公开(公告)号：DE102019118692A1

公开(公告)日：2021-01-14

申请号：DE102019118692

申请日：2019-07-10

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： POBEGEN GREGOR ,  AICHINGER THOMAS ,  RESCHER GERALD ,  EL-SAYED AL-MOATASEM ,  COTTOM JONATHAN ,  SHLUGER ALEXANDER

IPC: H01L21/3105 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78

Abstract: Verfahren (100, 200) zum Bilden eines Halbleiterbauelements (300) werden bereitgestellt. Ein vorgeschlagenes Verfahren (100) umfasst das Bilden (110) einer Gate-Isolierschicht (310) auf einem Halbleitersubstrat des Halbleiterbauelements (300), und das Erhöhen (120) einer Anzahl von Defekten innerhalb der gebildeten Gate-Isolierschicht (310) nach Bilden der Gate-Isolierschicht (310). Nach dem Erhöhen (120) der Anzahl von Defekten innerhalb der Gate-Isolierschicht (310) kann die Gate-Isolierschicht (310) unter Verwendung einer Reaktivgasspezies getempert (130) werden.