公开(公告)号：DE102015112306A1

公开(公告)日：2016-02-04

申请号：DE102015112306

申请日：2015-07-28

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： MOHAI DORIN IOAN ,  APOSTOL ADRIAN ,  COBZARU ANDREI ,  DANCHIV ANDREI ,  FINNEY ADRIAN

IPC: H01L27/06

Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, das einen Vertikaltransistor umfasst und Dotierungsstoffe einer ersten Art aufweist. Jede Transistorzelle eines Transistors hat ein Bodygebiet, das im Substrat gebildet und Dotierungsstoffe einer zweiten Art aufweist. Die Bodygebiete bilden erste pn-Übergänge mit dem Substrat. Ein erstes Wannengebiet ist im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, wobei das Wannengebiet einen zweiten pn-Übergang mit dem Substrat bildet. Ein Schalter verbindet dieses erste Wannengebiet mit den Bodygebieten. Ein zweites Wannengebiet wird im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, um einen dritten pn-Übergang mit dem Substrat zu bilden. Eine Erfassungsschaltung ist im zweiten Wannengebiet integriert, um zu erfassen, ob die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind. Der Schalter verbindet oder trennt das erste Wannengebiet bzw. die ersten Wannengebiet und die Bodygebiete der Transistorzelle und wird geöffnet, wenn die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind, und geschlossen, wenn die ersten pn-Übergänge nicht in Sperrrichtung vorgespannt sind.