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公开(公告)号：DE102012219686B4
公开(公告)日：2021-05-06
申请号：DE102012219686
申请日：2012-10-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JONES PATRICK , CHRISTMANN ANDRE , DOMES DANIEL
Abstract: Leistungsmodul umfassend:ein Substrat (118) mit einem isolierenden Element (120) und einer auf das isolierende Element (120) aufgebrachten strukturierten Metallisierung (122), wobei die strukturierte Metallisierung (122) zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen (124) segmentiert ist, wobei zueinander benachbarte der Metallisierungsbereiche (124) jeweils durch eine Fuge (126), die sich jeweils durch die strukturierte Metallisierung (122) hindurch bis zu dem isolierenden Element (120) erstreckt, voneinander beabstandet sind;einen ersten Leistungstransistorschaltkreis (114), der einen ersten Leistungsschalter (128) umfasst, der an einem ersten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter (130), der an einem zweiten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist, welcher zu einer ersten Seite (132) des ersten Metallisierungsbereichs (124) benachbart ist; undeinen zweiten Leistungstransistorschaltkreis (116), der einen dritten Leistungsschalter (134) umfasst, der an dem ersten Metallisierungsbereich (124) befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter (136), der an einem dritten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist, welcher benachbart zu einer an einem der ersten Seite (132) entgegengesetzten Ende des ersten Metallisierungsbereichs (124) liegenden zweiten Seite (138) des ersten Metallisierungsbereichs (124) angeordnet ist, wobei der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116) so aufgebaut ist, dass ein in ihm auftretender Stromfluss spiegelsymmetrisch ist zu einem im ersten Leistungstransistorschaltkreis (114) auftretenden Stromfluss.
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公开(公告)号：DE102012200863A1
公开(公告)日：2012-09-20
申请号：DE102012200863
申请日：2012-01-23
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： CHRISTMANN ANDRE , JONES PATRICK
Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst einen Halbleiterchip (136) und eine Grundplatte (102), die mit dem Halbleiterchip (136) gekoppelt ist. Die Grundplatte (102) umfasst einen oberen und einen unteren Abschnitt (112, 114). Der obere Abschnitt (112) weist eine Bodenfläche (106) auf, die sich mit einer Seitenwand (108) des unteren Abschnitts (114) trifft. Die Halbleitervorrichtung umfasst ein Kühlelement (160), das mit der Grundplatte (102) gekoppelt ist. Das Kühlelement (160) weist eine erste Fläche (166) auf, die direkt mit der Bodenfläche (106) des oberen Abschnitts (112) der Grundplatte (102) in Berührung ist, eine zweite Fläche (170), die die Seitenwand (108) des unteren Abschnitts (114) der Grundplatte (102) direkt berührt, und eine dritte Fläche (168), die parallel zu der ersten Fläche (166) verläuft und die bündig zu einer Bodenfläche (110) des unteren Abschnitts (114) der Grundplatte (102) angeordnet ist.
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公开(公告)号：DE102012219791A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：DE102012219791
申请日：2012-10-30
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JONES PATRICK , CHRISTMANN ANDRE
Abstract: Ein Leistungsmodul umfasst ein Gehäuse (102), einen oder mehrere in dem Gehäuse untergebrachte Leistungshalbleiterchips (202), einen ersten Leistungsanschluss (104) und einen zweiten Leistungsanschluss (106). Der erste Leistungsanschluss (104) ist in das Gehäuse (102) eingebettet und elektrisch leitend mit einem der Leistungshalbleiterchips (202) verbunden ist. Dabei erstreckt sich ein Teil des ersten Leistungsanschlusses (104) von einer äußeren Oberfläche (114) des Gehäuses (102) nach Außen. Der zweite Leistungsanschluss (106), der ebenfalls in das Gehäuse (102) eingebettet ist, ist elektrisch leitend mit demselben oder einem anderen in dem Gehäuse (102) angeordneten der Leistungshalbleiterchips (202) verbunden und gegenüber dem ersten Leistungsanschluss (104) elektrisch isoliert ist. Dabei erstreckt sich ein Teil des zweiten Leistungsanschlusses (106) von der äußeren Oberfläche des Gehäuses (114) um einen zweiten Abstand (HPT2) nach Außen, der kleiner ist als ein erster Abstand (HPT1), um den sich der entsprechende Teil des ersten Leistungsanschlusses (104) von der äußeren Oberfläche (114) des Gehäuses (102) nach Außen erstreckt. Hierdurch umfasst das Modul Leistungsanschlüsse (104, 106), deren gehäuseferne Enden (120, 122) über dem Modulgehäuse (102) unterschiedliche Höhen (HPT1, HPT2) aufweisen.
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公开(公告)号：DE102012219686A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：DE102012219686
申请日：2012-10-26
Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG
Inventor： JONES PATRICK , CHRISTMANN ANDRE , DOMES DANIEL
Abstract: Ein Leistungsmodul umfasst ein Substrat (118) mit einem isolierenden Element (120) und einer auf das isolierende Element (120) aufgebrachten strukturierten Metallisierung (122). Die strukturierten Metallisierung (122) ist zu einer Anzahl von voneinander beabstandeten Metallisierungsbereichen (124) segmentiert, wobei zueinander benachbarte der Metallisierungsbereiche (124) durch eine Fuge (126), die sich durch die strukturierte Metallisierung (122) hindurch bis zu dem isolierenden Element (120) erstreckt, voneinander beabstandet sind. Weiterhin umfasst das Modul einen ersten Leistungstransistorschaltkreis (114), der einen ersten Leistungsschalter (128) umfasst, welcher an einem ersten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist, sowie einen zweiten Leistungsschalter (130), welcher an einem zweiten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist. Der zweite der Metallisierungsbereiche (124) ist benachbart zu einer ersten Seite (132) des ersten Metallisierungsbereichs (124) angeordnet. Außerdem enthält das Modul einen zweiten Leistungstransistorschaltkreis (116), der einen dritten Leistungsschalter (134) umfasst, welcher an dem ersten Metallisierungsbereich (124) befestigt ist, sowie einen vierten Leistungsschalter (136), welcher an einem dritten der Metallisierungsbereiche (124) befestigt ist. Der dritte der Metallisierungsbereiche (124) ist benachbart zu einer zweiten Seite (138) des ersten Metallisierungsbereichs (124) angeordnet, die der ersten Seite (132) entgegengesetzt ist, wobei der zweite Leistungstransistorschaltkreis (116) den ersten Leistungstransistorschaltkreis (114) spiegelt.
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