公开(公告)号：DE112022004257T5

公开(公告)日：2024-06-20

申请号：DE112022004257

申请日：2022-11-28

Applicant: IBM

Inventor： YU LAN ,  CHENG KANGGUO ,  WU HENG ,  ZHANG CHEN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78

Abstract: Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung beziehen sich auf Verfahren und resultierende Strukturen für Nanoblatteinheiten mit defektfreien Kanälen. Bei einer nichtbeschränkenden Ausführungsform der Erfindung wird ein Nanoblattstapel über einem Substrat ausgebildet. Der Nanoblattstapel enthält abwechselnde erste Opferschichten und zweite Opferschichten. Eine Schicht der ersten Opferschichten weist eine größere Dicke als die übrigen ersten Opferschichten auf. Die ersten Opferschichten werden entfernt, und Halbleiterschichten werden auf Flächen der zweiten Opferschichten ausgebildet. Die Halbleiterschichten enthalten einen ersten Satz und einen zweiten Satz von Halbleiterschichten. Die zweiten Opferschichten werden entfernt, und ein Isolationsdielektrikum wird zwischen dem ersten Satz und dem zweiten Satz von Halbleiterschichten ausgebildet.