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公开(公告)号:DE102006014582B4
公开(公告)日:2011-09-15
申请号:DE102006014582
申请日:2006-03-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAYERER REINHOLD DR , STROTMANN GUIDO , FROEBUS DIRK , SPANKE REINHOLD
Abstract: Halbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mindestens einem metallischen Stromverbindungselement (100; 100a, 100b), welches für einen Stromanschluss zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls und mit Schaltungsträgern (130, 131) und/oder Leiterbahnen im Inneren des Halbleitermoduls oder zur direkten Verbindung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement eingerichtet und von einem zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls führenden äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu einem oder mehreren modulinternen Kontaktabschnitten (101, 102, 103; 110) geführt ist und das wenigstens einen verformbaren Dehnungsbogen (D) aufweist, um den einen oder die mehreren modulinternen Kontaktabschnitte von auf das Halbleitermodul im Betrieb und/oder bei dessen Montage einwirkenden mechanischen Kräften zu entlasten, dadurch gekennzeichnet, dass – das Stromverbindungselement (100, 100a, 100b) als mehrlagiges Metallband ausgeführt ist, dessen Metalllagen (1, 2, 3, ..., n) wenigstens über einen Teil seiner Länge von dem äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu dem einen oder den mehreren modulinternen Kontaktabschnitt(en) (101, 102, 103; 110) entweder direkt oder...
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公开(公告)号:DE102013216035B3
公开(公告)日:2015-01-22
申请号:DE102013216035
申请日:2013-08-13
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: GRÖNING TORSTEN , SPANKE REINHOLD , FROEBUS DIRK , HUNGER THOMAS
Abstract: Ein Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein Leistungshalbleitermodul. Gemäß einem Beispiel der Erfindung umfasst das Leistungshalbleitermodul ein Leistungselektronik-Substrat mit einer Metallisierung und mehreren darauf angeordneten Leistungshalbleiterchips. Das Leistungshalbleitermodul umfasst des Weiteren ein Gehäuse, in dem das Leistungselektronik-Substrat angeordnet ist, und mindestens ein Anschlusselement, welches durch eine korrespondierende Öffnung im Gehäuse durchgeführt ist. Das Anschlusselement ist dabei von einer Dichtung umgeben, welche in einem Dichtspalt zwischen Anschlusselement und Gehäuse so angeordnet ist, dass dieser abgedichtet ist.
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公开(公告)号:DE102004035746B4
公开(公告)日:2009-04-16
申请号:DE102004035746
申请日:2004-07-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KUEHLE ELMAR , SPANKE REINHOLD
Abstract: A power sc module comprises a heat-conductive baseplate (1) having a mounting face (4) to a heat dissipating connection to a cooling element and individual components (8,9) with at least one power semiconductor (10-14) that are electrically insulated opposite the mounting surface. The baseplate is also electrically insulating.
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公开(公告)号:DE102004008208B4
公开(公告)日:2008-04-03
申请号:DE102004008208
申请日:2004-02-19
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: KLOS CHRISTOF , SPANKE REINHOLD , SCHILLING OLIVER
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公开(公告)号:DE102009000588B4
公开(公告)日:2022-11-03
申请号:DE102009000588
申请日:2009-02-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SPANKE REINHOLD , TSCHIRBS ROMAN LENNART
Abstract: Leistungshalbleitermodul mit einem Gehäuse, wobei das Gehäuse folgendes umfasst:eine Schalung und mindestens eine Beschichtung mit hohem Widerstand gegenüber Oberflächenkriechwegbildung; und mehrere an dem Gehäuse vorgesehene elektrische Leiter, wobei die Beschichtung auf einer Kriechstrecke zwischen den elektrischen Leitern angeordnet ist und den Widerstand gegenüber Oberflächenkriechwegbildung vergrößert, bei dem die Beschichtung eine erste Oberfläche und eine zweite Oberfläche umfasst, wobei sich die zweite Oberfläche gegenüber der ersten Oberfläche befindet, bei dem sich die zweite Oberfläche der Beschichtung in Kontakt mit einer äußeren Oberfläche der Schalung befindet, und bei dem die zweite Oberfläche der Beschichtung mehrere erste Rillen umfasst, die mit mehreren zweiten Rillen der äußeren Oberfläche der Schalung verzahnt sind.
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公开(公告)号:DE102005046404A1
公开(公告)日:2007-04-05
申请号:DE102005046404
申请日:2005-09-28
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BORGHOFF GEORG , NUEBEL THOMAS , SPANKE REINHOLD , WOELZ MARTIN
Abstract: The method involves rolling the metal base plates (4) in a preferential direction such as its longitudinal direction. The base plates can be made from copper or aluminium. Independent claim describes semi conductor module with semi conductor component (2) mounted on a base plate (4) which is rolled in its longitudinal direction.
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公开(公告)号:DE102011082051A1
公开(公告)日:2012-03-08
申请号:DE102011082051
申请日:2011-09-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SPANKE REINHOLD , BREKEL WALERI , BENZLER YVONNE
IPC: H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/98 , H01L23/522 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: Eine Halbleiteranordnung enthält eine Grundplatte und ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites IGBT-Substrat (Insulated Gate Bipolar Transistor). Die Halbleiteranordnung enthält ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites Diodensubstrat und ein an die Grundplatte gekoppeltes erstes, zweites und drittes Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat mit dem ersten Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das erste und zweite Diodensubstrat mit dem zweiten Steuersubstrat, und Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das zweite Diodensubstrat mit dem dritten Steuersubstrat.
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公开(公告)号:DE102006014582A1
公开(公告)日:2007-10-11
申请号:DE102006014582
申请日:2006-03-29
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: BAYERER REINHOLD , STROTMANN GUIDO , FROEBUS DIRK , SPANKE REINHOLD
Abstract: A semiconductor module having a current connection element designed for a high current carrying capability is disclosed. In one embodiment, the current connection element includes a plurality of metal layers which rest directly on one another.
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公开(公告)号:DE102011082051B4
公开(公告)日:2020-07-16
申请号:DE102011082051
申请日:2011-09-02
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SPANKE REINHOLD , BREKEL WALERI , BENZLER YVONNE
IPC: H01L25/18 , H01L21/60 , H01L21/98 , H01L23/522 , H01L29/739 , H01L29/861
Abstract: Halbleiteranordnung, die Folgendes umfasst:eine Grundplatte (102, 202);ein erstes, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150a, 204a, Insulated Gate Bipolar Transistor) und ein davon beabstandetes zweites, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150b, 204b, Insulated Gate Bipolar Transistor), wobei das erste und das zweite IGBT-Substrat (150a, 204a) einen IGBT-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Diodensubstrat (152a, 234a) und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Diodensubstrat (152b, 234b), wobei das erste und das zweite Diodensubstrat (152a, 234a) einen Dioden-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Steuersubstrat (104), ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Steuersubstrat (106), und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes drittes Steuersubstrat (108);Bonddrähte (156a, 236), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) direkt mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem ersten Steuersubstrat (104) koppeln;Bonddrähte (156b, 238), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) über ein auf dem ersten und ein auf dem zweiten Diodensubstrat (152a, 234a, 152b, 234b) bereitgestelltes zusätzliches Steuerpad mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und die das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem zweiten Steuersubstrat (106) koppeln, wobei die zusätzlichen Steuerpads dazu ausgebildet sind, Steuersignale für den IGBT-Zweig weiterzuleiten, und wobei die zusätzlichen Steuerpads nicht beim Betrieb der Dioden verwendet werden; und Bonddrähte (156c, 240), die das erste und zweite IGBT-Substrat (150a, 204a, 150b, 204b) über das zweite Diodensubstrat (152b, 234b) mit dem dritten Steuersubstrat (108) koppeln, wobeiwobei jedes des ersten und zweiten IGBT-Substrats (150a, 204a, 150b, 204b), des ersten und zweiten Diodensubstrats (152a, 234a, 152b, 234b) und des ersten,zweiten und dritten Steuersubstrats (104, 106, 108) ein metallisiertes Keramiksubstrat umfasst.
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公开(公告)号:DE102009000588A1
公开(公告)日:2009-10-01
申请号:DE102009000588
申请日:2009-02-03
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor: SPANKE REINHOLD , TSCHIRBS ROMAN LENNART
Abstract: A power semiconductor module comprises a housing. The housing comprises a casing and at least one coating of high resistance to surface tracking. A plurality of electrical conductors is provided on the housing. The coating is provided on a creepage distance that is provided between the electrical conductors.
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