公开(公告)号：DE102015122944A1

公开(公告)日：2016-06-30

申请号：DE102015122944

申请日：2015-12-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： IRSIGLER PETER ,  RUHL GÜNTHER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/02 ,  B82B3/00 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  C01B31/02 ,  D01F9/12 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786

Abstract: In verschiedenen Ausführungsformen ist ein Verfahren (700) zum Ausbilden einer Graphenstruktur bereitgestellt. Das Verfahren (700) kann das Ausbilden eines Körpers, der zumindest einen Vorsprung umfasst (710), und das Ausbilden einer Graphenschicht an einer Außenumfangsfläche des zumindest einen Vorsprungs umfassen (720).

公开(公告)号：DE102015118309A1

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：DE102015118309

申请日：2015-10-27

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： GRIEBL ERICH ,  IRSIGLER PETER ,  MOSER ANDREAS ,  PIRKER MANFRED ,  ZELSACHER RUDOLF

IPC: H01L21/66 ,  H01L23/544

Abstract: Gemäß verschiedenen Ausführungsformen kann ein Verfahren (100) zum Bearbeiten eines Substrats umfassen: Ausbilden einer dielektrischen Schicht über dem Substrat, wobei die dielektrische Schicht eine Vielzahl von Testbereichen umfassen kann (11); Ausbilden einer elektrisch leitfähigen Schicht über der dielektrischen Schicht, um die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen zu kontaktieren (12); gleichzeitiges elektrisches Prüfen der dielektrischen Schicht in der Vielzahl von Testbereichen, wobei Abschnitte der elektrisch leitfähigen Schicht, die die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen kontaktieren, mithilfe eines elektrisch leitfähigen Materials elektrisch leitend miteinander verbunden werden (13); und Trennen voneinander der elektrisch leitfähigen Schicht in Abschnitte der elektrisch leitfähigen Schicht, die die dielektrische Schicht in der Vielzahl von Testbereichen kontaktieren (14).

公开(公告)号：DE102015213757A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015213757

申请日：2015-07-21

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DENIFL GUENTER ,  FRISCHMUTH TOBIAS ,  GRILLE THOMAS ,  HEDENIG URSULA ,  IRSIGLER PETER ,  KAHN MARKUS ,  MAURER DANIEL ,  SCHMID ULRICH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  H04R7/02

Abstract: Eine mikromechanische Struktur umfasst ein Substrat und eine funktionelle Struktur, die auf dem Substrat angeordnet ist. Die funktionelle Struktur umfasst ein funktionelles Gebiet, das in Bezug auf das Substrat ansprechend auf eine Kraft, die auf das funktionelle Gebiet einwirkt, auslenkbar ist. Die funktionelle Struktur umfasst ferner eine leitfähige Basisschicht, die ein leitfähiges Basisschichtmaterial aufweist. Die leitfähige Basisschicht umfasst sektional in einer Versteifungssektion ein Kohlenstoff Material, so dass eine Kohlenstoff Konzentration des Kohlenstoff Materials im leitfähigen Basisschichtmaterial wenigstens 1014 pro cm3 beträgt und wenigstens um einen Faktor von 103 höher ist als im leitfähigen Basisschichtmaterial angrenzend an die Versteifungssektion.

公开(公告)号：DE102014109147A1

公开(公告)日：2015-12-31

申请号：DE102014109147

申请日：2014-06-30

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： IRSIGLER PETER ,  LAVEN JOHANNES ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  STRACK HELMUT

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: Gemäß einer Ausführungsform wird ein Leistungs-Feldeffekttransistor vorgeschlagen, der ein Substrat, einen Kanal, eine Gate-Elektrode, und einen Gate-Isolator umfasst. Der Gate-Isolator ist zumindest teilweise zwischen der Gate-Elektrode und dem Kanal angeordnet, und umfasst ein Material, das eine Hysterese in Bezug auf seine Polarisation aufweist, so dass ein durch eine an der Gate-Elektrode angelegte Spannung erzeugter Schaltzustand des Transistors nach Abschalten der Spannung erhalten bleibt. Ferner wird eine Halbbrückenschaltung vorgeschlagen, umfassend einen High-Side-Transistor gemäß dem erfindungsgemäßen Aufbau, und einen Low-Side-Transistor, sowie Verfahren und Schaltungen zur Ansteuerung.

公开(公告)号：DE102013108946A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：DE102013108946

申请日：2013-08-19

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ZUNDEL MARKUS ,  MEISER ANDREAS ,  LANG HANS-PETER ,  MEYER THORSTEN ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L29/417 ,  H01L21/283 ,  H01L21/74 ,  H01L21/768 ,  H01L23/52

Abstract: Ein Ausführungsbeispiel einer Halbleitervorrichtung (100) umfasst einen Halbleiterkörper (105) mit einer ersten Seite (112) und einer zweiten Seite (117), die entgegengesetzt zu der ersten Seite (112) ist. Die Halbleitervorrichtung (100) umfasst außerdem einen ersten Kontakttrench (110), der sich in den Halbleiterkörper (105) an der ersten Seite (112) erstreckt. Der erste Kontakttrench (110) umfasst ein erstes leitendes Material (114), das elektrisch mit dem an den ersten Kontakttrench (110) angrenzenden Halbleiterkörper (105) gekoppelt ist. Der Halbleiter umfasst weiterhin einen zweiten Kontakttrench (115), der sich in den Halbleiterkörper (105) an der zweiten Seite (117) erstreckt. Der zweite Kontakttrench (115) umfasst ein zweites leitendes Material (119), das elektrisch mit dem an den zweiten Kontakttrench (115) angrenzenden Halbleiterkörper (105) gekoppelt ist.

公开(公告)号：DE102013111135B4

公开(公告)日：2022-05-05

申请号：DE102013111135

申请日：2013-10-08

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER

IPC: H01L21/223 ,  C30B33/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L21/335 ,  H01L21/383 ,  H01L29/739 ,  H01L29/772

Abstract: Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelements (100), das Folgendes umfasst:- Bereitstellen eines Wafers, der eine Hauptoberfläche (101) und eine an der Hauptoberfläche (101) angeordnete und eine Stickstoffkonzentration von mindestens etwa 5*1014cm-3aufweisende Siliziumschicht (40) umfasst; und- teilweises Ausdiffundieren von Stickstoff, um die Stickstoffkonzentration mindestens nahe an der Hauptoberfläche (101) zu reduzieren, sodass die Stickstoffkonzentration der Siliziumschicht (40) mindestens in einem ersten Abschnitt (41), der sich von der Hauptoberfläche (101) bis zu einer Tiefe von etwa 50 µm erstreckt, unter etwa 2*1014cm-3liegt und mindestens nahe an einer zweiten Oberfläche (102), die der Hauptoberfläche (101) gegenüberliegt, über etwa 5*1014cm-3liegt.

公开(公告)号：DE102016119799B4

公开(公告)日：2020-08-06

申请号：DE102016119799

申请日：2016-10-18

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： DIBRA DONALD ,  MEISER ANDREAS ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  WIESNER ROBERT ,  SCHULZE HANS-JOACHIM

IPC: H01L21/76 ,  H01L27/085 ,  H01L29/161 ,  H01L29/78

Abstract: Integrierte Schaltung, umfassend:einen Hohlraum (108), der in einem Halbleiterkörper (104) unter einer ersten Oberfläche (107) des Halbleiterkörpers (104) vergraben ist, und ein Dielektrikum, das ein Oxid von Silizium ist (126) und eine Oberfläche des Hohlraums auskleidet;einen Bereich aktiven Gebiets (112) des Halbleiterkörpers (104), der zwischen der ersten Oberfläche (107) und dem Hohlraum (108) angeordnet ist;eine Grabenisolierungsstruktur (125), die dafür eingerichtet ist, eine laterale elektrische Isolierung des Bereichs aktiven Gebiets (112) bereitzustellen, und wobeidie Grabenisolierungsstruktur (125) und das Dielektrikum ineinander übergehen und den Bereich aktiven Gebiets (112) von jedem umgebenden Teil des Halbleiterkörpers (104) elektrisch isolieren,die Grabenisolierungsstruktur (125) den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) vollständig umgibt, unddie Grabenisolierungsstruktur (125), die den Bereich aktiven Gebiets (112) an der ersten Oberfläche (107) umgibt, einen ersten Teil (1221, 1222) umfasst, der den Bereich aktiven Gebiets (112) in einem kleineren Ausmaß als ein zweiter Teil (122) umschließt, wobei eine laterale Breite des ersten Teils (1221, 1222), gemessen senkrecht zu einer Umfangslinie des Bereichs aktiven Gebiets an der ersten Oberfläche (107), größer als eine laterale Breite des zweiten Teils (122) ist.

公开(公告)号：DE102018203100B3

公开(公告)日：2019-03-28

申请号：DE102018203100

申请日：2018-03-01

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： RANACHER CHRISTIAN ,  TORTSCHANOFF ANDREAS ,  GRILLE THOMAS ,  IRSIGLER PETER ,  CONSANI CHRISTINA ,  ABASAHL BANAFSHEH

IPC: B81B3/00 ,  B81B7/02 ,  G01J3/02 ,  G01J3/26 ,  G01N21/552 ,  G01N27/12

Abstract: Die vorliegende Offenbarung betrifft ein MEMS-Bauteil (10) mit einem Halbleitersubstratstapel (11) aufweisend ein erstes Halbleitersubstrat (11A) und ein damit verbundenes zweites Halbleitersubstrat (11B), wobei der Halbleitersubstratstapel (11) einen Hohlraum (12) aufweist, der innerhalb des ersten und des zweiten Halbleitersubstrats (11A, 11B) ausgebildet ist, und wobei zumindest das erste oder das zweite Halbleitersubstrat (11A, 11B) eine Zugangsöffnung (13) zum Gasaustausch zwischen dem Hohlraum (12) und einer Umgebung (14) aufweist. An dem ersten Halbleitersubstrat (11A) ist eine Strahlungsquelle (15) angeordnet, die ausgebildet ist, um Strahlung (16a, 16b, 16c) in den Hohlraum (12) zu emittieren, und an dem zweiten Halbleitersubstrat (11B) ist ein Strahlungsdetektor (17) angeordnet, der ausgebildet ist, um zumindest einen Teil (16b) der von der Strahlungsquelle (15) durch den Hohlraum (12) hindurch emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) zu empfangen. In einem Strahlengang (18) zwischen der Strahlungsquelle (15) und dem Strahlungsdetektor (17) sind zwei voneinander beabstandete Reflektionselemente (21, 22) zum Reflektieren der emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) angeordnet, wobei zumindest ein Reflektionselement (22) für die emittierte Strahlung (16a, 16b, 16c) von Seiten des Hohlraums (12) in Richtung des Strahlungsdetektors (17) teildurchlässig ist, und wobei ein Zwischenraum (19) zwischen den zwei voneinander beabstandeten Reflektionselementen (21, 22) eine Länge aufweist, die mindestens das Zehnfache der Wellenlänge der emittierten Strahlung (16a, 16b, 16c) beträgt.

公开(公告)号：DE102016124968A1

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：DE102016124968

申请日：2016-12-20

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MAUDER ANTON ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  IRSIGLER PETER ,  HELLMUND OLIVER ,  STORBECK OLAF

IPC: H01L21/318 ,  H01L21/336 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78

Abstract: Eine Bodystruktur und eine Driftzone werden in einer Halbleiterschicht ausgebildet, wobei die Bodystruktur und die Driftzone einen ersten pn-Übergang bilden. Eine Siliziumnitridschicht wird auf der Halbleiterschicht gebildet. Eine Siliziumoxidschicht wird aus zumindest einem vertikalen Abschnitt der Siliziumnitridschicht durch Oxidation mit Sauerstoffradikalen gebildet.

公开(公告)号：DE102016108500A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：DE102016108500

申请日：2016-05-09

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： HELLMUND OLIVER ,  IRSIGLER PETER ,  SCHULZE HANS-JOACHIM ,  SCHMIDT SEBASTIAN ,  SEIDER-SCHMIDT MARTINA

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/78

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung (1) umfasst einen Leistungstransistor (200) in einem Halbleitersubstratbereich (102). Der Halbleitersubstratbereich (102) umfasst einen zentralen Bereich (135) und eine Schnittfuge (140), wobei Komponenten des Leistungstransistors (200) im zentralen Bereich (135) angeordnet sind, und der zentrale Bereich (135) eine Dicke d aufweist. Die Halbleitervorrichtung (1) umfasst ferner ein Stützelement (352), das sich in einer horizontalen Richtung erstreckt und über einer Hauptoberfläche (110, 120) des zentralen Bereichs (135) angeordnet ist. Das Stützelement (352) hat eine Breite t auf einer der Hauptoberfläche (110, 120) des Halbleitersubstratbereichs (102) benachbarten Seite, wobei t senkrecht zu einer Verlaufsrichtung des Stützelements gemessen wird, und eine Höhe h, wobei 0,1 × h ≤ d ≤ 4 × h und 0,1 × h ≤ t ≤ 1,5 × h gelten.