公开(公告)号：WO02101837A3

公开(公告)日：2003-05-01

申请号：PCT/EP0206018

申请日：2002-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG ,  PEICHL RAIMUND ,  SENG PHILIPP

Inventor： PEICHL RAIMUND ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L29/868

Abstract: The invention relates to a PIN diode (10) comprising a first p region (16) on a first surface (12) of a substrate (14), an n region (18) on the first surface (12) of the substrate (14), and an intermediate region (20) on the first surface (12) of the substrate (14) between the p region (16) and the n region (18). A dopant concentration of the intermediate region (20) is lower than a dopant concentration of the p region (16) and lower than a dopant concentration of the n region (18). Said PIN diode also comprises a first electroconductive component (26) which is arranged on one of the sides of the p region, opposite the intermediate region (20), and a second electroconductive component (28) which is arranged on one of the sides of the n region (18), opposite the intermediate region (20). Preferably, the PIN diode (10) is separated from the substrate (14) by an insulating layer (22), is covered on its surface opposite the substrate (14) by another insulating layer (24), and is laterally surrounded by a trench (34) which is filled with an insulating material, in such a way that it is essentially fully encapsulated in an insulated manner.

Abstract translation: 的PIN二极管（10）包括在所述基板（14）的第一表面（12）上的基板（14），正区域（18）的第一表面（12）的第一p型区域（16）和一个 p-区（16）和n型区域（18）之间的衬底（14）的第一表面（12），其中，所述中间区域（20）的掺杂浓度比所述p型区域的掺杂浓度低于中间区域（20） （16）和比所述n型区域（18）的掺杂浓度低。 此外，PIN二极管包括固定到中的一个的第一导电构件（26），被布置为从该中间区域中的一个（20）的面向远离所述p-区（16）的一侧，和第二导电构件（28） 从中间区域（20）背向所述n型区域（18）的侧布置。 PIN二极管（10）是最好由另一绝缘层（24）通过绝缘层（22），从基板背对（14）表面分离的衬底（14）的覆盖，并从一个侧向绝缘用 材料填充的沟槽（34）所环绕，使得它基本上被完全绝缘封装。

公开(公告)号：DE102023209400A1

公开(公告)日：2025-03-27

申请号：DE102023209400

申请日：2023-09-26

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： BISWAS ARNAB ,  COTOROGEA MARIA ,  PFAFFENLEHNER MANFRED ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SENG PHILIPP

IPC: H10D8/00 ,  H10D12/00 ,  H10D30/60 ,  H10D62/10 ,  H10D62/832 ,  H10D62/85

Abstract: Leistungshalbleiterdiode (1), umfassend: einen Halbleiterkörper (10) mit einem Driftgebiet (100) eines ersten Leitfähigkeitstyps; einen ersten Lastanschluss (11) an einer ersten Seite (110) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit einem Anodengebiet (102) eines zweiten Leitfähigkeitstyps, wobei das Anodengebiet (102) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist; einen zweiten Lastanschluss (12) an einer zweiten Seite (120) des Halbleiterkörpers (10) und gekoppelt mit sowohl Kathodengebieten (107) des ersten Leitfähigkeitstyps als auch Short-Gebieten (108) des zweiten Leitfähigkeitstyps eines dotierten Gebiets (109), wobei das dotierte Gebiet (109) in dem Halbleiterkörper (10) angeordnet und mit dem Driftgebiet (100) gekoppelt ist. Leistungshalbleiterdiode (1) konfiguriert ist, um einen Laststrom zwischen dem ersten Lastanschluss (11) und dem zweiten Lastanschluss (12) zu leiten. Ein erster Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Kathodengebieten (107) durchquert. Ein zweiter Pfad des Laststroms jedes von dem Anodengebiet (102), dem Driftgebiet (100) und den Short-Gebieten (108) durchquert. Mindestens ein Widerstandselement (13) ist außerhalb des Halbleiterkörpers (10) innerhalb des zweiten Laststrompfads angeordnet, wobei das mindestens eine Widerstandselement (13) einen Widerstand mit einem positiven Temperaturkoeffizienten aufweist.

公开(公告)号：DE102016112490B4

公开(公告)日：2022-05-25

申请号：DE102016112490

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement (100, 200), umfassend:eine Anodendotierungsregion (101) einer Diodenstruktur, die in einem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei die Anodendotierungsregion (101) einen ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;eine Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103), die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei die Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) an einer Oberfläche (104) des Halbleitersubstrats (102) angeordnet ist und in dem Halbleitersubstrat (102) von der Anodendotierungsregion (101) umgeben ist,wobei die Anodendotierungsregion (101) einen vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitt (105) vom ersten Leitfähigkeitstyp aufweist, wobei zumindest ein Teil des vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitts (105) unter der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) in dem Halbleitersubstrat (102) angeordnet ist, wobei der vergrabene, nicht verarmbare Abschnitt (105) vollständig von Halbleitermaterial des Halbleitersubstrats (102) umgeben ist; undeine Driftregion (211) der Diodenstruktur angeordnet zwischen der Anodendotierungsregion (101) und einer zweiten Oberfläche des Halbleitersubstrats (102), wobei die Driftregion (211) den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist und wobei zumindest ein Abschnitt der Anodendotierungsregion (101) zwischen der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion (103) und der Driftregion (211) angeordnet ist.

公开(公告)号：DE10127952A1

公开(公告)日：2002-12-19

申请号：DE10127952

申请日：2001-06-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SENG PHILIPP ,  PEICHL RAIMUND

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868

Abstract: A process for making a lateral PIN diode comprises forming separated p (16) and n (18) regions on a substrate (14) and forming between these on the substrate a region (20) having a lower dopant concentration than either the p- or n- region. An Independent claim is also included for a PIN diode formed as above.

公开(公告)号：DE102016102070A1

公开(公告)日：2017-08-10

申请号：DE102016102070

申请日：2016-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78

Abstract: Ein Verfahren zum Bilden eines Halbleiterbauelements umfasst ein Einbringen von ersten Dotierstoffatomen eines ersten Leitfähigkeitstyps in ein Halbleitersubstrat, um eine erste Dotierungsregion zu bilden, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist. Ferner umfasst das Verfahren ein Bilden einer epitaxialen Halbleiterschicht auf dem Halbleitersubstrat und ein Einbringen von zweiten Dotierstoffatomen eines zweiten Leitfähigkeitstyps vor oder nach dem Bilden der epitaxialen Halbleiterschicht, um eine zweite Dotierungsregion, die den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, benachbart zu der ersten Dotierungsregion zu bilden, sodass sich ein pn-Übergang zwischen der ersten Dotierungsregion und der zweiten Dotierungsregion befindet. Der pn-Übergang befindet sich in einer vertikalen Distanz von weniger als 5 μm zu einer Grenzfläche zwischen dem Halbleitersubstrat und der epitaxialen Halbleiterschicht. Zusätzlich umfasst das Verfahren ein Dünnen des Halbleitersubstrats basierend auf einem selbstjustierten Dünnungsprozess. Der selbstjustierte Dünnungsprozess ist selbstgesteuert basierend auf der Stelle des pn-Übergangs.

公开(公告)号：DE50203577D1

公开(公告)日：2005-08-11

申请号：DE50203577

申请日：2002-05-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： PEICHL RAIMUND ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L21/329 ,  H01L29/868

公开(公告)号：DE102016102070B4

公开(公告)日：2022-05-12

申请号：DE102016102070

申请日：2016-02-05

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L21/336 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: Ein Verfahren (100) zum Bilden eines Halbleiterbauelements, umfassend:Einbringen (110) einer ersten Dotierstoffdosis von ersten Dotierstoffatomen eines ersten Leitfähigkeitstyps in ein Halbleitersubstrat, um eine erste Dotierungsregion zu bilden, die den ersten Leitfähigkeitstyp aufweist;Bilden (120) einer epitaxialen Halbleiterschicht auf dem Halbleitersubstrat;Einbringen (130) einer zweiten Dotierstoffdosis von zweiten Dotierstoffatomen eines zweiten Leitfähigkeitstyps vor oder nach dem Bilden der epitaxialen Halbleiterschicht, um eine zweite Dotierungsregion, die den zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist, benachbart zu der ersten Dotierungsregion zu bilden, sodass sich ein pn-Übergang zwischen der ersten Dotierungsregion und der zweiten Dotierungsregion befindet, wobei der pn-Übergang sich in einer vertikalen Distanz von weniger als 5 µm zu einer Grenzfläche zwischen dem Halbleitersubstrat und der epitaxialen Halbleiterschicht befindet,wobei sich die erste Dotierstoffdosis von ersten Dotierstoffatomen und die zweite Dotierstoffdosis von zweiten Dotierstoffatomen um weniger als 10 % der ersten Dotierstoffdosis von ersten Dotierstoffatomen unterscheiden; undDünnen (140) des Halbleitersubstrats basierend auf einem selbstjustierten Dünnungsprozess, wobei der selbstjustierte Dünnungsprozess selbstgesteuert ist basierend auf der Lage des pn-Übergangs.

公开(公告)号：DE102016112490A1

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：DE102016112490

申请日：2016-07-07

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  PFIRSCH FRANK ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  WILLMEROTH ARMIN ,  SENG PHILIPP

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36

Abstract: Ein Halbleiterbauelement umfasst eine Anodendotierungsregion einer Diodenstruktur, die in einem Halbleitersubstrat angeordnet ist. Die Anodendotierungsregion weist einen ersten Leitfähigkeitstyp auf. Das Halbleiterbauelement umfasst ferner eine Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion, die einen zweiten Leitfähigkeitstyp aufweist. Die Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion ist an einer Oberfläche des Halbleitersubstrats angeordnet und in dem Halbleitersubstrat von der Anodendotierungsregion umgeben. Die Anodendotierungsregion weist einen vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitt auf. Zumindest ein Teil des vergrabenen, nicht verarmbaren Abschnitts ist unter der Zweiter-Leitfähigkeitstyp-Kontaktdotierungsregion in dem Halbleitersubstrat angeordnet.

公开(公告)号：DE102013100219A1

公开(公告)日：2013-07-11

申请号：DE102013100219

申请日：2013-01-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SENG PHILIPP ,  MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L29/868 ,  H01L21/205 ,  H01L21/285 ,  H01L21/329

Abstract: Es wird eine Halbleiterdiode bereitgestellt. Die Halbleiterdiode enthält einen monokristallinen Siliziumhalbleiterkörper (40), der ein erstes Halbleitergebiet (1) von einem ersten Leitfähigkeitstyp, das sich zu einer ersten Oberfläche (101) des Halbleiterkörper (40) erstreckt und eine erste maximale Dotierkonzentration aufweist, und ein zweites Halbleitergebiet (2) von einem zweiten Leitfähigkeitstyp, das mit dem ersten Halbleitergebiet (1) einen pn-Übergang (14) ausbildet, enthält. Die Halbleiterdiode enthält weiterhin ein polykristallines Siliziumhalbleitergebiet (10A, 11) vom ersten Leitfähigkeitstyp mit einer zweiten maximalen Dotierkonzentration, die höher ist als die erste maximale Dotierkonzentration, und an das erste Halbleitergebiet (1) auf der ersten Oberfläche (101) angrenzend, eine auf dem polykristallinen Siliziumhalbleitergebiet (10A, 11) angeordnete und mit dem polykristallinen Halbleitergebiet in elektrischem Kontakt stehende erste Metallisierung (6) und eine Randabschlussstruktur (1b, 9, 10b–d), die bei dem ersten Halbleitergebiet (1) angeordnet ist. Weiterhin wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiterdiode bereitgestellt.