Stromsteuerschaltung und Verfahren zum Schutz einer Stromsteuerschaltung

    公开(公告)号:DE102010001512B4

    公开(公告)日:2019-04-25

    申请号:DE102010001512

    申请日:2010-02-02

    Abstract: Stromsteuerschaltung, die aufweist:einen ersten MOS-Transistor (D1) mit einem ersten Laststreckenanschluss (D), der an einen Ausgang einer Spannungsquelle gekoppelt ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss (S), der an einen ersten Ausgangsknoten der Stromsteuerschaltung (OUT) gekoppelt ist;einen zweiten MOS-Transistor (D2) mit einem ersten Laststreckenanschluss (D), der an den Ausgang der Spannungsquelle gekoppelt ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss (S), der an einen zweiten Ausgangsknoten (IS) der Stromsteuerschaltung gekoppelt ist; undMittel zum Verhindern des Stromflusses von dem ersten Ausgangsknoten (OUT) der Stromsteuerschaltung an den zweiten Ausgangsknoten (IS) der Stromsteuerschaltung, wenn ein Potential an dem ersten Ausgangsknoten (OUT) höher ist als ein Potential an dem Ausgang der Spannungsquelle, die einen Schalter (3) umfassen, der zwischen den Ausgang der Spannungsquelle und den ersten Ausgangsknoten (OUT) der Stromsteuerschaltung gekoppelt ist und der dazu ausgebildet ist, zu leiten, wenn das Potential an dem ersten Ausgangsknoten (OUT) höher ist als das Potential an dem Ausgang der Spannungsquelle;einen Spannungskomparator (13) mit einem ersten Eingang, der an den Ausgang der Spannungsquelle gekoppelt ist, und einem zweiten Eingang, der an den ersten Ausgangsknoten (OUT) der Stromsteuerschaltung gekoppelt ist, wobei der Spannungskomparator (13) bewirkt, dass der Schalter (3) leitet, wenn das Potential an dem ersten Ausgangsknoten (OUT) um eine vorgegebene Spannung höher ist, als das Potential an dem Ausgang der Spannungsquelle.

    Intelligenter Halbleiterschalter
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102015112306A1

    公开(公告)日:2016-02-04

    申请号:DE102015112306

    申请日:2015-07-28

    Abstract: Eine Halbleitervorrichtung umfasst ein Substrat, das einen Vertikaltransistor umfasst und Dotierungsstoffe einer ersten Art aufweist. Jede Transistorzelle eines Transistors hat ein Bodygebiet, das im Substrat gebildet und Dotierungsstoffe einer zweiten Art aufweist. Die Bodygebiete bilden erste pn-Übergänge mit dem Substrat. Ein erstes Wannengebiet ist im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, wobei das Wannengebiet einen zweiten pn-Übergang mit dem Substrat bildet. Ein Schalter verbindet dieses erste Wannengebiet mit den Bodygebieten. Ein zweites Wannengebiet wird im Substrat gebildet und weist Dotierungsstoffe einer zweiten Art auf, um einen dritten pn-Übergang mit dem Substrat zu bilden. Eine Erfassungsschaltung ist im zweiten Wannengebiet integriert, um zu erfassen, ob die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind. Der Schalter verbindet oder trennt das erste Wannengebiet bzw. die ersten Wannengebiet und die Bodygebiete der Transistorzelle und wird geöffnet, wenn die ersten pn-Übergänge in Sperrrichtung vorgespannt sind, und geschlossen, wenn die ersten pn-Übergänge nicht in Sperrrichtung vorgespannt sind.

    Stromsteuerschaltung
    3.
    发明专利

    公开(公告)号:DE102010001512A1

    公开(公告)日:2010-08-26

    申请号:DE102010001512

    申请日:2010-02-02

    Abstract: Beschrieben wird eine Schaltung, ein System und ein Verfahren für Stromsteuerschaltungen. Bei einem Ausführungsbeispiel umfasst eine Stromsteuerschaltung einen ersten MOS-Transistor mit einem ersten Laststreckenanschluss, der an einen Ausgang einer Spannungsquelle gekoppelt ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss, der an einen ersten Ausgangsknoten der Stromsteuerschaltung gekoppelt ist; einen zweiten MOS-Transistor mit einem ersten Laststreckenanschluss, der an den Ausgang der Spannungsquelle gekoppelt ist, und einem zweiten Laststreckenanschluss, der an einen zweiten Ausgangsknoten der Stromsteuerschaltung gekoppelt ist; und Mitteln zum Verhindern des Stromflusses von dem ersten Ausgangsknoten der Stromsteuerschaltung an den zweiten Ausgangsknoten der Stromsteuerschaltung, wenn ein Potential an dem ersten Ausgangsknoten höher ist ae.

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