System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator

    公开(公告)号:DE102015212090B9

    公开(公告)日:2018-06-28

    申请号:DE102015212090

    申请日:2015-06-29

    Abstract: Oszillator, welcher Folgendes umfasst:eine Tankschaltung undeine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt ist.

    Hochfrequenzverzögerungsleitung
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102018100453A1

    公开(公告)日:2018-07-12

    申请号:DE102018100453

    申请日:2018-01-10

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform ist eine Hochfrequenzverzögerungsleitung beschrieben, die einen ersten Leiter (1101), der mehrere erste Induktivitäten (1103) umfasst, einen zweiten Leiter (1102), der mehrere zweite Induktivitäten (1104) umfasst, wobei jede der mehreren ersten Induktivitäten (1103) einer jeweiligen der mehreren zweiten Induktivitäten (1104) entspricht, und mehrere Induktivitätspaare (1105), wobei jedes Induktivitätspaar (1105) eine erste Induktivität (1106) und die entsprechende zweite Induktivität (1107) umfasst, umfasst. Für jedes der mehreren Induktivitätspaare (1105) sind die erste Induktivität (1106) und die entsprechende zweite Induktivität (1107) so angeordnet, dass eine Induktivitätsfläche der ersten Induktivität (1106) mit einer Induktivitätsfläche der entsprechenden zweiten Induktivität (1107) überlappt.

    System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator

    公开(公告)号:DE102015212090A1

    公开(公告)日:2016-01-07

    申请号:DE102015212090

    申请日:2015-06-29

    Abstract: Gemäß einer Ausführungsform umfasst ein Oszillator eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung mit mehreren über Kreuz geschalteten Verbundtransistoren, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind. Jeder der mehreren Verbundtransistoren umfasst einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, die mit der Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist.

    System und Verfahren für einen spannungsgesteuerten Oszillator

    公开(公告)号:DE102015212090B4

    公开(公告)日:2017-11-02

    申请号:DE102015212090

    申请日:2015-06-29

    Abstract: Oszillator, welcher Folgendes umfasst: eine Tankschaltung und eine Oszillatorkernschaltung, welche mehrere über Kreuz geschaltete Verbundtransistoren umfasst, die mit der Tankschaltung gekoppelt sind, wobei jeder der mehreren Verbundtransistoren einen Bipolartransistor und einen Feldeffekttransistor (FET) mit einer Source-Elektrode, welche mit einer Basis des Bipolartransistors gekoppelt ist, umfasst, wobei eine Drain-Elektrode des FETs mit einem Kollektor des Bipolartransistors gekoppelt ist.

Patent Agency Ranking