公开(公告)号：DE102023209400A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023209400

申请日：2023-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BISWAS ARNAB ,  COTOROGEA MARIA ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SENG PHILIPP

IPC: H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D62/85

Abstract: Leistungshalbleiterdiode (1), umfassend: einen Halbleiterkörper (10) mit einem Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit einem Anodengebiet (102) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei das Anodengebiet (102) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist; einen zweiten Lastanschluss (12) an einer zweiten Seite (120) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit sowohl Kathodengebieten (107) des ersten Leitfähigkeitstyps als auch Short-Gebieten (108) des zweiten Leitfähigkeitstyps eines dotierten Gebiets (109), wobei das dotierte Gebiet (109) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist. Leistungshalbleiterdiode (1) konfiguriert ist, um einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Ein erster Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Kathodengebieten (107) durchquert. Ein zweiter Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Short-Gebieten (108) durchquert. Mindestens ein Widerstandselement (13) ist außerhalb des Halbleiterkörpers (10) innerhalb des zweiten Laststrompfads angeordnet, wobei das mindestens eine Widerstandselement (13) einen Widerstand mit einem positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.