公开(公告)号：DE102009029402A1

公开(公告)日：2010-04-08

申请号：DE102009029402

申请日：2009-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FANIC PETAR

IPC: H03K17/082 ,  H02H5/04 ,  H03K17/695

Abstract: In an embodiment, a drive circuit for a transistor includes an output for providing a drive signal to the transistor. The drive circuit monitors the transistor for an occurrence of an overload, changes into an overload protection state in which the drive circuit drives the transistor in an ON state upon detection of the overload of the transistor. The drive circuit further changes into a voltage limiting state in which a voltage of the transistor is limited.

公开(公告)号：DE102014113193A1

公开(公告)日：2015-03-19

申请号：DE102014113193

申请日：2014-09-12

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FANIC PETAR ,  NELHIEBEL MICHAEL ,  OSTERLOH ACHIM ,  ZAGAR BERNHARD

IPC: G01R31/28 ,  G01R33/09

Abstract: Eine Prüfvorrichtung zum Prüfen von elektrischen Leitern enthält eine Sonde, die dazu ausgeführt ist, ein Magnetfeld, das durch Strom in einem elektrischen Leiter oder mehreren elektrischen Leitern eines Prüfobjekts verursacht wird, zu messen. Ein Ausgabegenerator ist dazu ausgeführt, Ausgabedaten zu generieren, wobei die Ausgabedaten vom gemessenen Magnetfeld abhängen.

公开(公告)号：DE102009029402B4

公开(公告)日：2013-04-04

申请号：DE102009029402

申请日：2009-09-11

Applicant: INFINEON TECHNOLOGIES AG

Inventor： FANIC PETAR

IPC: H03K17/082 ,  H02H5/04 ,  H03K17/695

Abstract: Ansteuerschaltung für einen Transistor (12), die einen Ausgang zur Bereitstellung eines Ansteuersignals (S2) für den Transistor (12) aufweist, die dazu ausgebildet ist, den Transistor (12) hinsichtlich des Auftretens einer Überlastung zu überwachen und einen Überlastungsschutzzustand anzunehmen, in dem sie den Transistor (12) leitend ansteuert, wenn sie eine Überlastung des Transistors (12) detektiert, die dazu ausgebildet ist, den Transistor in einem Spannungsbegrenzungsbetrieb zu betreiben, in dem eine über der Laststrecke anliegende Laststreckenspannung begrenzt wird, wenn die Laststreckenspannung bis auf einen Laststreckenschwellenwert ansteigt, und die dazu ausgebildet ist, abhängig davon, ob während des Spannungsbegrenzungsbetriebs ein den Transistor (12) durchfließender Laststrom (I1) oberhalb eines Stromschwellenwertes liegt und/oder länger als eine vorgegebene Zeitdauer fließt, den Überlastungsschutzzustand anzunehmen.