System und Verfahren zum Bearbeiten von horizontal ausgerichteten Nanofasern aus Graphit in einem in 3D Chip-Stapeln verwendeten Material für eine thermische Grenzfläche

    公开(公告)号:DE112012002633T5

    公开(公告)日:2014-04-17

    申请号:DE112012002633

    申请日:2012-05-14

    Applicant: IBM

    Abstract: Der Chip-Stapel von Halbleiterchips mit einer verbesserten Kühlvorrichtung beinhaltet einen ersten Chip mit einem Schaltungsaufbau auf einer ersten Seite und einen zweiten Chip, der mittels eines Gitters von Verbindungselementen elektrisch und mechanisch mit dem ersten Chip gekoppelt ist. Die Vorrichtung beinhaltet des Weiteren ein Pad aus einem Material für eine thermische Grenzfläche, das zwischen dem ersten Chip und dem zweiten Chip angeordnet ist, wobei das Pad aus dem Material für die thermische Grenzfläche Nanofasern beinhaltet, die parallel zu den zusammengefügten Oberflächen des ersten Chips und des zweiten Chips ausgerichtet sind. Das Verfahren beinhaltet ein Erzeugen eines ersten Chips mit einem Schaltungsaufbau auf einer ersten Seite und ein Erzeugen eines zweiten Chips, der mittels eines Gitters von Verbindungselementen elektrisch und mechanisch mit dem ersten Chip gekoppelt ist. Das Verfahren beinhaltet des Weiteren ein Anordnen eines Pads aus einem Material für eine thermische Grenzfläche zwischen dem ersten Chip und dem zweiten Chip, wobei das Pad aus dem Material für die thermische Grenzfläche Nanofasern beinhaltet, die parallel zu den zusammengefügten Oberflächen des ersten Chips und des zweiten Chips ausgerichtet sind.

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