公开(公告)号：DE102020216456B4

公开(公告)日：2022-10-13

申请号：DE102020216456

申请日：2020-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLWIG RAPHAEL ,  AMOS PHILIP ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/495

Abstract: Schaltungsanordnung mit folgenden Merkmalen:einer Chip-Anordnung, die eine Umverteilungsschichtstruktur, einen Halbleiterchip, ein Vergussmaterial und Lötkontakte aufweist, wobei der Halbleiterchip und die Vergussmasse auf einer Seite der Umverteilungsschichtstruktur angeordnet sind, wobei der Halbleiterchip in das Vergussmaterial eingebettet ist, und wobei die Lötkontakte auf der anderen Seite der Umverteilungsschichtstruktur angeordnet sind, wobei die Lötkontakte über Leiterstrukturen der Umverteilungsschichtstruktur mit Anschlüssen des Halbleiterchips elektrisch leitfähig verbunden sind; undeiner thermischen Schnittstelle auf einer von den Lötkontakten abgewandten Seite der Chip-Anordnung, die ausgelegt ist, um Wärme von einer Rückseite des Halbleiterchips abzuführen, wobei die thermische Schnittstelle zumindest eine HF-Absorptionsschicht aufweist, die ausgelegt ist, um elektromagnetische Strahlung bei einer Betriebsfrequenz des Halbleiterchips zu absorbieren,wobei die zumindest eine HF-Absorptionsschicht für eine durch den Betrieb des Halbleiterchips in Richtung der HF-Absorptionsschicht abgegebene elektromagnetische Leckstrahlung solche Absorptionsverluste aufweist, dass bei einer Totalreflexion an der von der Chip-Anordnung beabstandeten Seite der thermischen Schnittstelle maximal 10% dieser Leckstrahlung zu der Chip-Anordnung zurück gelangen.

公开(公告)号：DE102020216456A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020216456

申请日：2020-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLWIG RAPHAEL ,  AMOS PHILIP ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/495

Abstract: Eine Schaltungsanordnung weist eine Chip-Anordnung in Form einer eWLB-Anordnung mit Lötkontakten auf einer Seite und eine thermische Schnittstelle auf einer von den Lötkontakten abgewandten Seite der Chip-Anordnung auf, die ausgelegt ist, um Wärme von dem Halbleiterchip abzuführen. Bei Beispielen weist die thermische Schnittstelle ein thermisch und elektrisch leitfähiges Material aufweist, wobei in Draufsicht auf die Chip-Anordnung ein Kontaktbereich, in dem das thermisch und elektrisch leitfähige Material in thermischem Kontakt mit der Chip-Anordnung ist, auf den Fan-Out-Bereich begrenzt ist. Bei Beispielen weist die thermische Schnittstelle zumindest eine HF-Absorptionsschicht auf, die ausgelegt ist, um elektromagnetische Strahlung bei einer Betriebsfrequenz des Halbleiterchips zu absorbieren