中科微点-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

12 records (took 0.025 seconds)

    Halbleitermodul
    1.
    发明专利
    Halbleitermodul 未知

    公开(公告)号：DE102006014582B4

    公开(公告)日：2011-09-15

    申请号：DE102006014582

    申请日：2006-03-29

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： BAYERER REINHOLD DR ,  STROTMANN GUIDO ,  FROEBUS DIRK ,  SPANKE REINHOLD

    IPC: H01L23/48 ,  H01L25/07

    Abstract: Halbleitermodul mit mindestens einem Leistungshalbleiterbauelement und mindestens einem metallischen Stromverbindungselement (100; 100a, 100b), welches für einen Stromanschluss zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls und mit Schaltungsträgern (130, 131) und/oder Leiterbahnen im Inneren des Halbleitermoduls oder zur direkten Verbindung mit dem mindestens einen Leistungshalbleiterbauelement eingerichtet und von einem zum Äußeren (A) des Halbleitermoduls führenden äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu einem oder mehreren modulinternen Kontaktabschnitten (101, 102, 103; 110) geführt ist und das wenigstens einen verformbaren Dehnungsbogen (D) aufweist, um den einen oder die mehreren modulinternen Kontaktabschnitte von auf das Halbleitermodul im Betrieb und/oder bei dessen Montage einwirkenden mechanischen Kräften zu entlasten, dadurch gekennzeichnet, dass – das Stromverbindungselement (100, 100a, 100b) als mehrlagiges Metallband ausgeführt ist, dessen Metalllagen (1, 2, 3, ..., n) wenigstens über einen Teil seiner Länge von dem äußeren Verbindungsabschnitt (111) bis zu dem einen oder den mehreren modulinternen Kontaktabschnitt(en) (101, 102, 103; 110) entweder direkt oder...

    3.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102004035746B4

    公开(公告)日：2009-04-16

    申请号：DE102004035746

    申请日：2004-07-23

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： KUEHLE ELMAR ,  SPANKE REINHOLD

    IPC: H01L23/36 ,  H01L23/12 ,  H01L25/07

    Abstract: A power sc module comprises a heat-conductive baseplate (1) having a mounting face (4) to a heat dissipating connection to a cooling element and individual components (8,9) with at least one power semiconductor (10-14) that are electrically insulated opposite the mounting surface. The baseplate is also electrically insulating.

    Halbleiteranordnung
    7.
    发明专利
    Halbleiteranordnung 未知

    公开(公告)号：DE102011082051A1

    公开(公告)日：2012-03-08

    申请号：DE102011082051

    申请日：2011-09-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SPANKE REINHOLD ,  BREKEL WALERI ,  BENZLER YVONNE

    IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    Abstract: Eine Halbleiteranordnung enthält eine Grundplatte und ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites IGBT-Substrat (Insulated Gate Bipolar Transistor). Die Halbleiteranordnung enthält ein mit der Grundplatte gekoppeltes erstes und zweites Diodensubstrat und ein an die Grundplatte gekoppeltes erstes, zweites und drittes Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat mit dem ersten Steuersubstrat. Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das erste und zweite Diodensubstrat mit dem zweiten Steuersubstrat, und Bonddrähte koppeln das erste und zweite IGBT-Substrat über das zweite Diodensubstrat mit dem dritten Steuersubstrat.

    Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
    9.
    发明专利
    Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung 未知

    公开(公告)号：DE102011082051B4

    公开(公告)日：2020-07-16

    申请号：DE102011082051

    申请日：2011-09-02

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SPANKE REINHOLD ,  BREKEL WALERI ,  BENZLER YVONNE

    IPC: H01L25/18 ,  H01L21/60 ,  H01L21/98 ,  H01L23/522 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

    Abstract: Halbleiteranordnung, die Folgendes umfasst:eine Grundplatte (102, 202);ein erstes, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150a, 204a, Insulated Gate Bipolar Transistor) und ein davon beabstandetes zweites, mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes IGBT-Substrat (150b, 204b, Insulated Gate Bipolar Transistor), wobei das erste und das zweite IGBT-Substrat (150a, 204a) einen IGBT-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Diodensubstrat (152a, 234a) und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Diodensubstrat (152b, 234b), wobei das erste und das zweite Diodensubstrat (152a, 234a) einen Dioden-Zweig eines Chopper-Moduls bereitstellen;ein mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes erstes Steuersubstrat (104), ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes zweites Steuersubstrat (106), und ein davon beabstandetes mit der Grundplatte (102, 202) gekoppeltes drittes Steuersubstrat (108);Bonddrähte (156a, 236), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) direkt mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem ersten Steuersubstrat (104) koppeln;Bonddrähte (156b, 238), die das erste IGBT-Substrat (150a, 204a) über ein auf dem ersten und ein auf dem zweiten Diodensubstrat (152a, 234a, 152b, 234b) bereitgestelltes zusätzliches Steuerpad mit dem zweiten IGBT-Substrat (150b, 204b) und die das zweite IGBT-Substrat (150b, 204b) mit dem zweiten Steuersubstrat (106) koppeln, wobei die zusätzlichen Steuerpads dazu ausgebildet sind, Steuersignale für den IGBT-Zweig weiterzuleiten, und wobei die zusätzlichen Steuerpads nicht beim Betrieb der Dioden verwendet werden; und Bonddrähte (156c, 240), die das erste und zweite IGBT-Substrat (150a, 204a, 150b, 204b) über das zweite Diodensubstrat (152b, 234b) mit dem dritten Steuersubstrat (108) koppeln, wobeiwobei jedes des ersten und zweiten IGBT-Substrats (150a, 204a, 150b, 204b), des ersten und zweiten Diodensubstrats (152a, 234a, 152b, 234b) und des ersten,zweiten und dritten Steuersubstrats (104, 106, 108) ein metallisiertes Keramiksubstrat umfasst.

    10.
    发明专利
    未知

    公开(公告)号：DE102009000588A1

    公开(公告)日：2009-10-01

    申请号：DE102009000588

    申请日：2009-02-03

    Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

    Inventor： SPANKE REINHOLD ,  TSCHIRBS ROMAN LENNART

    IPC: H01L23/10 ,  H01L23/29 ,  H01L23/36

    Abstract: A power semiconductor module comprises a housing. The housing comprises a casing and at least one coating of high resistance to surface tracking. A plurality of electrical conductors is provided on the housing. The coating is provided on a creepage distance that is provided between the electrical conductors.

Patent Agency Ranking