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公开(公告)号:CN101305308A
公开(公告)日:2008-11-12
申请号:CN200680040120.8
申请日:2006-10-19
Applicant: IDC公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81B3/0072 , B81B2201/047 , B81C1/00793 , B81C2201/0167
Abstract: 本文描述在MEMS装置中的金属层之间使用扩散阻挡层。所述扩散阻挡层防止两种金属的混合,所述混合可改变所要物理特征且使处理复杂化。在一个实例中,所述扩散阻挡层可用作干涉式调制器中的可移动反射结构的一部分。