公开(公告)号：WO2011029706A3

公开(公告)日：2011-09-15

申请号：PCT/EP2010062081

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM ,  IBM UK ,  VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336

CPC classification number: H01L31/0749 ,  H01L31/0322 ,  Y02E10/541

Abstract: A method of reducing the loss of elements of a photovoltaic thin film structure during an annealing process, includes depositing a thin film on a substrate, wherein the thin film includes a single chemical element or a chemical compound, coating the thin film with a protective layer to form a coated thin film structure, wherein the protective layer prevents part of the single chemical element or part of the chemical compound from escaping during an annealing process, and annealing the coated thin film structure to form a coated photovoltaic thin film structure, wherein the coated photovoltaic thin film retains the part of the single chemical element or the part of the chemical compound that is prevented from escaping during the annealing by the protective layer..

Abstract translation: 在退火过程中减少光伏薄膜结构元件损耗的方法包括在基底上沉积薄膜，其中薄膜包括单一化学元素或化学化合物，用保护层涂覆薄膜 以形成涂覆的薄膜结构，其中所述保护层在退火过程期间防止单个化学元素或部分化合物的一部分逸出，并且对涂覆的薄膜结构进行退火以形成涂覆的光伏薄膜结构，其中 涂覆的光伏薄膜保留单一化学元素的一部分或化学化合物的部分在退火过程中通过保护层防止逸出。

公开(公告)号：JP2011103462A

公开(公告)日：2011-05-26

申请号：JP2010244125

申请日：2010-10-29

Applicant: Internatl Business Mach Corp ,  インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーションInternational Business Maschines Corporation

Inventor： HARIKLIA DELIGIANNI ,  ROMANKIW LUBOMYR T ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/04

CPC classification number: H01L31/0322 ,  C25D3/56 ,  H01L31/18 ,  Y02E10/541

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solar cell formed by electrodeposition of a semiconductor compound. SOLUTION: The invention relates to methods for forming photovoltaic devices, methods for forming semiconductor compounds, photovoltaic device and chemical solutions. For example, a method for forming a photovoltaic device comprising a semiconductor layer includes forming the semiconductor layer by electrodeposition from an electrolyte solution. The electrolyte solution includes copper, indium, gallium, selenous acid (H 2 SeO 3 ) and water. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT

Abstract translation: 要解决的问题：提供通过电沉积半导体化合物形成的太阳能电池。 解决方案：本发明涉及用于形成光伏器件的方法，形成半导体化合物的方法，光伏器件和化学溶液。 例如，形成包含半导体层的光电器件的方法包括通过电解液的电沉积形成半导体层。 电解质溶液包括铜，铟，镓，硒酸（H 2 SeO 3 ）和水。 版权所有（C）2011，JPO＆INPIT

公开(公告)号：DE112010003603T5

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：DE112010003603

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0336

Abstract: Ein Verfahren zum Verringern des Verlusts von Elementen einer photovoltaischen Dünnfilmstruktur während eines Temperverfahrens umfasst das Aufbringen eines Dünnfilms auf ein Substrat, wobei der Dünnfilm ein einzelnes chemisches Element oder eine chemische Verbindung umfasst, Überziehen des Dünnfilms mit einer Schutzschicht, um eine überzogene Dünnfilmstruktur zu bilden, wobei die Schutzschicht verhindert, dass ein Teil des einzelnen chemischen Elements oder ein Teil der chemischen Verbindung während eines Temperverfahrens entweicht, und Tempern der überzogenen Dünnfilmstruktur, um eine überzogene photovoltaische Dünnfilmstruktur zu bilden, wobei der überzogene photovoltaische Dünnfilm den Teil des einzelnen chemischen Elements oder den Teil der chemischen Verbindung, der von der Schutzschicht am Entweichen während des Temperns gehindert wird, behält.

公开(公告)号：DE112011102300B4

公开(公告)日：2022-11-17

申请号：DE112011102300

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/54 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Verfahren zum Ausbilden einer p-Halbleiterschicht für eine Photovoltaikeinheit, das aufweist:Galvanisieren einer ersten Schicht auf eine leitfähige Fläche (14, 34, 54) eines Substrats (12, 32, 52), wobei die erste Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Kupferschicht (16, 56) und einer Kupfer-Gallium-Schicht (36) besteht;Galvanisieren einer zweiten Schicht auf die erste Schicht, wobei die zweite Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Indiumschicht (18), einer Galliumschicht, einer Indium-Gallium-Schicht (38, 58), einer Kupfer-Indium-Diselenid-Schicht und einer Kupfer-Gallium-Diselenid-Schicht besteht; undoptional Galvanisieren einer dritten Schicht auf die zweite Schicht, wobei die dritte Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einer Galliumschicht (20) und einer Indiumschicht besteht; undoptional Galvanisieren einer vierten Schicht auf die dritte Schicht, wobei die vierte Schicht aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Selen und Schwefel besteht;wobei das Galvanisieren durch ein Verfahren ausgeführt wird, das aufweist: in Kontakt bringen eines Substrats (4) undeiner Lösung (1), die frei von Komplexbildnern ist und eine Alkansulfonsäure oder eine aromatische Sulfonsäure enthält und die aufweist: einen Vorläufer, der ein Element aufweist, das aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Kupfer, Gallium, Indium, Selen, Schwefel und einer Kombination davon besteht; optional einen Halbmetall-Mischzusatz; des Weiteren optional einen organischen Zusatz, der zumindest ein Schwefelatom und/oder ein Stickstoffatom aufweist; und ein Lösungsmittel zum Auflösen der Vorläufer;Einstellen eines pH-Wertes der Lösung (1) auf einen Bereich, der aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus einem pH-Wert von etwa null bis unter etwa 2,6 und einem pH-Wert von etwa 12,6 bis etwa 14 besteht, und Anlegen eines Stroms zum Galvanisieren des Substrats (4), um die erste, zweite, dritte oder vierte Schicht zu erzeugen; undTempern der ersten, zweiten und dritten Schicht unter Hinzuziehen einer Selenquelle und/oder einer Schwefelquelle, um die p-Halbleiterschicht auszubilden.

公开(公告)号：GB2485494B

公开(公告)日：2014-01-15

申请号：GB201200871

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/0749

Abstract: A method of reducing the loss of elements of a photovoltaic thin film structure during an annealing process, includes depositing a thin film on a substrate, wherein the thin film includes a single chemical element or a chemical compound, coating the thin film with a protective layer to form a coated thin film structure, wherein the protective layer prevents part of the single chemical element or part of the chemical compound from escaping during an annealing process, and annealing the coated thin film structure to form a coated photovoltaic thin film structure, wherein the coated photovoltaic thin film retains the part of the single chemical element or the part of the chemical compound that is prevented from escaping during the annealing by the protective layer.

公开(公告)号：GB2485494A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：GB201200871

申请日：2010-08-19

Applicant: IBM

Inventor： VAIDYANATHAN RAMAN ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  HOVEL HAROLD JOHN

IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0216

Abstract: A method of reducing the loss of elements of a photovoltaic thin film structure during an annealing process, includes depositing a thin film on a substrate, wherein the thin film includes a single chemical element or a chemical compound, coating the thin film with a protective layer to form a coated thin film structure, wherein the protective layer prevents part of the single chemical element or part of the chemical compound from escaping during an annealing process, and annealing the coated thin film structure to form a coated photovoltaic thin film structure, wherein the coated photovoltaic thin film retains the part of the single chemical element or the part of the chemical compound that is prevented from escaping during the annealing by the protective layer..

公开(公告)号：GB2498879B

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy.

公开(公告)号：DE112011102300T5

公开(公告)日：2013-05-16

申请号：DE112011102300

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: H01L31/18 ,  C25D3/54 ,  H01L21/02 ,  H01L23/373 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaikeinheiten und Verfahren zum Erstellen einer p-Halbleiterschicht für die Photovoltaikeinheiten beinhalten im Allgemeinen ein Galvanisieren einer Schicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung auf eine leitfähige Schicht durch in Kontakt bringen der leitfähigen Schicht mit einem Galvanisierbad, das frei von Komplexbildnern ist und ein Galliumsalz, Methansulfonsäure oder Natriumsulfat und einen organischen Zusatz, der zumindest ein Stickstoffatom und/oder zumindest ein Schwefelatom aufweist, und ein Lösungsmittel beinhaltet; und ein Einstellen eines pH-Wertes der Lösung auf unter 2,6 oder über 12,6. Die Photovoltaikeinheit beinhaltet eine Verunreinigung in der p-Halbleiterschicht, die aus der Gruppe ausgewählt wird, die aus Arsen, Antimon, Bismut und Mischungen davon besteht. Verschiedene Photovoltaik-Vorläuferschichten zum Ausbilden von p-leitenden CIS-, CGS- und CIGS-Halbleiterstrukturen können durch Galvanisieren des Galliums oder der Galliumlegierungen auf diese Weise ausgebildet werden. Außerdem werden Prozesse zum Ausbilden einer thermischen Zwischenschicht aus Gallium oder einer Galliumlegierung mithilfe des Galvanisierprozesses offenbart.

公开(公告)号：GB2498879A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：GB201305111

申请日：2011-08-05

Applicant: IBM

Inventor： AHMED SHAFAAT ,  DELIGIANNI HARIKLIA ,  ROMANKIW LUBOMYR ,  REUTER KATHLEEN ,  HUANG QIANG ,  VAIDYANATHAN RAMAN

IPC: C25D3/54 ,  H01L31/032 ,  H01L31/0749

Abstract: Photovoltaic devices and methods for preparing a p-type semiconductor layer for the photovoltaic devices generally include electroplating a layer of gallium or a gallium alloy onto a conductive layer by contacting the conductive layer with a plating bath free of complexing agents including a gallium salt, methane sulfonic acid or sodium sulfate and an organic additive comprising at least one nitrogen atom and/or at least one sulfur atom, and a solvent; adjusting a pH of the solution to be less than 2.6 or greater than 12.6. The photovoltaic device includes an impurity in the p-type semiconductor layer selected from the group consisting of arsenic, antimony, bismuth, and mixtures thereof. Various photovoltaic precursor layers for forming CIS, CGS and CIGS p-type semiconductor structures can be formed by electroplating the gallium or gallium alloys in this manner. Also disclosed are processes for forming a thermal interface of gallium or a gallium alloy with the electroplating process.