB2484030A

公开(公告)日：2012-03-28

申请号：GB201122001

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775

Abstract: An electronic device includes a conductive channel defining a crystal structure and having a length and a thickness tc; and a gate stack of thickness tg in contact with a surface of the channel. Further, the gate stack comprises a material that exerts one of a compressive or a tensile force on the contacted surface of the channel such that electrical mobility of the charge carriers (electrons or holes) along the channel length is increased due to the compressive or tensile force in dependence on alignment of the channel length relative to the crystal structure. Embodiments are given for chips with both hole and electron mobility increased in different transistors, and a method for making such a transistor or chip.

公开(公告)号：DE112010002324B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE112010002324

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51

Abstract: Halbleiter-Chip, der Folgendes umfasst:- einen ersten n-Kanal-Transistor mit einem ersten, einen Nano-Draht umfassenden Kanal und einem ersten Gate-Elektrodenstapel, der sich in Kontakt mit einer Fläche des ersten Kanals befindet, wobei der erste Kanal eine Länge l1 in einer ersten Kristallrichtung des Halbleiter-Chips und eine Dicke tC1 aufweist; und- einen zweiten p-Kanal-Transistor mit einem zweiten, einen Nano-Draht umfassenden Kanal und einem zweiten Gate-Elektrodenstapel, der sich in Kontakt mit einer Fläche des zweiten Kanals befindet, wobei der zweite Kanal eine Länge l2 in einer zweiten Kristallrichtung des Halbleiter-Chips und eine Dicke tC2 aufweist;- wobei:- der erste Gate-Elektrodenstapel eine Zugkraft auf die Kontaktfläche des ersten Kanals derart ausübt, dass die elektrische Beweglichkeit von Ladungsträgern über die Länge l1 des ersten Kanals hinweg aufgrund der Zugkraft in Abhängigkeit von der ersten Ausrichtung erhöht wird; und- der zweite Gate-Elektrodenstapel eine Druckkraft auf die Kontaktfläche des zweiten Kanals derart ausübt, dass die elektrische Beweglichkeit von Ladungsträgern über die Länge l2 des zweiten Kanals hinweg aufgrund der Druckkraft in Abhängigkeit von der zweiten Ausrichtung erhöht wird.

公开(公告)号：DE112010002324T5

公开(公告)日：2012-06-21

申请号：DE112010002324

申请日：2010-07-13

Applicant: IBM

Inventor： SEKARIC LIDIJA ,  CHIDAMBARRAO DURESETI ,  LIU XIAO HU

IPC: H01L29/775 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L29/51

Abstract: Es wird ein elektronisches Bauelement beschrieben, das einen leitenden Kanal, der eine Kristallstruktur definiert und eine Länge und eine Dicke tC aufweist, und einen Gate-Elektrodenstapel der Dicke tg beinhaltet, der sich in Kontakt mit einer Fläche des Kanals befindet. Ferner umfasst der Gate-Elektrodenstapel ein Material, das auf die Kontaktfläche des Kanals eine Druckkraft oder eine Zugkraft derart ausübt, dass die elektrische Beweglichkeit der Ladungsträger (Elektronen oder Löcher) über die Länge des Kanals hinweg aufgrund der Druckkraft oder der Zugkraft in Abhängigkeit von der Ausrichtung der Längsachse des Kanals in Bezug auf die Kristallstruktur erhöht wird. Es werden Ausführungsarten für Chips, bei denen die Beweglichkeit sowohl der Löcher als auch der Elektronen in verschiedenen Transistoren erhöht wird, sowie ein Verfahren zum Herstellen eines solchen Transistors oder Chips angegeben.