公开(公告)号：DE102011053147A1

公开(公告)日：2012-03-01

申请号：DE102011053147

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELATTARI BRAHIM ,  HIRLER FRANZ DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Eine Halbleiterstruktur (10) enthält ein Halbleitersubstrat (12) von einer ersten Leitfähigkeit, eine Epitaxialschicht (14) von einer zweiten Leitfähigkeit auf dem Substrat (12) und eine zwischen dem Substrat (12) und der Epitaxialschicht (14) angeordnete vergrabene Schicht (16) von der zweiten Leitfähigkeit. Eine erste Grabenstruktur (17) erstreckt sich durch die Epitaxialschicht (14) und die vergrabene Schicht (16) zu dem Substrat (12) und enthält eine Seitenwandisolation (22) und leitendes Material (24) in elektrischem Kontakt mit dem Substrat (12) an einem Boden (26) der ersten Grabenstruktur (17). Eine zweite Grabenstruktur (18) erstreckt sich durch die Epitaxialschicht (14) zu der vergrabenen Schicht (16) und enthält eine Seitenwandisolation (28) und leitendes Material (30) in elektrischem Kontakt mit der vergrabenen Schicht (16) an einem Boden (32) der zweiten Grabenstruktur (18). Ein Gebiet (38) aus Isoliermaterial erstreckt sich seitlich von dem leitenden Material (24) der ersten Grabenstruktur (17) zu dem leitenden Material (30) der zweiten Grabenstruktur (18) und erstreckt sich in Längsrichtung zu einer wesentlichen Tiefe (DT2) der zweiten Grabenstruktur (18).

公开(公告)号：DE102011053147B4

公开(公告)日：2017-07-27

申请号：DE102011053147

申请日：2011-08-31

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： ELATTARI BRAHIM ,  HIRLER FRANZ DR

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/762

Abstract: Halbleiterstruktur (10), die Folgendes umfasst: ein Halbleitersubstrat (12) von einer ersten Leitfähigkeit; eine Epitaxialschicht (14) von einer zweiten Leitfähigkeit auf dem Substrat (12); eine zwischen dem Substrat (12) und der Epitaxialschicht (14) angeordnete vergrabene Schicht (16) von der zweiten Leitfähigkeit; eine erste Grabenstruktur (17), die sich durch die Epitaxialschicht (14) und die vergrabene Schicht (16) zu dem Substrat (12) erstreckt, wobei die erste Grabenstruktur (17) eine Seitenwandisolation (22) und leitendes Material (24) in elektrischem Kontakt mit dem Substrat (12) an einem Boden (26) der ersten Grabenstruktur (17) enthält; eine zweite Grabenstruktur (18), die sich durch die Epitaxialschicht (14) zu der vergrabenen Schicht (16) erstreckt, wobei die zweite Grabenstruktur (17) eine Seitenwandisolation (28) und leitendes Material (30) in elektrischem Kontakt mit der vergrabenen Schicht (16) an einem Boden (32) der zweiten Grabenstruktur (18) enthält; und ein Gebiet (38) aus Isoliermaterial erstreckt sich seitlich von dem leitenden Material (24) der ersten Grabenstruktur (17) zu dem leitenden Material (30) der zweiten Grabenstruktur (18) und erstreckt sich in Längsrichtung zu einer Tiefe (DT2) der zweiten Grabenstruktur (18).