公开(公告)号：DE102011082051B4

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：DE102011082051

申请日：2011-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPANKE REINHOLD ,  BREKEL WALERI ,  BENZLER YVONNE

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Halbleiteranordnung, die Folgendes umfasst:eine Grundplatte (102, 202);ein erstes, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150a, 204a, Insulated Gate Bipolar Transistor) und ein davon beabstandetes zweites, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150b, 204b, Insulated Gate Bipolar Transistor), wobei das erste und das zweite IGBT-Substrat (150a, 204a) einen IGBT-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Diodensubstrat (152a, 234a) und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Diodensubstrat (152b, 234b), wobei das erste und das zweite Diodensubstrat (152a, 234a) einen Dioden-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Steuersubstrat (104), ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Steuersubstrat (106), und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes drittes Steuersubstrat (108);Bonddrähte (156a, 236), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) direkt mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem ersten Steuersubstrat (104) koppeln;Bonddrähte (156b, 238), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) über ein auf dem ersten und ein auf dem zweiten Diodensubstrat (152a, 234a, 152b, 234b) bereitgestelltes zusätzliches Steuerpad mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und die das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem zweiten Steuersubstrat (106) koppeln, wobei die zusätzlichen Steuerpads dazu ausgebildet sind, Steuersignale für den IGBT-Zweig weiterzuleiten, und wobei die zusätzlichen Steuerpads nicht beim Betrieb der Dioden verwendet werden; und Bonddrähte (156c, 240), die das erste und zweite IGBT-Substrat (150a, 204a, 150b, 204b) über das zweite Diodensubstrat (152b, 234b) mit dem dritten Steuersubstrat (108) koppeln, wobeiwobei jedes des ersten und zweiten IGBT-Substrats (150a, 204a, 150b, 204b), des ersten und zweiten Diodensubstrats (152a, 234a, 152b, 234b) und des ersten,zweiten und dritten Steuersubstrats (104, 106, 108) ein metallisiertes Keramiksubstrat umfasst.

公开(公告)号：DE102011082051A1

公开(公告)日：2012-03-08

申请号：DE102011082051

申请日：2011-09-02

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SPANKE REINHOLD ,  BREKEL WALERI ,  BENZLER YVONNE

IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: Eine Halbleiteranordnung enthält eine Grundplatte und ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites IGBT-Substrat (Insulated Gate Bipolar Transistor). Die Halbleiteranordnung enthält ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites Diodensubstrat und ein an die Grundplatte gekoppeltes erstes, zweites und drittes Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat mit dem ersten Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das erste und zweite Diodensubstrat mit dem zweiten Steuersubstrat, und Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das zweite Diodensubstrat mit dem dritten Steuersubstrat.