公开(公告)号：DE112016000407T5

公开(公告)日：2017-10-19

申请号：DE112016000407

申请日：2016-02-17

Applicant: IBM

Inventor： LIU ZUOGUANG ,  CHEN CHIA-YU ,  YAMASHITA TENKO ,  WANG MIAOMIAO

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/265 ,  H01L27/092 ,  H01L29/04

Abstract: Es wird eine Technik für eine Bildung einer Halbleiter-Einheit bereitgestellt. Opfer-Mandrels werden über einer Hartmaskenschicht auf einer Halbleiterschicht gebildet. Auf Seitenwänden der Opfer-Mandrels werden Abstandshalter gebildet. Die Opfer-Mandrels werden entfernt, um die Abstandshalter zu belassen. Ein Maskierungs-Prozess belässt einen ersten Satz von Abstandshaltern freiliegend, während ein zweiter Satz geschützt ist. In Reaktion auf den Maskierungs-Prozess bildet ein erster Fin-Ätzprozess mittels des ersten Satzes von Abstandshaltern einen ersten Satz von Fins in der Halbleiterschicht. Der erste Satz von Fins weist ein vertikales Seitenwand-Profil auf. Ein weiterer Maskierungs-Prozess belässt den zweiten Satz von Abstandshaltern freiliegend, wobei der erste Satz von Abstandshaltern und der erste Satz von Fins geschützt sind. in Reaktion auf den weiteren Maskierungs-Prozess bildet ein zweiter Fin-Ätzprozess unter Verwendung des zweiten Satzes von Abstandshaltern einen zweiten Satz von Fins in der Halbleiterschicht. Der zweite Satz von Fins weist ein trapezförmiges Seitenwand-Profil auf.