公开(公告)号：DE102018203100B3

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102018203100

申请日：2018-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RANACHER CHRISTIAN ,  TORTSCHANOFF ANDREAS ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  CONSANI CHRISTINA ,  ABASAHL BANAFSHEH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J3/02 ,  G01J3/26 ,  G01N21/552 ,  G01N27/12

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft ein MEMS-Bauteil (10) mit einem Halbleitersubstratstapel (11) aufweisend ein erstes Halbleitersubstrat (11A) und ein damit verbundenes zweites Halbleitersubstrat (11B), wobei der Halbleitersubstratstapel (11) einen Hohlraum (12) aufweist, der innerhalb des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats (11A, 11B) ausgebildet ist, und wobei zumindest das erste oder das zweite Halbleitersubstrat (11A, 11B) eine Zugangsöffnung (13) zum Gasaustausch zwischen dem Hohlraum (12) und einer Umgebung (14) aufweist. An dem ersten Halbleitersubstrat (11A) ist eine Strahlungsquelle (15) angeordnet, die ausgebildet ist, um Strahlung (16a, 16b, 16c) in den Hohlraum (12) zu emittieren, und an dem zweiten Halbleitersubstrat (11B) ist ein Strahlungsdetektor (17) angeordnet, der ausgebildet ist, um zumindest einen Teil (16b) der von der Strahlungsquelle (15) durch den Hohlraum (12) hindurch emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) zu empfangen. In einem Strahlengang (18) zwischen der Strahlungsquelle (15) und dem Strahlungsdetektor (17) sind zwei voneinander beabstandete Reflektionselemente (21, 22) zum Reflektieren der emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) angeordnet, wobei zumindest ein Reflektionselement (22) für die emittierte Strahlung (16a, 16b, 16c) von Seiten des Hohlraums (12) in Richtung des Strahlungsdetektors (17) teildurchlässig ist, und wobei ein Zwischenraum (19) zwischen den zwei voneinander beabstandeten Reflektionselementen (21, 22) eine Länge aufweist, die mindestens das Zehnfache der Wellenlänge der emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) beträgt.