公开(公告)号：JP2002076296A

公开(公告)日：2002-03-15

申请号：JP2001253003

申请日：2001-08-23

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHINDLER GUENTHER DR ,  GABRIC ZVONIMIR ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method capable of etching a contact hole, after coating an effective hydrogen barrier using a simple method, and to provide a microelectronic constituent member. SOLUTION: A method for manufacturing the microelectronic constituent member comprises the steps of forming a memory capacitor (3) containing a first electrode (31), a second electrode (32) and a ferroelectric or paraelectric dielectric (33) between the electrodes (31, 32) on a substrate (1); first, forming a silicon oxide (41) in the case of forming a barrier (4) to form the barrier (4) for protecting against infiltration of hydrogen onto the capacitor (3); annealing at least a part of the capacitor (3) and the silicon oxide (41); and coating the barrier layer (42) for protecting against the infiltration of hydrogen on the annealed silicon oxide layer (41). The microelectronic constituent member manufactured by the method is provided.

公开(公告)号：JP2001237393A

公开(公告)日：2001-08-31

申请号：JP2000399178

申请日：2000-12-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER DR ,  KASTNER MARCUS ,  DEHM CHRISTINE

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/318 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory. SOLUTION: A switching resistor (2) is formed on a semiconductor substrate (1), an isolation layer (4) is deposited on the switching transistor (2), and then a memory capacitor provided with a lower electrode (7) formed of platinum and a ferroelectric or paraelectric (8) is formed on the isolation layer. In order to protect the dielectric against intrusion of hydrogen in following manufacturing processes, a first barrier layer (5) is embedded in the isolation layer (4) and, after formation of the memory capacity, a second barrier layer (10) connected to the first barrier layer (5) is deposited.

公开(公告)号：JP2001244425A

公开(公告)日：2001-09-07

申请号：JP2001051142

申请日：2001-02-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER DR ,  WEINRICH VOLKER ,  KASKO IGOR

IPC: H01L27/105 ,  H01L21/02 ,  H01L21/8246

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an executable method of manufacturing, with only a little labor, a ferroelectric-material capacitor having two pieces or more of withstand voltage which are different from each other. SOLUTION: First, a first electrode structure 11 having the surface which forms at least two-height levels is formed on a substrate 1, a ferroelectric- material layer 13 having a variety of layer thickness is laminated on the first electrode structure 11 by spin coating, and in succession, a second electrode structure 12 is formed on the ferroelectric-material layer 13.

公开(公告)号：JP2001237402A

公开(公告)日：2001-08-31

申请号：JP2000393554

申请日：2000-12-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER DR ,  WEINRICH VOLKER ,  AHLSTEDT MATTIAS

IPC: H01L21/316 ,  H01L21/02 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing a structured metal oxide containing layer. SOLUTION: The method comprises the processing steps of preparing a substrate, covering a metal oxide containing layer on the substrate, structuring the metal oxide containing layer, and covering a repair layer covering at least edges of the metal oxide containing layer, and the repair layer contains at least one kind of element which is contained in the metal oxide containing layer but lacks in the stoichiometric composition at the edges due to structuring, and is heat-treated so as to diffuse the element from the repair layer at damaged regions of the edges of the metal oxide containing layer.

公开(公告)号：JP2001298165A

公开(公告)日：2001-10-26

申请号：JP2001057296

申请日：2001-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BACHHOFER HARALD ,  HARTNER WALTER ,  SCHINDLER GUENTHER DR ,  HANEDER THOMAS PETER ,  HONLEIN WOLFGANG

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/314 ,  H01L21/316 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the production of a storage capacitor. SOLUTION: The crystallizing temperature of a ferroelectric layer (3) (dielectric) to be used for the storage capacitor can be lowered by applying an extremely thin CeO2 layer (2) to a first platinum electrode layer (1) before depositing the ferroelectric layer (3). Continuously, in a treatment process, the dielectric layer (3) deposited in a noncrystalline state is crystallized at a temperature within the range from 590 to 620 deg.C. Next, a second electrode layer (4) is applied and the storage capacitor is completed.

公开(公告)号：WO0241339A3

公开(公告)日：2002-08-22

申请号：PCT/DE0104248

申请日：2001-11-13

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  GABRIC ZVONIMIR ,  HARTNER WALTER ,  KROENKE MATTHIAS ,  SCHINDLER GUENTHER

Inventor： GABRIC ZVONIMIR ,  HARTNER WALTER ,  KROENKE MATTHIAS ,  SCHINDLER GUENTHER

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/285 ,  H01L27/115 ,  H01L21/3205

CPC classification number: H01L27/11502 ,  H01L21/28568 ,  H01L28/55 ,  H01L28/75

Abstract: The invention relates to a method for producing a ferroelectric capacitor, especially in large-scale integrated, non-volatile semiconductor memories, and to an integrated ferroelectric semiconductor memory arrangement. In order to prevent damage to the ferro- or paraelectric (6), a TaSixNy barrier layer (7) is deposited over the capacitor module (1). The TaSixNy material has barrier properties in relation to hydrogen diffusion and Ti diffusion.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造铁电电容器的方法，特别是在高度集成的非易失性半导体存储器和集成铁电半导体存储器件中。 为了避免损坏铁电或顺电（6），在电容器模块（1）上沉积TaSixNy阻挡层（7）。 TaSixNy材料具有对氢扩散和Ti扩散的阻隔性能。

公开(公告)号：WO02091432A3

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/EP0204422

申请日：2002-04-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  HARTNER WALTER ,  GABRIC ZVONIMIR ,  KROENKE MATTHIAS ,  SCHINDLER GUENTHER

Inventor： HARTNER WALTER ,  GABRIC ZVONIMIR ,  KROENKE MATTHIAS ,  SCHINDLER GUENTHER

IPC: H01L27/04 ,  H01L21/02 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8246 ,  H01L23/00 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L28/55 ,  H01L23/564 ,  H01L27/11502 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: The invention relates to a microelectronic structure, which provides improved protection of a hydrogen-sensitive dielectric against hydrogen contamination. According to the invention, the hydrogen-sensitive dielectric (14) is covered at least by an intermediate oxide (18), whose material thickness is at least five times the thickness of the hydrogen-sensitive dielectric. The intermediate oxide (18) simultaneously acts as an intermetal dielectric and is metallized on its surface for this purpose. The intermediate oxide (18), which has a sufficient thickness, absorbs the hydrogen that may be released during the deposition of a hydrogen barrier layer (22, 26), thus protecting the hydrogen-sensitive dielectric (14).

Abstract translation: 建议用之前的氢污染氢敏感电介质的改进的保护微电子结构。 为了这个目的，提供了氢气敏感电介质（14），以至少覆盖中间氧化物（18），其厚度为氢敏电介质的厚度的至少五倍。 中间氧化物（18）同时用作金属间介电，并且因此携带在其上侧金属化。 的足够厚的中间氧化物（18）吸收可能在氢阻挡层（22，26）释放的氢的沉积和保护氢敏感电介质（14）。

公开(公告)号：DE102019112940B4

公开(公告)日：2022-09-29

申请号：DE102019112940

申请日：2019-05-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GEISSLER CHRISTIAN ,  WAECHTER CLAUS VON ,  HARTNER WALTER ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L23/31

Abstract: Verfahren, umfassend:Bereitstellen zumindest einer Halbleiterkomponente (2), wobei jede der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) umfasst:einen Halbleiterchip (4), wobei der Halbleiterchip (4) eine erste Hauptoberfläche und eine der ersten Hauptoberfläche gegenüberliegende zweite Hauptoberfläche umfasst, undein über der gegenüberliegenden zweiten Hauptoberfläche des Halbleiterchips (4) angeordnetes Opfermaterial (10) ;Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) mit einem Verkapselungsmaterial (12), wobei nach dem Verkapseln der zumindest einen Halbleiterkomponente (2) eine Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12) und die erste Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) in einer gemeinsamen Ebene liegen;Ausbilden einer Umverdrahtungsschicht (38) über der ersten Hauptoberfläche des zumindest einen Halbleiterchips (4) und der Hauptoberfläche des Verkapselungsmaterials (12);Entfernen des Opfermaterials (10), wobei über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) eine Aussparung (14) in dem Verkapselungsmaterial (12) ausgebildet wird; undAnordnen zumindest eines Deckels (16) über der zumindest einen Aussparung (14), wobei durch die zumindest eine Aussparung (14) und den zumindest einen Deckel (16) über jedem des zumindest einen Halbleiterchips (4) ein geschlossener Hohlraum (18) ausgebildet wird.

公开(公告)号：DE102020216456A1

公开(公告)日：2022-06-23

申请号：DE102020216456

申请日：2020-12-22

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLWIG RAPHAEL ,  AMOS PHILIP ,  HARTNER WALTER

IPC: H01L23/367 ,  H01L23/495

Abstract: Eine Schaltungsanordnung weist eine Chip-Anordnung in Form einer eWLB-Anordnung mit Lötkontakten auf einer Seite und eine thermische Schnittstelle auf einer von den Lötkontakten abgewandten Seite der Chip-Anordnung auf, die ausgelegt ist, um Wärme von dem Halbleiterchip abzuführen. Bei Beispielen weist die thermische Schnittstelle ein thermisch und elektrisch leitfähiges Material aufweist, wobei in Draufsicht auf die Chip-Anordnung ein Kontaktbereich, in dem das thermisch und elektrisch leitfähige Material in thermischem Kontakt mit der Chip-Anordnung ist, auf den Fan-Out-Bereich begrenzt ist. Bei Beispielen weist die thermische Schnittstelle zumindest eine HF-Absorptionsschicht auf, die ausgelegt ist, um elektromagnetische Strahlung bei einer Betriebsfrequenz des Halbleiterchips zu absorbieren

公开(公告)号：DE102013108075B4

公开(公告)日：2021-01-28

申请号：DE102013108075

申请日：2013-07-29

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL ,  GEITNER OTTMAR ,  HARTNER WALTER ,  STÜCKJÜRGEN ANDREAS ,  WACHTER ULRICH ,  WOJNOWSKI MACIEJ

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/28 ,  H01L25/16

Abstract: Chip-Gehäuse (210), aufweisend:einen Chip (102), der zumindest ein auf einer Chip-Vorderseite (106) gebildetes Kontaktpad (104) aufweist,wobei der Chip (102) eine Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) auf einer Chip-Rückseite (122) aufweist;ein Vergussmaterial (108), das den Chip (102) zumindest teilweise umgibt und das zumindest eine Kontaktpad (104) bedeckt; undzumindest eine durch das Vergussmaterial (108) hindurch gebildete elektrische Verbindung (112),wobei die zumindest eine elektrische Verbindung (112) eingerichtet ist, das zumindest eine Kontaktpad (104) von einer ersten Seite (114) des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Vorderseite (106) zu zumindest einer, über einer zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210) gebildeten ersten Lötstruktur (116) elektrisch umzuleiten, wobei die zweite Seite des Chip-Gehäuses (210) an der Chip-Rückseite gebildet ist;ferner aufweisend zumindest zwei weitere Lötstrukturen (244) über der Chip-Rückseite (122) auf der zweiten Seite (118) des Chip-Gehäuses (210), wobei die Chip-Rückseiten-Metallisierungsschicht (238) die zumindest zwei weiteren Lötstrukturen (244) elektrisch miteinander verbindet.