公开(公告)号：DE102005054268B4

公开(公告)日：2012-04-26

申请号：DE102005054268

申请日：2005-11-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL DIPL ING ,  KESSLER ANGELIKA DR ,  SCHOBER WOLFGANG DR ,  HAIMERL ALFRED DR ,  MAHLER JOACHIM DR

IPC: H01L23/36 ,  H01L21/50 ,  H01L23/12 ,  H01L23/50

Abstract: Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauteils (1) mit mindestens einem Halbleiterchip (2), das folgende Schritte umfasst: – Bereitstellen eines Halbleiterchips (2) mit einer aktiven Oberseite (3) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten; – Bereitstellen eines Montagesubstrats (4) mit einer Vielzahl von elektrischen Kontakten (5); – Aufbringen des Halbleiterchips (2) auf das Montagesubstrat (4) und herstellen von elektrischen Verbindungen zwischen den elektrischen Kontakten auf der aktiven Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) und dem Montagesubstrat (4) über Bonddrähte (6); – Abscheiden einer lötbaren Zwischenschicht (7) auf die aktive Oberseite (3) des Halbleiterchips (2) unter Auslassen der elektrischen Kontakte; – Umhüllen des Halbeiterchips (2) und zumindest von Teilen des Montagesubstrats (4) mit einem Kunststoffgehäuse (8), wobei in dem Kunststoffgehäuse (8) eine Öffnung für einen Kühlkörper (9) freigehalten wird; – danach Auflöten eines Kühlkörpers (9) auf die Zwischenschicht (7), wobei der Kühlkörper (9) elektrisch mit dem Halbleiterchip (2) verbunden...

公开(公告)号：DE102006022067B4

公开(公告)日：2011-11-10

申请号：DE102006022067

申请日：2006-05-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HEITZER LUDWIG DIPL ING ,  STUEMPFL CHRISTIAN ,  BAUER MICHAEL DIPL ING

IPC: H01L21/60 ,  C09J9/02 ,  H01L23/48

Abstract: Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement mit einem auf einer Substratoberfläche (2) aufkontaktierten und befestigten Halbleiterelement (1), mit einem rückseitigen Beschichten des Halbleiterelementes und/oder der Substratoberfläche mit einer klebenden Struktur aus einer Klebstoffkombination, die eine sich verfestigende, erste Komponente (3) und eine elektrisch leitfähige, sich nicht verfestigende zweite Komponente (4) mit einem hochviskos und dauerklebrig bleibenden Haftklebstoff aufweist, und mit einem kontaktierenden Aufkleben des Halbleiterelementes auf die Substratoberfläche.

公开(公告)号：DE102005007486B4

公开(公告)日：2011-07-14

申请号：DE102005007486

申请日：2005-02-17

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： JEREBIC SIMON DIPL ING ,  BAUER MICHAEL DIPL ING ,  FUERGUT EDWARD DIPL ING ,  VILSMEIER HERMANN DIPL ING

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/58 ,  H01L23/482 ,  H05K13/04

Abstract: Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbarem Gehäuse (1) mit Flachleiterstücken (2) auf der Unterseite (3) des Gehäuses (1), die in eine Kunststoffgehäusemasse (4) eingebettet sind, wobei mindestens eine Außenkontaktfläche (5) der Flachleiterstücke (2) frei von Kunststoffgehäusemasse (4) ist, und wobei die Außenkontaktfläche (5) eine strukturierte lötbare Beschichtung (6) aufweist, wobei die Struktur der Beschichtung (6) einer einzigen Außenkontaktfläche (5) eine Vielzahl von elektrisch leitenden und mechanisch elastischen Kontaktelementen (8) aufweist, die auf der Außenkontaktfläche (5) angeordnet sind, wobei die Kontaktelemente (8) in Durchgangsöffnungen (11) einer strukturierten Kunststofffolie (12) angeordnet sind, wobei die Dicke (D) der Kunststofffolie (12) der Dicke (d) der strukturierten Beschichtung (6) entspricht und die Folie (12) – lediglich in den Bereichen strukturiert ist, in denen eine Vielzahl von Kontaktelementen (8) für entsprechende Außenkontaktflächen (5) zur Verfügung zu stellen ist und – in ihrer flächigen Erstreckung der flächigen Erstreckung der Unterseite (16) des Halbleiterbauteils (15) entspricht und in den...

公开(公告)号：DE102005037321B4

公开(公告)日：2013-08-01

申请号：DE102005037321

申请日：2005-08-04

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAHLER JOACHIM DR ,  HAIMERL ALFRED DR ,  SCHOBER WOLFGANG DR ,  BAUER MICHAEL DIPL ING ,  KESSLER ANGELA DR

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48

Abstract: Verfahren zur Herstellung von Halbleiterbauteilen (1) mit Leiterbahnen (4) zwischen Halbleiterchips (5) und einem Schaltungsträger (6) mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen, wobei das Verfahren folgende Verfahrensschritte aufweist: – Herstellen eines Schaltungsträgers (6) mit mehreren Halbleiterbauteilpositionen und Kontaktanschlussflächen (9), sowie mit Chipkontaktflächen (17); – Aufbringen von Halbleiterchips (5) mit ihren Rückseiten (18) auf die Chipkontaktflächen (17) in den Halbleiterbauteilpositionen; – Aufbringen von Leiterbahnen (4) aus elektrisch leitendem Polymer, die sich von Kontaktflächen (7) auf der Oberseite (8) des Halbleiterchips (5) bis zu Kontaktanschlussflächen (9) auf dem Schaltungsträger (6) erstrecken, wobei die Leiterbahnen (4) zweilagig aufgebracht werden, wobei eine untere Lage (21) nach dem Aufbringen durch thermische Behandlung und/oder Strahlungsbehandlung zu einer Isolationslage deaktiviert wird, die dann als Stütz- oder Überbrückungslage für eine obere Lage (22) aus dem gleichen elektrisch leitenden Polymer dient, welche anschließend aufgebracht und zu Leiterbahnen (4) strukturiert wird, wobei Kontaktanschlussflächen (9) sowie Kontaktflächen (7) von dem nichtleitenden Polymer freigehalten sind; – Einbetten des Halbleiterchips (5), der Leiterbahnen (4) und teilweise des Schaltungsträgers (6) in eine Kunststoffgehäusemasse (19).

公开(公告)号：DE102006033701B4

公开(公告)日：2012-02-23

申请号：DE102006033701

申请日：2006-07-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BAUER MICHAEL DIPL ING ,  STUEMPFL CHRISTIAN ,  HEITZER LUDWIG DIPL ING

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/56 ,  H01L23/50

Abstract: Herstellungsverfahren für ein elektronisches Bauelement, mit den Schritten: – Bereitstellen eines Opfersubstrates (20), – Verankern eines Halbleiterelementes auf dem Opfersubstrat, – Kontaktieren des Halbleiterelementes mit dem Opfersubstrat mit einem Ausbilden von Kontaktierungspunkten (30) auf dem Opfersubstrat, – Ausbilden einer Verkapselung (40) auf der mit dem Halbleiterelement bestückten Oberseite des Opfersubstrates, – Abtragen des Opfersubstrates mit einer Freilegung der Kontaktierungspunkte auf der Unterseite der Verkapselung, wobei als Opfersubstrat (20) ein auf der Oberseite metallisiertes ätz- und ablösbares Papier verwendet wird und das Abtragen des Opfersubstrats mittels eines kombinierten Ätz- und Abweichprozesses erfolgt.