公开(公告)号：DE102016115801B4

公开(公告)日：2020-10-29

申请号：DE102016115801

申请日：2016-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHOJANI RITESHKUMAR ,  LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  BABURSKE ROMAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF

IPC: H01L29/739

Abstract: Transistorbauelement, das aufweist:ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, und zumindest eine Booststruktur (30);eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist,wobei das Bodygebiet (13) zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet ist, das Feldstoppgebiet (15) zwischen dem Driftgebiet (11) und der Booststruktur (30) angeordnet ist, und die Booststruktur (30) zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet ist,wobei die zumindest eine Booststruktur (30) ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp aufweist,und wobei eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements höher ist als eine Durchbruchsladung des Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15).

公开(公告)号：DE102016115801A1

公开(公告)日：2018-03-01

申请号：DE102016115801

申请日：2016-08-25

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BHOJANI RITESHKUMAR ,  LUTZ JOSEF ,  SCHULZE HANS JOACHIM ,  BABURSKE ROMAN ,  NIEDERNOSTHEIDE FRANZ JOSEF

IPC: H01L29/739

Abstract: Es ist ein Transistorbauelement offenbart. Das Transistorbauelement weist ein erstes Emittergebiet (12) von einem ersten Dotierungstyp, ein zweites Emittergebiet (14) von einem zweiten Dotierungstyp, ein Bodygebiet (13) vom zweiten Dotierungstyp, ein Driftgebiet (11) vom ersten Dotierungstyp, ein Feldstoppgebiet (15) vom ersten Dotierungstyp, zumindest eine Booststruktur (30) und eine Gateelektrode (21), die durch ein Gatedielektrikum (22) gegenüber dem Bodygebiet (13) dielektrisch isoliert ist, auf. Das Bodygebiet (13) ist zwischen dem ersten Emittergebiet (12) und dem Driftgebiet (11) angeordnet, das Feldstoppgebiet (15) ist zwischen dem Driftgebiet (11) und der zumindest einen Booststruktur (30) angeordnet, und die Booststruktur (30) ist zwischen dem Feldstoppgebiet (15) und dem zweiten Emittergebiet (14) angeordnet. Die zumindest eine Booststruktur (30) weist ein Basisgebiet (33) vom ersten Dotierungstyp und zumindest ein durch das Basisgebiet von dem zweiten Emittergebiet (14) getrenntes Hilfsemittergebiet (31) vom zweiten Dotierungstyp auf. Eine Gesamtdotierstoffdosis in dem Driftgebiet (11) und dem Feldstoppgebiet (15) in einer Stromflussrichtung des Transistorbauelements ist höher als eine Durchbruchsladung eines Halbleitermaterials des Driftgebiets (11) und des Feldstoppgebiets (15).