公开(公告)号：DE102016107953A8

公开(公告)日：2018-01-18

申请号：DE102016107953

申请日：2016-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BECKMEIER DANIEL ,  MARTIN ANDREAS

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26 ,  H01L23/522 ,  H01Q1/22

公开(公告)号：DE102019105837A1

公开(公告)日：2020-09-10

申请号：DE102019105837

申请日：2019-03-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BECKMEIER DANIEL

IPC: H01L23/544 ,  H01L21/66 ,  H01L23/62

Abstract: Ein Halbleiter-Wafer umfasst ein Halbleitersubstrat (100) mit Chipgebieten (600) und einem Testgebiet (300) zwischen den Chipgebieten (600). Eine auf und/oder in dem Halbleitersubstrat (100) ausgebildete Prüfstruktur (310) umfasst eine dielektrische Struktur (312) und eine leitfähige Elektrode (314). Die leitfähige Elektrode (314) ist mit der dielektrischen Struktur (312) in Kontakt. Auf dem Halbleitersubstrat (100) ist im Testgebiet (300) ein Test-Pad (390)ausgebildet. Eine Sicherungsstruktur (350) ist in einem Strompfad (305) ausgebildet, der das Test-Pad (390) und die leitfähige Elektrode (314) elektrisch verbindet.

公开(公告)号：DE102016107953A1

公开(公告)日：2017-11-02

申请号：DE102016107953

申请日：2016-04-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTIN ANDREAS ,  BECKMEIER DANIEL

IPC: H01L23/544 ,  G01R31/26 ,  H01L23/522 ,  H01Q1/22

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine erste Teststruktur, umfassend einen ersten Abschnitt einer leitfähigen Struktur und einen zweiten Abschnitt der leitfähigen Struktur, die sich innerhalb einer ersten lateralen Verdrahtungsschicht eines Schichtstapels des Halbleiterbauelements befinden. Der erste Abschnitt der leitfähigen Struktur der ersten Teststruktur ist mit dem zweiten Abschnitt der leitfähigen Struktur der ersten Teststruktur durch einen dritten Abschnitt elektrisch verbunden, der sich innerhalb einer zweiten lateralen Verdrahtungsschicht des Schichtstapels befindet, die über der ersten lateralen Verdrahtungsschicht angeordnet ist. Ferner ist der ersten Abschnitt der leitfähigen Struktur der ersten Teststruktur mit einem Gate einer Testtransistorstruktur, einer Dotierungsregion der Testtransistorstruktur oder einer Elektrode eines Testkondensators elektrisch verbunden. Zusätzlich ist der erste Abschnitt der leitfähigen Struktur der ersten Teststruktur mit einer ersten Testanschlussfläche der ersten Teststruktur elektrisch verbunden.

公开(公告)号：DE102018128881A1

公开(公告)日：2020-05-20

申请号：DE102018128881

申请日：2018-11-16

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BECKMEIER DANIEL ,  MARTIN ANDREAS

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/58 ,  H01L23/60

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) bereitgestellt sein oder werden zum computergestützten Charakterisieren eines Schaltkreises (400), der eine Halbleiterschicht (202) und einen in der Halbleiterschicht (202) elektrisch isoliert eingebetteten Halbleiterbauelementbereich (204) aufweist, wobei der Halbleiterbauelementbereich (204) optional mit einer zu schützenden dielektrischen Schichtstruktur gekoppelt ist; das Verfahren aufweisend: Ermitteln einer Angabe (1602), welche eine Stärke einer elektrischen Aufladung des Halbleiterbauelementbereichs (204) von einem Herstellungsprozess, mittels dessen der Schaltkreis (400) hergestellt wird, gegenüber der Halbleiterschicht (202) repräsentiert, wobei beim Ermitteln der Angabe (1602) ein körperlicher Aufbau des Halbleiterbauelementbereichs (204) berücksichtigt wird; und Klassifizieren des Halbleiterbauelementbereichs (204) unter Berücksichtigung der Angabe (1602).

公开(公告)号：DE102017123508A1

公开(公告)日：2017-11-23

申请号：DE102017123508

申请日：2017-10-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MARTIN ANDREAS ,  BECKMEIER DANIEL

IPC: G06F17/50 ,  H01L23/58

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100, 200, 300) zum computergestützten Charakterisieren eines Schaltkreises (400), der eine Schutz-Schaltkreisstruktur (404) und ein zu schützendes Bauelement aufweist, welches von einem Herstellungsprozess (1300), mittels dessen der Schaltkreis (400) hergestellt wird, elektrisch aufgeladen wird, Folgendes aufweisend: Ermitteln (101) der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) für das zu schützende Bauelement, wobei die Schutz-Schaltkreisstruktur (404) elektrisch mit dem zu schützenden Bauelement verbunden ist; Ermitteln (103) einer Angabe, welche ein Vermögen der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) repräsentiert, einer elektrischen Aufladung des zu schützenden Bauelements während des Herstellungsprozesses (1300) entgegenzuwirken, wobei beim Ermitteln der Angabe ein körperlicher Aufbau und/oder eine Verschaltung der Schutz-Schaltkreisstruktur (404) berücksichtigt wird; und Klassieren (107) des zu schützenden Bauelements unter Berücksichtigung der Angabe.