公开(公告)号：DE112020005062T5

公开(公告)日：2022-07-21

申请号：DE112020005062

申请日：2020-11-17

Applicant: IBM

Inventor： ZOTA CEZAR ,  CONVERTINO CLARISSA ,  CZORNOMAZ LUKAS ,  KARG SIEGFRIED

IPC: H01L27/108

Abstract: Eine kondensatorfreie DRAM-Zelle (200) weist eine Heterostruktur, eine Gate-Struktur (106, 107), welche in einer ersten Richtung an die Heterostruktur grenzt, eine Drain-Struktur (108), welche in einer zweiten Richtung senkrecht zu der ersten Richtung an die Heterostruktur grenzt, und eine Source-Struktur (104) auf, welche in der der zweiten Richtung entgegengesetzten Richtung an die Heterostruktur grenzt, wobei die Heterostruktur eine oder mehrere halbleitende Kanalschichten (610, 612) und eine oder mehrere elektrisch isolierende Barriereschichten (620, 622, 624) aufweist, wobei die Kanalschichten (610, 612) und die Barriereschichten (620, 622, 624) in der ersten Richtung abwechselnd gestapelt sind.