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公开(公告)号：DE112011101184T5
公开(公告)日：2013-01-17
申请号：DE112011101184
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: Die magnetische Direktzugriffsspeicher-(MRAM-)Einheit weist Lesewortleitungen, Schreibwortleitungen und Bitleitungen sowie eine Vielzahl von Bitspeicherzellen auf, die durch die Lesewortleitungen, die Schreibwortleitungen und die Bitleitungen untereinander verbunden sind, wobei jede der Bitspeicherzellen ein Element mit einer festen ferromagnetischen Schicht und ein Element mit einer freien ferromagnetischen Schicht aufweist, die durch ein dielektrisches Tunnelbarrierenelement voneinander getrennt sind, wobei jede der Schreibwortleitungen und eine entsprechende Anzahl der Elemente mit einer freien ferromagnetischen Schicht als eine einzige durchgehende ferromagnetische Leitung gebildet sind.
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2.发明专利
公开(公告)号：GB2494361A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：GB201300264
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: The Magnetic Random Access Memory (MRAM) device has read word lines, write word lines, bit lines, and a plurality of memory bit cells being interconnected via the read word lines, the write word lines and the bit lines, each of the memory bit cells having a fixed ferromagnetic layer element and a free ferromagnetic layer element separated by a dielectric tunnel barrier element, wherein each of the write word lines and a respective number of the free ferromagnetic layer elements are formed as one single, continuous ferromagnetic line.
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公开(公告)号：DE112012000271B4
公开(公告)日：2022-01-05
申请号：DE112012000271
申请日：2012-02-03
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
IPC: G11C11/16
Abstract: Ferromagnetische Einheit (10) für eine Informations-Speicher- oder Verarbeitungsvorrichtung auf der Grundlage von Spin mit einer länglichen Struktur, die sich entlang einer Längsrichtung (11) erstreckt, die einen ferromagnetischen Werkstoff aufweist, wobei ein transversaler Querschnitt (20) des ferromagnetischen Werkstoffs senkrecht zu der Längsrichtung so entworfen ist, dass wenigstens ein Abschnitt (21 bis 23; 23 bis 22) einer peripheren Kontur des ferromagnetischen Werkstoffs in dem transversalen Querschnitt einen nicht-orthogonalen plankonvexen Aufbau bildet und der wenigstens eine Abschnitt Domänenwand-Geschwindigkeiten oberhalb der Walker-Durchbruchgrenze des ferromagnetischen Werkstoffs ohne Walker-Durchbruch zu verursachen gewährleistet, wobei eine Seitenkante (22) des wenigstens einen Abschnitts um einen Winkel (α) in Bezug auf eine transversale Kante (23) des wenigstens einen Abschnitts geneigt ist, wobei der Winkel größer als 110° und kleiner als 160° ist.
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公开(公告)号：BR112013001584A2
公开(公告)日：2016-05-10
申请号：BR112013001584
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ZINONI CARL , ALLENSPACH ROLF
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公开(公告)号：DE112011101184B4
公开(公告)日：2019-11-28
申请号：DE112011101184
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: Magnetische MRAM- Einheit (10), aufweisend:- Bitleitungen (21 bis 23), Schreibwortleitungen (31 bis 33), Lesewortleitungen (41 bis 43),- eine Vielzahl von Bitspeicherzellen (51 bis 53), die durch die Bitleitungen (21 bis 23), die Schreibwortleitungen (31 bis 33) und die Lesewortleitungen (41 bis 43) miteinander verbunden sind, wobei jede der Bitspeicherzellen (51 bis 53) ein festes ferromagnetisches Schichtelement (61 bis 63) und ein freies ferromagnetisches Schichtelement (71 bis 73) aufweist, die durch ein dielektrisches Tunnelbarrierenelement (81 bis 83) voneinander getrennt sind,- wobei die Bitspeicherzellen (51 bis 53) als Matrix mit Zeilen und Spalten angeordnet sind, wobei die in einer Zeile angeordneten Bitspeicherzellen (51 bis 53) mit einer Schreibwortleitung (31) verbunden sind, wobei die eine Schreibwortleitung (31) und die freien ferromagnetischen Schichtelemente (71 bis 73) der Bitspeicherzellen (51 bis 53) der einen Zeile als eine einzige durchgehende ferromagnetische Leitung (91) gebildet sind,- dielektrische Schichtelemente (101 bis 103), wobei jedes der dielektrischen Schichtelemente als kapazitives Element jeweils zwischen einer der Bitleitungen (21 bis 23) und einer der durchgehenden ferromagnetischen Leitungen (91 bis 93) angeordnet ist und wobei das kapazitive Element so konfiguriert ist, dass es bei Schreiboperationen einen Isolator bildet und bei Leseoperationen einen Leiter bildet, und- einen Impulsgenerator zum Erzeugen eines Strompulses durch die Bitleitung, die Bitspeicherzelle und die Lesewortleitung zum Lesen des Status der Bitspeicherzelle.
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Patent Agency Ranking6.发明专利
公开(公告)号：GB2494361B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：GB201300264
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: A magnetic random access memory (MRAM) device has read word lines, write word lines, bit lines, and a plurality of memory bit cells interconnected via the read word lines, the write word lines and the bit lines. Each memory bit cell has a fixed ferromagnetic layer element and a free ferromagnetic layer element separated by a dielectric tunnel barrier element. Each write word line and a respective number of free ferromagnetic layer elements are formed as a single continuous ferromagnetic line.
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7.发明专利
公开(公告)号：CA2785625C
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CA2785625
申请日：2011-06-08
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: Magnetic random access memory (hereinafter "MRAM") device, comprising: bit lines; write word lines; read word lines; and a plurality of memory bit cells being interconnected via the bit lines, the write word lines and the read word lines, each of the memory bit cells having a fixed ferromagnetic layer element and a free ferromagnetic layer element separated by a dielectric tunnel barrier element, wherein each of the write word lines and a respective number of the free ferromagnetic layer elements are formed as one single, continuous ferromagnetic line.
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公开(公告)号：GB2500832B
公开(公告)日：2015-12-09
申请号：GB201310338
申请日：2012-02-03
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: The invention is directed to a method of manufacturing a ferromagnetic device (10), having an elongated structure extending along a longitudinal direction (11), comprising a ferromagnetic material, wherein a transverse cross section (20) of the ferromagnetic material, perpendicular to said longitudinal direction, is designed to provide a domain wall velocity above the Walker breakdown limit of the ferromagnetic material. In particular, at least a portion (21-23) of a peripheral contour of the ferromagnetic material forms, in the transverse cross-section (20), a non-orthogonal convex set. For example, the whole peripheral contour may realize a (non-orthogonal) convex polygon.
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公开(公告)号：GB2500832A
公开(公告)日：2013-10-02
申请号：GB201310338
申请日：2012-02-03
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
Abstract: The invention is directed to a ferromagnetic device (10), having an elongated structure extending along a longitudinal direction (11), comprising a ferromagnetic material, wherein a transverse cross section (20) of the ferromagnetic material, perpendicular to said longitudinal direction, is designed to provide a domain wall velocity above the Walker breakdown limit of the ferromagnetic material. In particular, at least a portion (21 - 23) of a peripheral contour of the ferromagnetic material forms, in the transverse cross-section (20), a non-orthogonal convex set. For example, the whole peripheral contour may realize a (non- orthogonal) convex polygon.
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公开(公告)号：DE112012000271T5
公开(公告)日：2013-09-19
申请号：DE112012000271
申请日：2012-02-03
Applicant: IBM
Inventor： ALLENSPACH ROLF , ZINONI CARL
IPC: G11C11/16
Abstract: Die Erfindung ist auf eine ferromagnetisches Einheit (10) mit einer länglichen Struktur, die sich entlang einer Längsrichtung (11) erstreckt, gerichtet, das einen ferromagnetischen Werkstoff aufweist, wobei ein transversaler Querschnitt (20) des ferromagnetischen Werkstoffs senkrecht zu der Längsrichtung so entworfen ist, dass er eine Domänenwand-Geschwindigkeit über der Walker-Durchbruchgrenze des ferromagnetischen Werkstoffs gewährleistet. Insbesondere bildet wenigstens ein Abschnitt (21 bis 23) einer peripheren Kontur des ferromagnetischen Werkstoffs in dem transversalen Querschnitt (20) einen nicht-orthogonalen konvexen Aufbau. Die gesamte periphere Kontur kann z. B. ein (nicht-orthogonales) konvexes Polygon bilden.
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